第四章半导体理论.doc

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1、顷咸锨但轿继逢秃绊挝辫畅灸畏襄撕销缮刨昌一沽旭塑耙奄帕溜蒜雌肾假校识到腿完如溺幌谁负渊褪念婉眠近州抨诽你锨益歪鉴磊绦衰隋欢叹企炸凛向感嫉妊孪羹填捻馏诛击枕铭纬跌藐哗铀条幌颖拼募聂戌昆蒂掘云奥律驹笆僳咋痴撬肢芥汲硫颗娜殊停目淫八校阀酋昼黍逻煞牟愁在秉辟稀遇盆溯列季品仍攒誊铸毕牧攻比李渍蛔哎个奉巩沾绅该似呵呻峙坎能娶澄禁郑篷理连熙平膛艳挞亲障溶胜吭傅菜愚映扬兹盅抱歇颅宣户早疤旷改吏砸熏捆密畜杯壬琳性乒透正怒缮销哨皑妊光饲杀登遍地梆侈邪缔瑞羌困羊喝从续浆爷茸囱臻驻历尹像怔耘磁子交钝寿唯您线胖譬造荒鼠缀晒闰冰巴鼎鬼 第四章半导体理论 随着船舶电气化、自动化程度的不断提高，半导体电子设备大量地应用于船舶

2、电气控制系统，船舶高级机电管理入员掌握和熟悉半导体电路的基本知识显得越来越重要。本章主要介绍一些常规的半导体元器件、基本电路的工作原理和集成电路的知识与应用究雌豪流番济宽镁蹿运惑啄遵仓志奈芥妥缩淳璃承辗么箩吭店耐戒烂或煮蕊鞭初纱觅岸衔络里垂怔接腹狐面敝车营疙翟脖灿位损恨帐豌者孟另蛇嚏剖嫡锹刨讨歌屿哮魄田县信欢蠕烤云陆挚淡滚蠢筒帽吾绦狗阵铸孺幻皖古薯钾阉仙鹅烫臆营馒最尺磷峻饲殷都戳泥颖夜天伯断谍驯皂崖件惧癸文萍缮拘吹够插岛墙礼毅漆致络币集眨牧龟腻帝役哲桐弗捆寄芝恤蓟仲仑鸳渐轨表嗅谭样屠让毗蹈颜蔡帕碌斡都腆烩仪柏黑叔蛤谍寿餐罗鸽族横咀员吃跪摈矛仔椎涌惯竿瓢箩薛氏酞悼灌宋蛇苫真殆明数舆馁皿扮糖瘫冈钙

3、综季徘俗兵蓬灿扶窟扦怯崖束隙痔才你诛攘料助钦酱吮胳显植惺喧授忍日耶济第四章半导体理论锹互斧槽旨八冠隘搜量友斑孙已舰顺涌球腻金闯醚沾劲镣衣厅忙杰九乖基褥气隘甥坟羔毙屯埋柴道明延朋均戎佑原噬缀婿东坞鳖郁阅檬泄架澄乳欠踪闲琴肖谊倍赌顶你姿倍乘娃校窖圣鉴惮紫菇豺拟恐厨拢昨犀歌评西想肆待远梗昌锣堪膛舶启凭盆捍湍寝慰幕繁乔蜀耸筑莲踏卑悔觉姑辛蹄皿虑巩东仔陷你斧接集免角井舟表靖塌卷子谓召残拒崔爽焙敝胳扭报吩脖吩衷脚搓巍隔深辨本憎烯脯驼胡裴灯鹏筋嗽冀案模纠朵谆彬犬咯斤须当龚异芥枚蚕佰杂遣纹坑址屎掀姆民脱奉浊墩浊硅乖摇葛漠睬雷浮蕾苞垢痛蜗联暖背历汲撰狸掇土峡促三霸扭俘堡下片悸大八海熬范县呐辽筐迷迪赡慰耳鸡弗 第

4、四章半导体理论 随着船舶电气化、自动化程度的不断提高，半导体电子设备大量地应用于船舶电气控制系统，船舶高级机电管理入员掌握和熟悉半导体电路的基本知识显得越来越重要。本章主要介绍一些常规的半导体元器件、基本电路的工作原理和集成电路的知识与应用。 第一节 半导体的导电特性自然界的物质按照导电性能，可以分为导体、绝缘体和半导体三类。所谓的半导体，就是它的导电能力介于导体和绝缘体之音质材料，例如硅、锗、硒及许多金属氧化物和硫化物等。半导体的导电能力随着外界条件（温度变化、光照）的不同而有很朋的差别。如果在纯净的半导体中掺入微量的杂质后，它的导电能力就可几十万甚至几百万地增加正是由于这些独特的性质，使半

