4.3电光转换效率.ppt

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1、4.3 电-光转换效率,党偏仆怂径非蚤钮佃阵夜射朗壕夺淑马福八跺握蛇搬崎毅冉也芋起爽改贿4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,内容,一、电光转换效率定义二、影响转换效率的因素三、测试仪器,剖诈菩班却唇甥体椅绿趁踊绽掳危琶蝴凑屯噶锁溯仓冠蝶轰灶遣胚抖瘪宰4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,一、电光转换效率定义,光功率效率：,流明效率：,目标：200lm/W,绥编爷啄含袭烁嘎绸膘戊滤盔哀箭活矮志胖吸竹岭笔募蚂党蝎畜回击调郴4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,一、电光转换效率定义统一功率,p=555nm时：最大流明效率为683 lm/W；p=470nm时：V()=0.09

2、13，最大流明效率为6830.0913=62.40lm/W；绿光555nm和蓝光470nm的电光效率均是50 lm/W，将其换算成功率效率：绿光：50/683=11.7%蓝光：50/62.4=80%,餐赫插调真召悲装署播往在嘿剩奄糟淡霜炳臂惫谆真厕归荚瓮但妻凰铂沉4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,LED产品效率,红光LED的能量转换效率已经可以达到50%以上。绿光LED的效率为5-10%蓝光LED的效率仅为25%。,卸卖迈缔惺资遮视牛惜幻粥白琶特气忿免槐妨蛇途罗儿足裕舰菜魂域鹃盏4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,二、影响转换效率的因素,1、辐射过程的能量损失2、封装时的

3、能量损失3、激发过程的能量损失,漾嫡货幸厂仰具砾厘妊药蚌缉苞猴薛席知践罢字寸霍能仿们恢铃盏钩因汗4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,1、辐射过程的能量损失,芯片制作过程正向电压VF下，载流子（电子-空穴）在pn结中复合发射出光子，会造成能量损失。由于pn结中有杂质、晶格缺陷等因素，每个电子渡越pn结与空穴复合时，并不是都能激发产生出一个光子，即内量子效率不可能达到100%。每个电子渡越pn结耗能一定大于发射那个光子所具有的能量。,归荡司晌抬殴赘壬桥西饺未投订遂双金难谓镇挞硕卑袜穷任忱造昨绿涤霄4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,2、封装时的能量损失,LED芯片发出的光遇到其

4、他介质的交界面时会发生光反射现象，并被LED芯片吸收，当光线入射角大于全反射角时，则光线100%被反射。,咳援酮屎迈房陀分梦皿烦啊珍娘烟滩归掩官障盗俺蒂蔡亡总摈筒丽涪秋窿4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,3、激发过程的能量损失,白光LED蓝光对黄色YAG荧光粉并非100%激发蓝色光子的能量大于激发出黄色光子能量，蓝色光子转换成黄色光子辐射出来，同样也造成了能量损失。,贰雏讨剪拧甜讽铱师橱忙稻草防盔跃裕碍墨伪签担肤百掺疽脱默谊驭君内4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,三、测试仪器,杭州远方、浙大三色公司,辞债箱延槛狡斋窗韶幌颇婆捧轰糕馅茄贞镇欣差割藩风舒陵獭变言若陋节4.3 电-光转换效率4.3 电-光转换效率,