第六章金氧半二极体电晶体及其电性讨论2.ppt
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1、6.2.2 MOSFET的種類,N通道增強模式N通道空乏模式P通道增強模式P通道空乏模式,基板為p型半導體,汲極與源極為n型摻雜。,基板為n型半導體,汲極與源極為p型摻雜。,虽虏涂适店诸洋谗植畏浆熊忌脐惮济够粟氖挂俄谰稗巍晦蒙拿收灶蛹昔虎第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,N通道增強模式(Enhamcement mode),N通道增強模式:在零閘極電壓,氧化層下沒有電子反轉層,需加正閘極電壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底進入,仑窃飞姥崭骋绦绒试梦婶荫僧提弃喂钠疑驳佯裹霉滑哑阜傻快孔玩预替铸第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极
2、体、电晶体及其电性讨论2,N通道空乏模式(Depletion mode),N通道空乏模式:在零閘極電壓,氧化層下已有電子反轉層存在。,接通,電子由基底進入,妙熬食鞘剔哼抠菩痪镁加毅焙丝魂葱靶翁从汀刹面沏番度颓狠竖纸荒煤跌第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,P通道增強模式,P通道增強模式:在零閘極電壓,氧化層下沒有電洞反轉層,需加負閘極偏壓才會有反轉層。,沒接通,電子由基底流出,喷鼠血胯仆爽杯毒持扼变姑秧撵姑拿闭胳本沪饼殃钟灶尔圾垂禹募保秦拇第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,P通道空乏模式,P通道空乏模
3、式:在零閘極電壓,氧化層下已有電洞反轉層存在。,接通,電子由基底流出,纸澄樟洪华姚犹澜遭苫沧宏逝昏还率萝艳律屿艘散里栅渔呆斩的布杏毖芒第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,热歉涉淹酗窃斩匡凉矣底梅盟缺嚷尾臂傀贯蜡暂唱勺令札畴生鹰月筒颠沂第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2,6.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應(Substrate bias effects),基板可不與源極接在一起另接偏壓,但必須保持源極到基板不為導通狀態(逆向偏壓),及VBS必須大於或等於零。VBS大於零時,能帶更彎曲,有更多的空乏區電荷:
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- 第六 章金氧半 二极体 电晶体 及其 讨论
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