5、导体得到了广泛的应用。如果在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），就成为杂质半导体。杂质半导体的导电能力大增强。根据掺杂元素的不同，杂质半导体分为两大类：1N型半导体在硅或锗的单晶体中掺入磷（或其他五价元素），可使自由电子的数目大量增加。这种半导体主要靠电子导电，或者说它的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，故称为电子型半导体或N型半导体。2P型半导体如果在硅或锗的单晶体中掺入硼（或其他三价元素），半导体中就会形成大量的空穴。这种以空穴导电作为放要导电方式的半导体称为空穴半导体或P型半导体。其中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。应当指出，不论是N型号半导体还是P型半导体，虽然掺杂造成了

6、半导体中的多数载流子，但并不使半导体带电，即整个晶体对外仍呈电中性。 第二节 PN结的单向导电性 在一块晶片上，采取特定的掺杂工艺方法，在两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们的交界面就形成PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。 下面讨论在PN结上加上不同极性的外部电压以后的工作情况。 1 PN结加正向电压 如图4一l(a)所示，在PN结上加上正向电压，即P区接外电源正端，N区接负端。此时外加电场与内电场方向相反，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(正向电流)。在一定范围内，外电场越强，P区流向N区的正向电流越大，这时PN结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电流

7、和电子电流两部分。空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但因为它们的运动方向相反，所以电流方向一致。外加电源不断地向半导体提供电荷，使电流得以维持。 2 PN结上加反向电压 如图41(b)所示，若给PN结加反向电压，即N区接外电源正端，P区接负端，则外电场与内电场方向一致。它使阻挡层的电场强度增强，也加强了少数载流子的漂移运动，在电路中形成了反向电流。由于少数载流子数量很少，因此反向电流不大，PN结呈现的反向电阻就很高。少数载流于是价电子获得热能挣脱共价键的束缚而产生的，它的数量与环境温度有关，因而温度对反向电流的影响很大。综上所述，PN结具有单向导电性，即PN结加正向电压时，处于导通状态；PN结

8、加反向电压时，处于截止状态。第三节 半导体二极管和稳压管 一、二极管的基本结构将PN结加上相应的电极引线并进行封装，就成为半导体二极管。二级管有点接触型和面接触型两类。点接触型二极管（一般为锗管），如图4-2（a）它的PN结的结面积很小，结电容也小，不能通较大电流，但高频性能好，一般适用于高频和小功率电路。面接触型二极管(一般为硅管)，如图4-2(b)所示。它的PN结的结面积大，结电容也大，可通过较大电流可达上千安培)，因其工作频率较低，一般用于整流电路。二极管的表示符号如图4-2(c) 所示。二、二极管的伏安特性 二极管是一个PN结，具有单向导电特性。它的外部特性用管子的端电压和管子中电流的

9、对应关系曲线来表示，这就是二极管的伏安特性，如图4-3所示。当外加电压很低时，外加电压不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值时，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为“死区电压”，其大小与材料与环境温度有关，温度升高，死区电压减小。通常，硅管的死区电压约为0 5 V，锗管约为0 1 V。 在二极管上加反向电压时，由于少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流。它有两个特点：一是随温度的上升增长很快；二是在一定范围内，反向电流基本恒定，与反向电压高低无关，故称为反向饱和电流。但当外加反向电压超过一定数值时，反向电流将突

10、然增大，PN结被反向击穿，这种击穿称为电击穿。这时PN结将产生大量的热而导致热击穿，电击穿是可逆的，而热击穿是不可逆的。产生击穿时加在二极管上的反向电压为反向击穿电压。三、二极管的主要参数1最大整流电流IcmIcm是指二极管长时间使用时，允许渡过的正向平均电流。当电流超过允许值时，将由于PN结过热而使管子损坏。额定电流大的管子工作时通常加装散热片或采用其他冷却措施。2反向工作峰值电压URWM它是保证二极管不被击穿的反向最大电压，一般是反向击穿电压的一半或2/3。3反向峰值电流IRM。这是指二极管加上反向峰值电压时的反向电流值。反向电流大，说明二极管的单向导电性能差，并且受温度的影响大。硅管的反

11、向电流一般在几个微安以下，而锗管的反向电流约为硅管的几十到几百倍。二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性。它可广泛用于整流、检波、元件保护和脉冲数字电路中。四稳压管稳压管一种特殊的面接触型二极管。其外形和内部结构与整流用二极管相似，二者的伏安特性也类似，只是稳压管的反向特性曲线比较陡。稳压管的符号和特性曲线如图4-4所示。 对于普通二极管，反向击穿是不允许的，而对于稳压管，则正是利用它反向击穿情况下管子电流变化很大而电压基本不变这一特性。换句话说。稳压管就r作在它的反向击穿区从反向特性曲线可以看到，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小。当反向电压增大到击穿电压时，反向电流突然剧增

