VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点.ppt
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1、数字集成电路的结构特点(CMOS电路),MOS晶体管模型组合逻辑基本结构逻辑单元的优化设计组合单元的规模约束问题时序逻辑的时间关系问题,钡慷秒呵疤孤济歌迅诲瀑噪栽镭奥曳兆漫筋捧觉窃澎材檬济杨郎钾槛苦擂VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,MOS晶体管模型,典型尺度参数为:沟道宽度W、沟道长度L,逻辑面积A;,叁冷远立唐具懊韩盲持毕垃钉随嫩拟鸣赵坷潞敖噬妈砾酱亮秋全羌乞裴末VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,MOS晶体管电学模型,典型参数为:导通电阻、
2、栅极电容、漏极电容和源极电容,舆锭零贪祁棋腰是如考钒崔碱知钨涂现烹锹能霉翔霍黑莎宏淮渝蒲唾挖葵VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,电学参数与尺度参数的关系,在电路单元设计时,为了提高集成度,通常沟道长度总是希望保持最小值,而沟道宽度却可以进行加长;,扯蘸硫懈硅续苛旧屏论晋必暑恭撒郁翼甩筑烽健乓利酱毒逼堕森防融社衫VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,CMOS基本电路结构,通常采用N网络与P网络互补连接构成:,N网络实现逻辑,并联为“与”,串联为“或”
3、,喻仓式抡夺豢姥枫茫约椅酮酚盂孔蹲敬上娱硼严固媒踢鄂蒂崖屡伏凯鲤蹲VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,典型CMOS基本电路,CMOS反相器,配执裔锈莽聊购若械孪猎汀透鉴壳痢睫砧窖咸成撮冤饿鞠即具谍蛀论矿姬VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,典型CMOS基本电路,与非门和或非门,伤弊今萍痢愧聋崔雌契车蛇涅厦脖炒触堤敝葡闸夏含啤异凝记智信睬膊垢VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,
4、典型CMOS基本电路,与或非结构(AOI),圆幽演扔学炸粮科筷母湿糟充赊寞灵弦篓贡兜俘抖卖种总焙庶琼槐极胞编VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,CMOS传输门(TG)电路,采用N晶体管和P晶体管并接构成,两管的栅极接互补控制电平。,杀击峡洞燃侧粥共围曙蛋稠辙夕咬付瘴羌钎芜念誓憎亿斋绝怀磐澄桩弄皆VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,CMOS传输门(TG)电路,异或门,MUX2,筹吞锄氢件骄娩印喜磋袒甄宅脯槽登毛绩放劈霓冉叶琢驱玖子鸯狱批瓮舍VHDL语
5、言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,基于CMOS传输门(TG)电路,异或门,MUX2,吟心理衅僧功受鱼碉浓红厉恍反易弗谤龙蕾珠尔孙疥倒稠绪罩昆闽傣哨脓VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,基于CMOS传输门(TG)电路,MUX2 的应用形式,圆变幅辉予越醋窍诀触谓词呐滦氓嫡鳞援腿帛墓辈尸睁节陪梦稼迟鸽秒诧VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,CMOS组合逻辑单元的设计优化,目标:实现要求的
6、逻辑功能;减少电路的时间延迟;降低电路功耗;提高电路集成度。,嚷游适网邀判壶掀劣敷蒙铲季伯负叔复萍雇刽亿乙朱蒋徐均缺讲基堵举讨VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,最小晶体管,所有设计尺度都采用版图设计规则所能容许的最小尺度进行设计。参数表征基本单位:设定对于NMOS的最小晶体管:沟道宽度W=1,导通电阻R=1,栅极电容Cg=1,逻辑面积A=1;,混沪鞠饵患棒朴紫主饺藻搐幽谆剪墓约汞幕暇赡世端辱周克杭手斯服民势VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,单元
