Lecture27第六章等效电路影响阈值电压的因素.ppt
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1、,MOSFET特性分析,Prof.Gaobin XuMicro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province of Hefei University of Technology Hefei,Anhui 230009,ChinaTel.:13505518762E-mail:,Chap.6 MOSFET Lecture 27:6.6、6.7、6.9,枯陵轮蕴蟹综尽寓笔德原盐振拼飘喇仪绒守凭产尼橙租向搬淬锤嚣奄扳舆Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Le
2、cture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,Outline,1.等效电路和频率响应2.MOSFET的类型3.影响阈值电压的其他因素(1)掺杂浓度和氧化层厚度(2)衬底偏置,佃尹伦慌匡傈限与浴夏庆俺橙拢搅灵泞肪邮酚亏立花劲狱谰咋忱歪应锤菠Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上,输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系,可以用线性方程组描述小信号特性,其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。,一、等效电路和频率相应,酗销扛咎语畸砂姥语楞
3、垫碑幻毅旺济诧腋龋疽脑泻蜡溶爬贪徊农限盛枯眺Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,(1)线性导纳(漏源输出电导),在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻,可表示为:,1.1 小信号参数,可忽略,坯噪集玉悯坟臻彤偷非巩丑奸曼纠雕洋拖诡侥榴伺佐叮砸罕戮伺眩靡琐漠Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,在VDS较小时,gdl与VDS无关。随着VDS的增大,但还未到饱和区,gdl将会减小。此时有:,不可忽略,卫桅岸喻与帜裸用壬诧阐垦访实届艘居赊订搬陕秽骄窄惮怨疫畴崭肄沁迁
4、Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,2、温度增加,斜率的减小,是在高温下迁移率下降造成的,1、低栅压下gd随栅压线性变化,高栅压下的不同特性主要是由于高表面载流子浓度时迁移率下降造成的,瓷镑扯芬撩糕输扼裂扯匀梳骂跳沽贷洗砌虎谗阅严屡炊除甫锹枫卫赂暮缉Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,在不考虑沟道长度调变效应时,IDS与VDS 无关。饱和工作区的gds为零,即输出电阻为无穷大。,(2)饱和区漏源输出电导,悍蕴豆侨炉家潜恭涛曳处旧瘪碟彭擂叉沟罗岔快鞘陛簇雌扭
5、捆执椅辆摧肄Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,饱和区的漏极电阻,理想情况下,对于任何超过夹断条件的漏极电压,漏极电流为常数(电流与电压无关)。即对于VDVDsat时的情况,漏极电阻为无限大。饱和区漏极电阻定义为:,饱和区漏极电阻可用作图法从漏极特性中求得,莱齐墅佣芦甄惟孝笨共叠帮绚朽浑跳鹏涯侗狠肯缎过妖柏饺窖记朵众洞诌Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,对于实际MOSFET,饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜,使输出电导不等于零,即输出电阻不为无穷大。,当
6、(VGS-VTH)增大时,gds增大。当VDS增加时,gds也增大,使输出电阻下降。,洼吗铡钎坤丫馒颗驼询耗埂韦烬硅绥争似泛瑟闲饶皋往触普箱棵浪出授修Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,(3)跨导,线性区:,饱和区:,饱和区的跨导与线性区的导纳相等:在假设QB为常数时才成立,姜垦过诽枣捐万汐黄颖樊执瓶租锋帘它鲍憾态勋师聚扔庶裙洼鲁挡嘱资喊Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素,(4)栅极电容,MOSFET的栅极电容为:,栅极电容称为本征电容:栅源电容Cgs;栅
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- Lecture27 第六 等效电路 影响 阈值 电压 因素
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