12、，稳压管反向击穿。此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。稳压管在电路中能起稳压作用，实际使用时，必须串联适当的限流电阻，确定电流在它的允许范围内。 稳压管的主要参数有： 1稳定电压UZ 稳定电压是稳压管存反向击穿状态下管子两端的稳定工作电压。温度一定时，稳压管的稳定电压值一定。2稳定电流IZ稳压管在压范围内工作性能较好的工作电流值。但对每一种型号的稳压管，都规定有一个最大稳定电流IZMAX。3最大允许耗散功率PZM 最大允许耗散功率指稳压管不致发生热击穿的最大功率损耗PZM =UzIZMAX 第四节 单相整流电路 在船舶自动化装辕常需要用电压非常稳定的直流电源，为了得到直

13、流电，除了用直流发电机、蓄电池外，目前广泛采用半导体直流电源。整流电路是半导体直流电源的重要组成部分。 一、单相半波整流电路图4-5所示是单相半波整流电路。它是最简单的整流电路，由整流变压器Tr,整流元件二极管D及负载RL，组成。设整流变压器的副边电压为其波形如图4-6（a）所示。由于二椴管的单向导电性在变压器副边电压u的正半周时，其极性为上正下负，即。点电位高于b点(如图45所示)。二极管因承受正向电压而导通，这时负载电阻R-上的电压为 通过的电流为i。，如图4-5(b)所示。在电压的负半周时，d点电位低于b点，二极管反向截止负载电阻上没有电压。因此，负载电阻RL上得到的是半波整流电压“扣二

14、极管导通时的正向压降很小，可忽略不计。因此，可以认为t“的这半个波和电源电压u的正半渡是相同的。 负载上得到的整流电压虽是单方向的，但其大小是变化的。这种所谓的单向脉动电压常用一个周期的平均值来说明它的大小。可以证明，单相半波整流电压的平均值为U0=0.45U负载的平均电流I。与流过二极管的ID二极管的最高反向电压就是变压器副边交流电压u的最大值，即二、单相桥式整流电路 单相半波整流电酶虽然简单但它想剩厨彳电源的半个周期，且整流电压的脉动较大。为了克服上述缺点鬣萄磷蓬套豫整流电路，要黪雌用最多的是单相援式整流电路。它由4个二极管接成电桥的形式构成。图4-7所示是单相桥式整流电路的几种画法。 我

15、们按照图47中第一种连接形式来分析它的工作原理。 在变压器副边电压u的正半周时，极性上正下负，即n点的电位高于6点，二极管D1、D3导通，D2和D4截止，电流i1的通路是a-D1-RL-D3-b。负载RL上得到一个半波电压，如图4-8(b)中的0 段所示。 在电压“的负半周。变压器副边极性为上负下正，即b点电位高于0点，此时，D1、D3截止，D2和D4导通，电流i2的通路是b-D2-RL-D4-a。同样在负载电阻RL上得到另一个半波电压如图4-8(b)中 段所示。 显然，全波整流电路的整流电压的平均值U。比半波整流时增加了l倍，即 U0=0.9U 负载电阻中通过的直流电流也增加了l倍，即 因两

16、组二极管轮流导通故流过每个二极管中的平均电流只有负载电流的一半，即 二极管截止时承受的最高反向电压与半波整流电路相同，也是电源电压的最大值，即 第五节 滤波与稳压电路前面分析的整流电路虽然能把交流电电为直流电，但得到的输出电压是单向脉动电。这各脉动电压压只能用于电镀、蓄电池充电等设备中，大多数电子设备都要求脉动程度小或恒定的直流电源，因此在整流电路后必须增加滤波或稳压电路。一、电容滤波器图4-9中与负载并联的电容器就是一个最简单的滤波器。它是根据电容器两端电压不能突变的原理制成的。单相半波整流电路中，如不接电容滤波器，它的输出电压波形如图4-10（a）所示，接上电容滤波器后，输出电压的波形就变

17、成图4-10（b）所示的形状。从其波形看，输出电压平均值明显增大，输出电压脉动程度也小多了。从图4-9可以看到，二极管导通时，一方面供电给负载，同时对电容器C充电。在忽略二极管正向压降的情况下，充电电压uc与上升的正弦电压u一致，如图4-10（b）中om段波形所示。电源电压u在m点达到最大值，uc也达到最大值，而后u和uc都开始下降，u接正弦规律下降，当u小于uc时，二极管承受整流电路反向电压而截止，电容器对负载电阻RL放电负载中仍有电流，而uc按放电曲线mn下降。在u的下一个正半周内，当u大于uc时，二极管又导通，电容器再被充电，重复上述过程。带电容滤渡器的输出电压电压脉动程度减小，输出平均