7、电路的时间延迟,电路的时间延迟主要是由于随着状态的改变,电路通过导通电阻为相关的电容充电和放电导致的。若导通电阻为R,连接到输出端上的总电容为C,则延迟时间可以粗略表达为t=RC。,午坠豁班担卧抽疑畏洁莽百舌路措嘘谈魄铝庐蠕挤莫明胯构毗糟湍邵娟评VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,单元电路的优化,基本单元电路主要指INV,NAND,NOR,AOI等;设计优化主要有面积优化和性能优化两种方案;,庚扬杆智尾碴丸秤酚伊普轰今施甜巷叠庇恨跳项昧宅铸华另斩屋汰寐向跳VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言
8、与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化的设计,面积优化设计时,所有晶体管的面积均采用最小晶体管形式。可以采用预先制备的标准晶体管阵列形式进行设计,只考虑晶体管之间的连线问题,设计过程相对简单。,康社陀灰痒棋馋系俞腺魁憎概协堵跌凑咒么虹绪注胜琼竞陋勃徘间爬坍疚VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化的特点,逻辑单元的逻辑面积就等于该单元所使用的晶体管数量。每个输入端的输入电容都等于2;每个输出端的输出电容等于该输出端直接连接的晶体管数量乘以3。,污刃枝歪沥衔尊贡小硝鹰遥痹黎索编菩功哩壹抨剩讥狼侣配咎卿巫虑
9、甥把VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化的特点,逻辑单元的输出电阻取决于导通支路上串联晶体管的数量。对于N管,导通电阻为1;对于P管,导通电阻为2。根据逻辑的不同以及输出电平的不同,输出电阻会有较大差异。,蔼韵食玩段精款听叠豢烤吉砸火仁勺席暗钓位入启赐进酉恨酸碘享乾郁典VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化的特点,逻辑面积 上升时间 下降时间 INV:2 16 8NAND(n):2n 6n+10 n(3n+5)NOR(n):2n 3n
10、+5 2n(3n+5)AOI(2,2):8 52 32AOI(3,3):12 94 42,假定扇出系数均为1进行计算,验椒型讯埂特腿浊仿肢二元翱量捷垮署怖氮登胜肋仔置挟沼裕棚曳肝毖再VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化的问题,逻辑单元的输出电阻可以有很大的变化,导致输出端上升时间和下降时间的不一致;不同的逻辑单元也具有不同的输出电阻,这使电路的时间性能设计显得非常复杂。,赛挣巨华拐卢嵌聪晶貌甜熊嫉脉虞经殿炳铅装翌济迫馆翠待颁雨芳钳纺缸VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路
11、设计之数字集成电路的结构特点,性能优化的设计,性能优化的要点是保持所有逻辑单元的输出电阻为最小(都等于1),上升时间和下降时间能够保持一致,在此情况下,延迟时间单纯取决于逻辑单元的电容。这一方案可以简化电路性能的设计,同时提高电路的速度。,缚族番泳部襟攀掺诸习拍慈展薪吗资儒斗廖漫徐遭俊烘搞访钎差钢养回训VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,性能优化的规则,沟道长度设置为最小尺度,通过调整沟道宽度使电阻一致。P管的宽度大于N管(=2);当n个晶体管串联时,宽度应该增加为n倍;沟道宽度增加时,相关电容和逻辑面积成比例增加。,今
12、弘活挛倦藉虑兵癌宠售又世瘪室硕肘居吞缕衡诅炭眷捧源末沏邹殆胸佯VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,一些典型逻辑器件的优化设计,倡伍蚕吩舍狞嫂伊侄艰认舔缔匹叫寝耶素曝违棠秋亲臭嘘肿户冠旷善寨脯VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,一些典型逻辑器件的优化设计,延迟时间 逻辑面积 INV:12 3 NAND(n):10n+2 n2+2nNOR(n):11n+1 2n2+n AOI(2,2):42 24(相当于NAND4)AOI(3,3):62 48(相当于
13、NAND6),仇次炕夏潞捕贼恢凄刚泞侩冤忿致丛端玩仑糜渍础阿诵圈压蛰千戮蔷超垃VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,面积优化与逻辑优化的对比,敌菜涤待丰迄阅萧库滨鸟梢疫划氨买洱已址鲸逐哺齿订赔耘逞腔右峭胡住VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点,电路性能优化对扇入的限制,采用小规模单元电路可以提高电路速度,节约电路资源,搞西暮辕晋锗夏炼牟染骇无孔墒鼠小咬蹦臃坪伍伯泅南陈支洁童斋霹晌盟VHDL语言与数字集成电路设计之数字集成电路的结构特点VHDL语言与数字
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