光敏电阻.ppt
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1、,4.4光敏电阻,一、原理及结构,光敏电阻阻值对光照特别敏感,是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。对于本征型,可用来检测可见光和近红外辐射对于非本征型可以检测波长很长的辐射,组成:它由一块涂在绝缘基底上的光电导材料薄膜和两端接有两个引线,封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。电极和光电导体之间呈欧姆接触。,2、结构:,光敏电阻在电路中的符号,三种形式梳状式 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成;或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。,绝缘基底,光电导体膜,刻线式在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻划成栅状槽,然后在槽内填入
2、光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。,涂膜式在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。其结构下图。,二、特性参数,1、光电流及增益,无光照时流过器件的电流称暗电流,由入射光引起的称光电流。,在外电场作用下向阳极漂移,如果大于tr,那么在时间内,从阳极输出的电子就不是一个,而是。,增益可理解为:样品中每产生一个光生载流子所构成的流入外电路的载流子数。,若G1,即单位时间流过器件的电荷数大于器件内光激发的电荷,从而使电流得到放大。,增益系数:光电流与入射光引起的单位时间电荷量的比值。,由上式可知:,、减小样品长度可以大大提高增益;,、增加载流子的寿命也可提高增益。,光敏面作成蛇形,电极作成梳状是
3、因为这样即可以保证有较大的受光表面,也可以减小电极之间距离,从而既可减小极间电子渡越时间,也有利于提高灵敏度。,2.光电导灵敏度,定义为光电导 与输入光照度E之比。,:光电导(西门子S),:照度(勒克斯lx),A:入射通量(流明lm),注意:灵敏度与光电增益的区别,材料特性,结构参数,(1)灵敏度是光电导体在光照下产生光电导能力的大小。,(2)增益指在工作状态下,各参数对光电导效应的增强能力。,3、光电特性:,光电流与照度的关系:,:光照指数,:电压指数,(1)弱光时,与照度 成线性关系,(2)强光时,光电流与照度成抛物线,光敏电阻,强光照下光电特性的分析:光照增强的同时,载流子浓度不断的增加
4、,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈饱和趋势。(冷却可以改善),4、伏安特性:,在一定的光照下,光电流 I光与所加电压的关系,一定的光照下,光与电压的关系;相同的电压下,光与光照的关系,说明:,(1)光敏电阻为纯电阻,符合欧姆定律,对多数半导体,当 电场强度超过104伏特/厘米(强光时),不遵守欧姆 定律。硫化镉例外,其伏安特性在100多伏就不成线性了。,(2)光照使光敏电阻发热,使得在额定功耗内工作,其最高使用电压由其耗散功率所决定,而功耗功率又和其面积大小、散热情况有关。,(3)伏安特性曲线和负载线的交点即为光敏电阻的工作点。,5、温度特性:,
5、温度的变化,引起温度噪声,导致其灵敏度、光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵敏度,必须采用冷却装置,尤其是杂质型半导体受温度影响更明显。,6前历效应,1-黑暗放置3分钟后 2-黑暗放置60分钟后 3-黑暗放置24小时后,指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的影响。,暗态前历效应:指光敏电阻测试或工作前处于暗态,当它突然受到光照后光电流上升的越慢程度。工作电压越低,光照度越低,则暗态前历效应就越重。,亮态前历效应:光敏电阻测试或工作前已处于亮态,当照度与工作时所要达到的照度不同时,所出现的一种滞后现象。,7、暗电阻和暗电流:,光敏电阻在黑
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