晶体管及其小信号放大.ppt

《晶体管及其小信号放大.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶体管及其小信号放大.ppt（31页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、1,晶体管及其小信号放大(1),2,晶体管是电子线路的核心单元：分立电路集成电路模拟电路数字电路双极型单极型小信号放大大信号放大开关,3,1 双极型晶体管（BJT）,1.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,发射结,集电结,集电区,基区,发射区,4,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺杂浓度较高,制造工艺上的特点,5,电路符号,两种类型的三极管,6,1.2 BJT的电流分配与放大原理,三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。（1）工作在放大状态的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。（）发射区向基区注入载流子；基区传输和控制载流子；集电

2、区收集载流子,7,内部载流子的传输过程（以NPN为例）,ICBO 反向饱和电流,8,（1）IE=IEN+IEP 且有IENIEP IEN=ICN+IBN 且有IEN IBN，ICNIBN,（2）IC=ICN+ICBO,（3）IB=IEP+IBNICBO,（4）IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)（5）IE=IC+IB,2 电流分配关系式,9,NPN型三极管,PNP型三极管,10,3 三极管的电流放大系数,直流放大系数/交流放大系数不同端口间的放大系数,iE=IE+IEiC=IC+ICiB=IB+IB,11,(1)直流电流放大系数,（共基

3、极）直流电流放大系数,12,(2)直流电流放大系数,（共射极）直流电流放大系数,令,基极开路，集到发的穿透电流,13,在放大区的相当大的范围内,因 1,所以 1,(3)交流电流放大系数,14,三种组态,共发射极接法、共基极接法、共集电极接法,1.2 晶体管的共射极特性曲线,15,IB=f(UBE)UCE=const,1.输入特性曲线,16,工作压降：硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,17,2、输出特性曲线,IC(mA),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。,IC=f(UC

4、E)IB=const,18,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,19,此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。,20,输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且 IC=IB,(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IBIC，UCE0.3V,(3)截止区：UBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO 0,21,例1：试判断三极管的工作状态,22,例2：用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位，试判断晶体管的类型（为NPN型还是PNP型，硅管还是锗管，分别标上B、E、C。,23,例3：=

5、50，USC=12V，RB=70k，RC=6k 当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,当USB=-2V时：,IB=0，IC=0,IC最大饱和电流：,Q位于截止区,24,例：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k 当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,IC ICmax(=2mA)，Q位于放大区。,USB=2V时：,25,USB=5V时:,例：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k 当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,IC Icmax(=2 mA)，Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不

6、是的关系）,26,1.电流放大倍数和,1.3 晶体管的主要参数,2.集-基极反向截止电流ICBO,ICEO=IB+ICBO,3.集-射极反向截止电流ICEO,4.集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,27,5.反向击穿电压,（1）U(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压,（2）U(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压,（3）U(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压 几个击穿电压在大小上有如下关系 U(BR)CBOU(BR)CESU(BR)CEOU(BR)EBO,28,6.集电极最大允许功耗PC

7、M,集电极电流IC 流过三极管，所发出的焦耳 热为：,PC=ICUCE,必定导致结温 上升，所以PC 有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,29,由PCM、ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。,30,1.4 晶体管的温度特性,1 对UBE的影响 温度每升高1C，UBE减小22.5mv2 对ICBO的影响 温度每升高10C，ICBO增大一倍3 对 的影响 温度每升高1C，增大0.51 最终使IC随温度升高而增大,31,国家标准对半导体晶体管的命名如下:3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,1.5 半导体晶体管的型号,