微电子器件与电路实验实验四实验报告.docx

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1、微电子器件与电路实验报告姓名学号1415212003合作人实验时间2016.11实验成绩教师签名实验名称实验四MOSFET电学特性测试实验设备(1)计算机 (2)Multisim 12实验目的1. MOSFET IV特性测试以及温度对IV特性的影响2. MOSFET RDS（线性区）和GM（饱和区）随栅源电压变化特性曲线3. MOSFET Kn（Kp）测试 4. MOS栅电容CV特性测试实验内容1. MOSFET IV特性测试（IV分析仪，DC扫描）2. 温度对MOSFET IV特性影响3. RDS-VGS曲线测试，GM-VGS曲线测试4. Kn（Kp）测试5.MOSFET CV特性测试实验报

2、告要求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 按实验报告要求操作、记录数据（波形）、处理数据（波形）实验记录：实验4.1 MOSFET IV特性测试（IV分析仪）使用IV分析仪对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析实验4.2 MOSFET IV特性测试（DC分析）使用DC扫描对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析实验4.3温度对MOSFET IV特性的影响使用温度扫描分析对增强型NMOS、增强型PMOS进行扫描，分析温度对器件IV特性影响实验4.4 MOSFET RDS测试测试小信号MOSFET和功率MO

3、SFET源漏电阻随VGS变化曲线实验4.5 GM随VGS变化曲线测试小信号MOSFET在饱和区条件下，GM随VGS变化曲线实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试设计一种方案，用于测试MOSFET的Kn和Kp实验4.7 MOSFET栅电容CV特性测量设计一种方案，用于测试MOSFET的栅电容的CV特性曲线实验4.1 MOSFET IV特性测试（IV分析仪） 2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时 每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。|1.202.40&N9.6013.20I电宣(V) W_ds)1肘Mi可M竺 PHP125 IV特性

4、曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时 每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。I-1.202如6.N9.601320|电压(V.(v_ds)1 mQ 15七迎15七叫 同打至粒工255BSS129 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时 每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。1851.161-Z3154mII-1.202.406.TO3.60I由.K (V) (V_ds)I 豆=1320实验4.2 MOSFET IV特性测试（DC扫描）2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取V

5、DS=6V时 每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。50in:C.0033, I.ODOtpi)0(E.DEZi, -1.DW 叩)1-200 m -C6.0033. -206?268m)-d50m.o2.5100(6.0033, -0006J)rim。-1 nrnfi|i).(6.0033,-99.9319pi)(6 0033.-32.8E78TI)F. DO33, -10E 如33m)I1-5Urn - I-100m -I烷I 班-150m -1-3.5.： I|：R1：| 5.0w2 Voltage (V)r g 11.： HRTl1 二 1.5.： HR T| =N： l|

6、R1| 1 =NE：.： I| R 11 w 1 =3.： I|RT|15v回M回12.5 PHP125 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时 每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。trtrrLro 1 2 3 4 5 _b - 2卷(6.0000, -139.3951 m) (6.0000, -267.2206m)0.02.550出山口PHP125 gm随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个指 定VGS电压点的gm【波形打印出来必须清晰】。Iwl Voltage (V)I旧竺岬实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试_设计的NMOS器件Kn的测试方案如下所示(预习)： _ _1 VTN=2.474V; VGS=2.674V; LAMBDA=267E-6;Kn=ID/(VGS-VTN)2直流传输特性I0.025II 迥佃飓.673工74伫5.07.5w2 Voltage (V)10.0!测试得的结果为Kn=1351487mA/V2设计的PMOS器件的Kp的测试方案如下所示（预习）| VTP=-1.8V; VSG=3V;Kn=ID/(VSG+VTP)20.00 -250.00m,直流传输辱性1.25T1.00750.00m -500.00m -岳1 250.00m -