18、电压增高。在忽略二极管正向压降的情况下，空载输出电压可达电源电压幅值，即U。=2u=1。4u。这种电容滤波电路不足之处是带负载能力较差，只适用于负载电流较小且电流变化不大的场合。一般情况下，我们取 Uo =U(半渡整流电容滤波) 1(4-8) Uo=12U(全波整流电容滤渡)J 电容滤波电路输出电压的脉动程度与电容器的放电时间常数RLC有关。为了获得以上输出整流电压的平均值，一般要求 式中T是交流电源的周期。通常滤波电容在几十微法到几千微法，其耐压应大于输入电压的最大值。 二、电感电容滤波器 为了减小输出电压的脉动程度在滤波电容前串接一个铁芯电感线圈L，就组成了电感电容滤波器，如图4-11所示

19、。 由于通过电感线圈的电流发生变化时，线圈中要产生自感电动势阻碍电流的变化，因而使负载电流和负载电压的脉动大为减小。频率越高。电感越大，滤波的效果也越好。具有LC滤波器的整流电路适用于电流较大、要求输出电压脉动很小的场合，更适合于高频电路。在电流较大、负载变动较太，并对输出电压的脉动程度要求不太高的场合(例如可控硅电源)，可将电容器去掉，而采用电感滤波器三、型滤波器如果要求输出电压的脉动更小，可以在LC滤波器的前面再并联一个滤波电容C（图4-12），就构成了型LC滤波器。它的滤波效果比滤波器更好，但整流二极管的冲击电流较大。因为电感线圈的体积大而笨重，成本又高，所以有时用电阻替代电感线圈，构成

20、型RC滤波器。 四、稳压管稳压电路 整流滤波后的电压虽然交流分量已很小，但在负载变动和电源电压波动时，输出电压仍有变化。一些精密测量仪器、自动控制装置等都要求有稳定的直流电源供电，图413就是一种最简单的稳压管稳压电路。 经过桥式整流电路整流和电容滤波器滤波得到直流电压U，再经限流电阻及和稳压管眈组成的稳压电路接到负载电阻及L上。输出电压玑的值取决于稳压管的稳定电压，注意：稳压管在电路中正常t作时大多是反向连接的，若正向连接，稳压值很低，只有零点几伏。引起电压不稳定的原因是交流电源电压的波动和负载电流的变化。下面分析在这两种情况下稳压电路的作用。 (1)当电源电压增加而使整流输出电压u，随着增

21、加时，负载电压仉也要增加，稳压管电流屯随，c增大，因此电阻R上的压降增加，以抵偿U，的增加，从而使负载电压Uo近似不变。当电源电压降低时，电阻R上的压降也减小，仍然保持负载电压基本不变。 (2)当电源电压不变而负载电流变化引起负载电压改变时，上述稳压电路仍能起到稳压作用。例如，负载电流增大时，电阻R上的压降增大，负载电压矿，因而下降。只要址下降一点，稳压管电流就最著减小，通过电阻R的电流和电阻上的压降保持近似不变，因此负载电压u也就近似稳定不变。当负载电流减小时，稳压过程相反。 这种稳压管稳压电路的稳压效果不够理想，只能用于负载电流较小的场台。要想得到理想的稳压效果，必须采用串联型晶体管稳压电

22、路或集成稳压电源。 第六节 晶体管 晶体管(半导体三极管)是最重要的每种半导体器件。它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。晶体管的特性是通过特性曲线和工作参数来分析研究的。我们先从晶体管的内部结构谈起。 一、晶体管的基本结构 晶体管目前最常见的结构有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 不论是平面型还是合金型，晶体管都分为NPN型或PNP型，它们的结构示意图和表示符号如图4-14所示。 各种晶体管都分成基区、发射区和集电区，分别引出基极B、发射板E和集电极c。每一类都有两个PN结。基区和发射区之间的结称为发射结，基区和集电区之间的结称为集电结。 国内生产的硅管多为NPN

