双极晶体管直流特性.ppt
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1、第三章 双极型晶体管的直流特性,内容,3.1 双极晶体管基础,3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数,3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数,3.4 双极晶体管的直流电流电压方程,3.5双极晶体管的反向特性,3.6 基极电阻,3.1 双极晶体管的基础,由两个相距很近的pn结组成:,分为:npn和pnp两种形式,基区宽度远远小于少子扩散长度,1、双极型晶体管的结构,双极型晶体管的结构示意图如图所示。它有两种类型:npn型和pnp型。,e-b间的pn结称为发射结(Je),c-b间的pn结称为集电结(Jc),中间部分称为基区,连上电极称为基极,用B或b表示(Base);,一侧称为发射区,电极称为发射极,
2、用E或e表示(Emitter);,另一侧称为集电区和集电极,用C或c表示(Collector)。,两种极性的双极型晶体管,双极型晶体管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。,加在各PN 结上的电压为:,PNP 管:,NPN管:,根据两个结上电压的正负,晶体管可有 4 种工作状态:,E 结,工作状态放大状态,用于模拟电路饱和状态,用于数字电路截止状态,用于数字电路倒向放大状态,C 结,2、偏压与工作状态,放大状态:,饱和
3、状态:,截止状态:,倒向放大状态:,3、少子分布与能带图,NPN 晶体管在平衡状态下的能带图:,EC,EF,EV,N,N,P,4、NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图:,NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图:,放大状态:,饱和状态:,截止状态:,倒向放大状态:,(1)基区必须很薄,即WB LB;,3-2 均匀基区晶体管的放大系数,1、晶体管的放大作用,均匀基区晶体管:基区掺杂为均匀分布。少子在基区中主要作扩散运动,又称为 扩散晶体管。缓变基区晶体管:基区掺杂近似为指数分布,少子在基区中主要作漂移运动,又称为 漂移晶体管。,要使晶体管区别于两个二极管的串联而具有放大作用,晶体管在结构
4、上必须满足两个基本条件:,(2)发射区的杂质总量远大于基区,当WE 与WB 接近时,即要求 NE NB。,晶体管放大电路有两种基本类型,即 共基极接法 与 共发射极接法。,先讨论共基极接法(以PNP 管为例):,RL,V,P区,N区,0,为了理解晶体管中的电流变化情况,先复习一下 PN 结中的电流:,忽略势垒区产生复合电流,处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示:,从 IE 到 IC,发生了两部分亏损:InE 与 In r。要减小 InE,就应使NE NB;要减小In r,就应使WB LB。,定义:发射结正偏,集电结零偏时的 IC 与 IE 之比,称为共基极直流短路电流放大系数,记为,
5、即:,共发射极接法:,定义:发射结正偏,集电结零偏时的 IC 与 IB 之比,称为共发射极直流短路电流放大系数,记为,即:,根据,及 的关系,可得与之间有如下关系:,对于一般的晶体管,=0.9500.995,=20200。,定义:由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比,称为 注入效率(或 发射效率),记为,即:,2、电流放大系数中间参数的定义,定义:基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射结注入基区的少子电流 IpE 之比,称为 基区输运系数,记为*,即:,由于空穴在基区的复合,使 JpC JpE。,3.基区传输系数 1)用电流密度方程求基区传输系数,用连续性方程求
6、解基区非平衡载流子浓度,这里必须采用薄基区二极管的精确结果,即:,pB(0),pB(x),x,0,WB,近似式,忽略基区复合,精确式,考虑基区复合,再利用近似公式:(x 很小时),得:,根据基区输运系数的定义,得:,静态下的空穴电荷控制方程为:,2)利用电荷控制法来求*。,另一方面,由薄基区二极管的 近似 公式:,从上式可解出:,代入 Jpr 中,得:,B,E,C,0,WB,JpE,JpC,上式中,即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损,应使WB,LB。,的典型值:WB=1m,LB=10 m,=0.9950。,3、基区渡越时间,定义:少子在基区内从发射结渡越到集电结所需
