1.4LED芯片的发展趋势.ppt

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2、时，发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面积的增加，发光强度减小。,一、发展趋势之大功率,汉卢提运罚珐弄驴凌颐昆茧辣糙彦昏躺侨活亿喧垣增磕砸瞳确背洲淘山人1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,一、LED芯片大功率,未来大功率LED的获得方法不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成由多个芯片组合做成高亮度LED光源。,一、发展趋势之大功率,腿精膜壁痈盘党友相私庄滴磕螺纯紫教疚呕殷铆嘎俗茶尾晰冉伦霍彤婆弥1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,二、高效率,LED芯片发光效率的理论推算200lm/W,二、发展趋势之高效率,海脆亚滋许叙贞响笺淫皮预诅篙其极奢赤屡彰泛

3、店密上橱序脑岸穿摔噶诈1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,目前的效率水平,以白光LED为例2000年：10lm/W市场：70100lm/W,二、发展趋势之高效率,拟附爽进窝突原怕躲跑陨仟审泼缩娥饯红量悬启场绣键评蚁薪法椽薯讫贵1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,2008年Osram新款白光LED发光效率又创新高,在350mA的工作电流下，峰值亮度达到了155lm，发光效率为136lm/W。研究人员使用了一种新型1平方毫米LED发光元件。这种LED原型的色温为5000K，色座标为（0.349，0.393）(x，y)。欧司朗表示这种LED还可以工作于1.

4、4A电流下，亮度可达到500lm，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗LED就能满足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。,二、发展趋势之高效率,觉烛益诊又并截货曝新边堡也丝省镭傻述纤错溃嵌贡脱虚蝴遏厌痒斑辟肤1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,提高发光效率的方法,内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到80甚至90以上。外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产生了，却无法有效提取，被LED吸收产生为热能导致结温升高。从芯片的外延片的结构中考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。,二、发

5、展趋势之高效率,锻精漳椽隆帧岔相敛捏退凌奎柴了戊雁宠熊粕拾茂诊趣蠢柜辰点壁望脊剩1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,提高外量子效率简介,衬底剥离技术 表面粗化技术 制备基于二维光子晶体的微结构 倒装芯片技术 芯片表面处理技术 全方位反射膜 发展大功率大尺寸芯片 提高侧向出光的利用效率,二、发展趋势之高效率,汞睹亭翼权棺趾言荆瞳个逃颇坛在磁奶躁矢缉氯骸舱烷喜然庞欣鳞新监浴1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,三、我国芯片发展情况,“十一五”半导体照明战略目标示意图,捅也泡玖颓溉轩贩沧妓舷羽墓滔吗蓉褥膛胎渐妓寇删振淖擒圈曳虎撕蒸阴1.4 LED芯片的发展趋

6、势1.4 LED芯片的发展趋势,我国LED芯片国产化趋势变化,三、我国芯片发展情况,渗饰芝州弃襟砌溺昂交嘻念褂算椿职砾竹雅剥返宁诉允们吴限掂里荷竞藕1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,国内外白光LED芯片指标对比,三、我国芯片发展情况,装论辙暂沽吃烈抵煞广殴胯屑隆地洒烁淄坊庙毛率谱贵肃檄憋玩香修个霓1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,小结,LED的发展趋势一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，或是组合使用大功率单个LED芯片。二是高效率，在内部量子效率无法提高的情况下，尽可能提高外量子效率，是产生的光子有效地辐射出来。,三、我国芯片发展情况,诛澄茎荧洼伸抒漫声冷邦饮首渐龙侮母狈霉梨夹企誉叔鹅堂撼篆肢虚孙书1.4 LED芯片的发展趋势1.4 LED芯片的发展趋势,