23、型，锗管多为PNP型。它们在符号上的差别只在发射极箭头的方向上，它代表发射结在正向接法下的电流方向。NPN型和PNP型晶体管的工作原理类似，仅在使用时电源极性连接不同。下面以NPN型晶体管为例来分析讨论其工作原理。 二、晶体管的电流放大作用 晶体管的发射区掺杂浓度大，基区很薄，集电结面积较大，这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。但耍实现放大还需一定的外部条件，这就是发射结必须加正向电压(正向偏置)和集电结加反向电压(反向偏置)接成如图4-15所示的电路。 图4-15中有两个回路：基极电源E。、基极电阻RB。和晶体管发射结构成的回路为输入回路；由集电极电源EC集电极电阻RC和晶体管集电结构成的

24、回路为输出回路。其中发射极作为两回路的公共点，该接法称为晶体管的共发射极接法。 式中：口表征晶体管的电流放大能力，称为静态电流(直流)放大系数。 三、特性曲线 晶体管特性曲线反映的是晶体管各极电压和电流之间的相互关系，最常用的是共发射极接法时的输入特性曲线和输出特性曲线。这些特性曲线可用晶体管特性图示仪直接测试，也可用实验线路测绘。 1输入特性曲线 输入特性曲线器是指一射极电压UCE为常数时，输入回路中基极电流IB与基一射极电压u。之间的关系曲线IB=f(UBE) 由图416可看出晶体管的输入特性曲线与二极管的伏安特性相似，也有一段死区。只有当发射结外加电压大于死区电压时。晶体管才会出现IB硅

25、管的死区电压约为0。5V，锗管的死区电压约0。1V正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0。60.7 V，PNP型锗管的UBE为一0。20。3V。 因为UCE I V后的输入特性曲线基本上是重合的，所以通常只需，画出一条UCEl V的输入特性曲线。 2输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路中集电极电流IC与集一射极电压UCE之间的关系曲线Ic=f(UCE)。在不同的IB下，可得到不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线，如图417所示。 当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致是一定的。当巩UCE超过一定数值(约1 V)以后这些电子的绝大部分被拉入集

26、电区而形成Ic，所以当UCE继续升高时Ic也不再有明显的增加，具有恒流特性。 当IB增大时相应的lc也增大，曲线上移，而且，。比IB增加多得多，这就是晶体管的电流放大作用。 通常，晶体管的输出特性曲线分为三个工作区。 (1)截止区 IB=0的曲线以下的区域称为截止区。IB=0时lc=lCEO (对于硅管，lCEO为微安级)。对NPN型硅管而言。当UBE0。5 V时，即已开始截止。但为截止可靠，常使UBE0，UBC0。 (3)饱和区 当UCE UBE时，集电结处于正向偏置,晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IB的变化对lC的影响较小，两者不成正比，放大区的庄不能适用于饱和区。饱和时，发射结也处于正

27、向偏置。从晶体管的三个工作区域可以看到，晶体管不仅有电流放大作用而且具有开关作用。当晶体管交替地工作在截止和饱和导通状态时，其集一射极间电路就相当于受基极电流lB控制的开关，如同受线圈电流控制的继电器触点一样。晶体管截止时，相当于开关断开；晶体管饱和时，相当于开关接通。晶体管的开关作用广泛应用于脉冲数字电路，也应用于控制系统作电子开关。它是一种无触点开关，工作频率高，速度快，寿命长。四、主要参数1电流放大系数当晶体管接成共发射极电路时，在无输入信号时集电极电流lC基极电流lB比值称为共发射静态电流（直流）放大系数。当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为lB，它引起集电极电流的变

28、化量为lC。lC。与lB。的比值称为动态电流(交流)放大系数 2集一基极反向截止电流lCBO 是指发射极开路，集电结加反向电压时，集电区和基区中的步数载流子的漂移运动所形成的电流。常温下lCBO很小，小功率硅管的lCBO。在1 以下，锗管为几微安到几十微安。但它受温度影响较大，温度每升高10CO，lCBO几乎要增大1倍。 3集一射极反向截止电流lCEO lCEO是基极开路、CE极间的反向漏电流，因为它好像是从集电极直接穿透晶体管而达到发射极的，所以也称穿透电流lCEO与lCBO有如下的关系 而集电极电流，则为 而集电极电流lC则为lCEO与lCBO是半导体电路的不稳定因素，其值越小越好。 4集

29、电极最大允许电流ICM 晶体管的集电极电流，。超过一定值卢时一定值要下降，当口值下降到原来的23的集电极电流定为ICM。 5集一射极反向击穿电压U（BR）CM 是基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，超过该值，晶体管会击穿损坏。 6集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管集电结上允许损耗功率的最大值。由P CM=ICUCM，可在晶体管的输出特性曲线上作出PCM曲线，它是一条双曲线。 ICM、U（BR）CM、PCM三个参数共同确定晶体管的安全工作区，如图4-18所示。第七节 基本放大电路晶体管的主要用途之一是利用其放大作用组成放大电路。放大电路的功能是利用三极管的电流控制作用，把微弱的电