7、要的平均时间,称为少子的 基区渡越时间,记为。,可以设想,在 期间,基区内的少子全部更新一遍,因此:,。将:代入,得:,。因此 又可表为:,注意 与 的区别如下:,的物理意义:,时间,代表少子在单位时间内的复合几率,因而 就代表,少子在基区停留期间被复合的几率,而 则代表未复合,掉的比例,也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流,4、表面复合的影响(自学),之比。,代表少子在基区停留的平均,5、注入效率,定义:由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比,称为 注入效率(或 发射效率),记为,即:,当 WB LB 及 WE LE 时,有:,代入 中得:,为提高,应使 NE
8、 NB,即(NB/NE)1,则上式可近似写为:,已知:,代入 中,,再利用爱因斯坦关系:,得:,注意:DB、DE 代表少子扩散系数,B、E 代表多子迁移率。,得:,利用 方块电阻 的概念,可有更简单的表达式。方块电阻表示一个正方形薄层材料的电阻,记为:R口。,对于均匀材料:,对于厚度方向(x方向)上不均匀的材料:,对于均匀掺杂的发射区与基区,有:,中,可将 表示为最简单的形式:,代入前面得到的 公式,由,可得:,6、电流放大系数与亏损因子,上式中:,称为 亏损因子。,,将其代入少子电流方程,求出 与,进而,3-3 缓变基区晶体管的放大系数,基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场,使少子
9、在基区内以漂移运动为主,故缓变基区晶体管又称为 漂移晶体管。,以NPN 管为例,结电压为 VBE 与 VBC。,本节主要思路:令基区多子电流为零,解出基区内建电场,求出基区渡越时间,最后求出:,1、内建电场的形成,杂质浓度分布图:,在实际的缓变基区晶体管中,=4 8。,设基区杂质浓度分布为:,式中 是表征基区内杂质变化程度的一个参数:,当=0 时为均匀基区。,由于,故对电子起加速作用,称为加速场。,令基区多子电流为零:,得内建电场为:,小注入时,基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度:,将基区电场 代入电子电流方程中,可得注入基区的少子电流为:,2、基区少子分布与少子电流,根据非均匀材料方块电阻表
10、达式,缓变基区的方块电阻为:,于是 JnE 可表示为:,下面求基区少子分布 nB(x):,在前面的积分中将下限由 0 改为基区中任意位置 x,得:,由上式可解出 nB(x)为:,对于均匀基区:,纵轴:,横轴:,3、基区渡越时间与基区输运系数,对于均匀基区,,当 时,分别为:这表明 由于内建电场的存在使少子的渡越时间大为减小。,当 较大时,上式可简化为:,进一步可求得基区输运系数 为:,4、注入效率与电流放大系数,已知从发射区注入基区的电子电流为:,类似地可得从基区注入发射区的空穴电流为:,上式中:,于是可得缓变基区晶体管的注入效率为:,以及:,5、小电流时 的下降,实测表明,与发射极电流 IE
11、 有如下图所示的关系。,上式中:,原因:发射结正向电流很小时,发射结势垒区复合电流 JrE 的比例增大,使注入效率下降。当 JrE 不能被忽略时有:,当电流很小,即 VBE 很小时,很大,使 很小,从而 很小。,随着电流的增大,减小,当 但仍不能被忽略时,有:,当电流很大时,又会开始下降,这是由于大注入效应和基区扩展效应引起的。,当电流继续增大到 可以被忽略时,则有:,6、重掺杂的影响,重掺杂效应:当 NE 太高时,不但不能提高注入效率,反而会使其下降,从而使 和 下降。原因:发射区禁带宽度变窄 与 俄歇复合增强。,对于室温下的 Si:,(1)禁带变窄,发射区禁带变窄后,会使其本征载流子浓度
12、ni 发生变化:,而先增大。但当 NE 超过 后,反而下降,,当NE 增大时,减小,增加,随NE 增大,从而导致 与 的下降。,(2)俄歇复合增强,8、异质结晶体管(HBT),上式中,当 时,则:,7、低发射区杂质浓度晶体管(本小节内容自学),选择不同的材料来制作发射区与基区,使两区具有不同的禁带宽度,则有:,第三章 习题,1、4、()5、()8、12、17、23、思考题:15、25、26、27、28、29、30(穿通电压),3-4 晶体管的电流电压方程,本节以缓变基区NPN 管为例,推导出在发射结和集电结上均外加任意电压时晶体管的电流电压方程。电流的参考方向和电压的参考极性如下图所示。,E,
13、B,C,IE,IB,IC,VCE,VBE,VBC,N,N+,P,+,+,+,-,-,-,推导电流电压方程时,利用扩散方程的解具有线性迭加性的特点:方程在“边界条件1”时的解n1(x)与在“边界条件2”时的解n2(x)的和n1(x)+n2(x),等于以“边界条件1与边界条件2的和”为边界条件时的解n(x)。,1、集电结短路(VBC=0)时的电流,上式中,IES 代表发射结反偏,集电结零偏时的发射极电流,相当于单独的发射结构成的PN 结二极管的反向饱和电流。,于是可得三个电极的电流为:,2、发射结短路(VBE=0)时的电流,把发射区当作“集电区”,把集电区当作“发射区”,就得到一个 倒向晶体管,发
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