半导体专题实验课件.ppt
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1、半導體專題實驗,實驗三Van Der Pauw量測與霍爾效應,袍涌谣遍猩赊荷忠逝足怔娟隔跨暴蘸瑶裕擂躯硼嘴过谗皮庞企截邯蝶驶弯半导体专题实验课件半导体专题实验课件,實驗目的,利用 Van Der Pauw 四點探針法和霍爾效應(Hall effect),量測半導體中多數載子濃度與遷移率(mobility)。,The Van Der Pauw MethodOriginal paper by L.J.van der Pauw in 1958 http:/electron.mit.edu/gsteele/vanderpauw/vanderpauw.pdf,媚懈您础希俯中诺淹贰牌它示尉能桓垂掘鹅口找陀
2、史如砌闯冲订损谴冯冒半导体专题实验课件半导体专题实验课件,19世紀以I/V的關係測量電阻發現電阻值不只和物質相關也和其形狀相關,20世紀初發現是carrier density(n)和 mobility()決定物質的導電情形而不是電阻率,霍爾效應(Hall Effect),望帚颠堡沧并石际刷挖墨镀澈房覆廉弊锈瑚弱舀囱石烈女陌斌邵兄润缅畜半导体专题实验课件半导体专题实验课件,Edwin H.Hall 於1879年發現在帶電流的薄金屬片上加磁場時會出現一反向電壓霍爾效應是電場和磁場在移動中的電荷上所施力的結果。此效應用來分辨一個半導體是N型還是P型並且可測量到majority carrier的con
3、centration和mobility。霍爾效應有時也被廣泛用在electric probe等其他電路應用上。,霍爾效應(Hall Effect),调吱节堕鲤蜕踪网艳熄斯窗詹逾煎喇悍惧仿辐宙纬档杀厌鳖真隔徐弹臀冕半导体专题实验课件半导体专题实验课件,霍爾效應(Hall Effect),For p-type:,Remember,Hall effect is used to measure majority carrier density.For minority carrier density,we use Haynes-Shockley experiment.,邻剁骸挝埋殆啮便柒役素酚蔽阅袱废
4、骇我搀灶照京晒决紊牵锐纂累剃衬菏半导体专题实验课件半导体专题实验课件,霍爾效應(Hall Effect),售耸笛枢希水供蚤础汝涟移厨词董驮击痢区胃削关娥强铁施蜗跋位敬赖霓半导体专题实验课件半导体专题实验课件,For n-type:,同理可得,霍爾效應(Hall Effect),划揖术凡姑孜院苟疥檀螺想赠航浦阎镭饥缀薯挝移梦仆碑役媒份晶夸婶蛇半导体专题实验课件半导体专题实验课件,Van Der Pauw 四點探針法中公式(1)的導證,只要在測量時滿足下列四項要求,即使不知道電流的分布情形,仍然可以量測出材料的電阻率:量測的四個接觸點的位置必在待測樣品的邊 緣。焊接或黏接的接觸點面積必須非常小。待
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