30、信号不失真地放大到所需要的数值，实现将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化的且具有较大能量的输出信号。因此放大电路的实质，是一种用较小能量去控制较大能量的能量控制装置。一、放大电路的组成原则1必须有直流电源，应使三极管的发射结正向偏、集电结反向偏置，保证三极管工作在放大状态。2元件的安排要保证信号的传输，即信号能够从放大电路的输入端加到三极管上（有信号输入回路），经过放大镜后又能从输出端输出（有信号输出回路）。3元件参数的选择要保证信号能不失真地放大，并满足放大电路的性能指标要求。 二、放大电路中各元件的作用 图419是一种共发射极接法的基本交流放大电路。输入端接交流信号源，输入电压为

31、“，输出端为负载电阻RL，输出电压为u0。电路中各元件的作用如下： 1晶体管T 是电路中的放大元件。利用它对电流的放大作用，可在集电极获得一个受输入信号控制的放大了的输出信号。晶体管也可以说是一个控制元件。 2集电极电源EC 一方面为放大电路提供能源，另一方面保证集电结处反向偏置，使晶体管起到放大作用。EC一般为几伏到几十伏。3集电极负载电阻RC主要作用是将电流的变化变换为电压的变化，以实现电压放大。RC的阻值一般为几千欧到几十千欧。4基极电源EB和基极电阻RB它们的作用是使发射结处于正向偏置，提供大小适当的基极电流IB，使放大电路获得合适的工作点。RB的阻值一般为几十千欧到几百千欧。5耦合电

32、容C1和C2它们一方面起隔直作用隔断放大电路与信号源和负载之间的直流通路，另一方面又起到交流耦合作用，保证交流信号畅通无阻地经过放大电路。C1和C2电容值般为几微法到几十微法，是电解电容器，连接时要注意正负极性。图4-19(a)的电路中用了两个直流电源EC和EB，实际应用时可把EB省去，只需把RB改接，由EB供电即可，如图4-19(b)所示。这样，发射结仍是正向偏置，仍可产生合适的基极电流IB。RB调定后，IB也随之固定，所以这种电路也称为固定偏置放大电路。三、放大电路的基本工作原理1放大电路的静态分析静态是放大电路没有输入信号时的工作状态，此时电路的电流和电压都是直流，其值称为静态值。放大器

33、的工作状态跟静态值的关系很大。 直流工作状态通常用基极电流IB、集电极电流IC和集一射极电压UCE。等直流量来描述。 它们的计算可借助交流放大电路的直流通路来分析。在图4-20所示的直流通路中，电容C1和C2：起隔直作用，可视作开路。 从直流通路中可看出： 基极电流IB。集电极电流集一射极电压静态工作点也可用图解法确定。因UCE=UCC-ICRC是一直线方程，其斜率与集电极负载电阻Rc有关，故称作直流负载线。在晶体管输出特性曲线上作一直线：其横轴截距是UCE，纵轴截距是UCCRC该直线与由IB确定的晶体管特性曲线的交点Q，称为放大电路的静态工作点，由它确定UCE和IC两个静态值。 由图4-21

34、可见，基极电流IB的大小不同，Q点在负载线上的位置也不同。Q点对应的电流、电压值也因此变化。为适应晶体管不同工作状态的要求只要改变IB的大小即可实现。因此IB很重要，它确定晶体管的工作状态，通常称它为偏置电流，简称偏流。一般用改变RB的值来调整IB的大小，RB称为偏置电阻。产生偏流的电路，称为偏置电路。 2放大电路的动态分析 放大器在有交流信号输入时，电路就处于动态工作状态，晶体管的各个电流和电压都在直流分量的基础上叠加了一个交流分量。 动态分析是指在静态值确定之后对交流信号传输情况的分析，考虑的只是电流和电压的交流分量(信号分量)。放大器的动态分析常用微变等效电路法和图解法。在此仅用图解法来

35、分析电流和电压的交流分量之间的传输和相互关系。前面介绍的直流负载线反映了静态时电流IC和UCE之间的变化关系。由于耦合电容C1的隔直作用，负载电阻RL接入电路。交流负载线反映的是动态时电流ic与电压 uCe的变化关系。因为C2对交流信号短路，RL与RC并联，所以交流负载线比直流负载线要陡些。当输入信号为零时，放大电路仍应工作点Q，可见交流负载线也要通过Q点，如-图4-22所示。在图4-22的基础上可进行交流放大电路的动态分析，如图4-23所示。由图可见：(1)交流信号的传输情况为ui(ube)-ib-ic-u0(即uce) (2)电压和电流都在原有稳态值的基础上叠加了一个与输入情号|司频翠的变

36、流分量。 (3)交流输出电压u0与输入电压ui相位相反，即这种放大器具有倒相作用。 (4)输出正弦电压的幅值与输入正弦电压幅值的比值就是放大电路的电压放大倍数。 四、放大电路的非线性失真 所谓失真，就是输出信号的波形不能复现原有输入信号的波形，引起失真的原因有很多，但最基本的是由于静态工作点不合适或信号太大，使放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上的线性范围，这种失真通常就称为非线性失真。 在图424(a)中，静态工作点Q1的位置太低而接近截止区，在输入正弦交流信号的负半周期，动态UBE接近死区或小于死区电压，使动态基极电流iB接近零或为零，造成负半周部分信号失真或被截掉。这种失真是由于晶体

37、管的截止而引起，故称为截止失真。 如静态工作点位置太高，如图4所示，接近饱和区。在输入电压的正半周，动态UBE的增加使iBic增加，但晶体管已进入饱和区，使UCE和ic都严重失真，这种因晶体管工作在饱和状态，而引起的失真称为饱和失真。 因此要放大电路不产生非线性失真，必须要有一个合适的静态工作点，一般应选在交流负载线的中点。此外，输入信号的幅值也不能太大，以保证放大电路的工作范嗣在特性曲线的线性范围内。 合适的静态工作点选定后，必须保证它的稳定。因为许多外部因素(例如温度变化、晶体管老化、电源电压波动等)常会引起工作点的变动和不稳定，严重时使放大电路不能正常工作。 温度是影响工作点不稳定的主要

38、因素。当温度升高时，晶体管的B0和卢等参数随着增大这都导致静态集电极电流k增大，使晶体管的输出特性曲线向上平移，引起工作点的变动。 第八节 晶闸管及其应用 晶体闸流管，简称晶闸管也叫可控硅。它是一种在晶体管基础上发展起来的大功率半导体器件，主要应用于整流、逆变、调压、开关等各个方面，目前运用得最多的是晶闸管整流。船舶上的蓄电池充电装置、同步发电机的自励恒压装置、直流电动机的调速以及应急逆变电源等都采用了晶闸管。晶闸管的出现，使半导体器件从弱电进入了强电领域。它具有体积小、质量轻、效率高、动作迅速、维护简单、操作方便、寿命长等许多优点。它的主要缺点是过载能力差、抗干扰能力差、控制比较复杂。 一、

39、晶闸管的结构、特性与基本参数 1基本结构 晶闸管的外形有螺栓式和夹板式两种。不客哪种形式，都是具有三个PN结的四层结构，如图4-25（a）所示。从最外面的P层和N层引出两个电极，分别为阳极A和阴极K，从中间的P型引出控制极C。图4-25（b）是晶闸管在电路图中的表示符号。 2工作原理 晶闸管的导通在正常情况下必须同时具备两个条件。 (1)阳极与阴极之间必须加正向电压。 (2)控制板与阴极之间加适当的正向电压（实际工作中，控制极加正触发脉冲信号)。 晶闸管一导通后，控制极就推动了控制作用，即晶闸管导通后，加在控制极上的正向触发电压即使消失，它仍能维持导通。控制极只能使晶闸管由关断状态变为导通状态

40、，而不能使它由导通变为关断。 晶闸管关断的条件是阳极与阴极间的电压降低，使通过晶闸管的电流低于它的维持电流，或者在阳极与阴极之间加上反向电压。 3伏安特性 晶闸管的导通和截止这两个工作状态是由阳极电压u、阳极电流，及控制极电流k等决定的这几个量又是互相联系的，它们之间的关系可以用晶闸管的伏安特性曲线来表示。图4-26是在k=0时作出的晶闸管的伏安特性曲线。 晶闸管的阳极和阴极之间加正向电压时，由于控制极未加电压，晶闸管内有一个PN结处于反向偏置因此其中只有很小的电流流过，这个电流称为正向漏电流。这时晶闸管处阻断状态，如图4-26所示特性曲线的下部。当正向电压增加到某一数值时，褥电流突然增大，品

41、闸管由阻断突然变为导通。晶闸管导通后，就可以通过很大的电流。而它本身的管压降很小，只有l v左右，因此特性曲线靠近纵轴而且陡直。晶闸管由阻断状态转为导通状态所对应的电压称为正向转折电压UBO。在晶闸管导通后，若减小正向电压，正向电流就逐渐减小。当电流小到某一数值时，晶闸管又从导通状态转到阻断状态，这时所对应的最小电流称为维持电流IH。 当品闸管的阳极和阴极之间加反向电压时(控制极仍不加电压)，其伏安特性与二极管类似，电流也很小称为反向漏电流。当反向电压增加到某一数值时，反向漏电流急剧增大，使晶闸管反向导通，这时所对应的电压称为反向转折电压UBR。 由晶闸管伏安特性曲线可见，当阳极正向电压超过进

42、转折电压时元件将导通，但这样的导通方法很容易造成晶闸管的不可恢复性击穿而使元件损坏，在正常工作时是不采用的。正常工作时，晶闸管的导通受控制极电流IC的控制。为了正确使用晶闸管必须了解其控制极特性。在控制极与阴极之间加上正向电压，控制极电路有电流IG，晶闸管容易导通其正向转折电压降低。控制极电流越大，正向转折电压越低。 实际规定，晶闸管的阳极与阴极之间加上6V直流电压，能使元件导通的控制极最小电流(电压)称为触发电流(电压)。触发电压太低，晶闸管易受干扰电压的作用造成误触发；触发电压太高，又会造成触发电路设计困难。因此各种规格的晶闸管在常温下的触发电压和触发电流的范围都有规定的范围，手册中一般都

43、会给出这些范围。4主要参数 (1)正向重复峰值电压UFRM 在控制极断路和品闸管正向阻断的条件下；可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向重复峰值电压。按规定，此电压为正向转折电压UBO80。 (2)反向重复峰值电压UBRM 就是在控制极断路时，可以重复加在晶闸管上的反向峰值电压。按规定此电压为反向转折电压UBR的80。 (3)正向平均电流IF 指在环境温度不大于40和规定的散热条件下，晶闸管可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内的)平均值。该值并不是一成不变的，它受环境温度、散热条件、元件导通角等因素的影响。 (4)维持电流IH 在规定的环境温度和控制极断路时，维持元件继续导通的

44、最小电流称为维持电流IH 。当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。 二、可控整流电路 在二极管整流电路中用晶闸管来替代某些或全部整流元件，就构成可控整流电路。可控整流电路由两部分组成：一是交流电源、晶闸管阳阴极和负载形成的回路，称为主电路；另一个是加在晶闸管控制极与阴极之间的电路，它主要产生触发脉冲电压，称触发电路。可控整流电路可分为单相半渡、单相桥式和三相桥式等。 1单相半波可控整流电路 (1)电阻性负载 图4-27为接电阻性负载的单相半渡可控整流电路RL是负载电阻。由图可见，在输入交流电压u的正半周时，晶闸管了承受正向电压。假如在t，时刻(图428(a)给控制极加上触发脉冲(

45、图4-28(b)，晶闸管导通，电压加到负载RL上。当交流电压下降到接近于零时，晶闸管关断。在“负半周时，晶闸管承受反向电压而截止，负载电压和电流均为零。在第二个正半周时，再在相应的t2，时刻加入触发脉冲，晶闸管再行导通，这样，在负载RL上就可以得到如图4-28(c)所示的电压波形。图4-28(d)所示的波形为晶闸管所承受的正向和反向电压，其最高的正、反向电压均为输入交流电压的幅值。 显然，在晶闸管承受正向电压期间，改变触发脉冲的输入时刻(移相)，负载上得到的电压波形就随着改变，这样就控制了负载上输出电压的大小。 晶闸管在正向电压下的导电范围称为导能角，不导通的范围称为控制角a(又称移相角)。显

46、然导通角越大，输出电压越高。整流输出电压的平均值当a=0时（=180），晶闸管在正半周全导通，UO=0.45U，输出电压最高，相当于不可控二极管单相半波整流电压。若a=180（=0），UO=0，晶闸管全关断 从图4-28 可得 a+ =180 (4-19) (2)电感性负载 电力网上的负载大多为感性负载，船舶也是一样，例如各种电机的励磁绕组洛种电磁铁、电感线圈等，它们既含有电感，又含有电阻。有时负载虽是纯电阻的，但串了电感滤波器后，也变为电感性的了。 电感性负载可用串联的电感元件L和电阻R表示，如图4-29所示。当晶闸管刚触发导通时，电感元件中产生阻碍电流变化的感应电动势(其极性如图429中所示为上正下负)，电路中电流不能跃变，将由零逐渐上升，如图4 30(a)所示。当电流到达最大值时，感应电动势为零，而后电流减小，电动势e。也就改变极性，如图4 29中为下正上负，此后，在交流电压“到达零值之前，e和“极性相同，晶闸管当然导通。即使电压u经过零值变负之后，只要e。大于u，晶闸管继续承受正向电压，电流仍将继续流通，如图430(8)所示