单相交流调压电路课程设计.docx
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1、单相交流调压电路的设计1单相交流调压电路设计任务及设计目的 21.1电路设计任务21.2电路设计目的21.3主电路的原理分析21.4主电路器件的选择32设计方案及选择53单相交流调压电路的设计 53.1主电路的设计53.2控制电路的设计63.2. 1触发信号的种类6.3.2. 2触发电路设计7.3.2.3总的电路图8.4单相交流调压电路仿真结果及结果分析 84.1仿真结果84.2结果分析115单相交流电压电路设计总电路图 12总 结13参考文献141单相交流调压电路设计任务及设计目的1.1电路设计任务1进行设计方案的比较,并选定设计方案。2完成单元电路的设计和主要元器件的说明。3完成主电路的原
2、理分析,各主要元器件的选择。4驱动电路的设计。5电路的仿真。1.2电路设计目的电力电子技术是专业技术基础课,做课程设计是为了让我们运用学过的电路原 理的知识,独立进行查找资料,选择方案,设计电路,撰写报告,制作电路等,进一步 加深对变流电路基本原理的理解,提高运用基本技能的能力,为今后的学习和工作打下 良好的基础,同时也锻炼了自己的实践能力。1.3电阻性负载的交流调压器的原理分析其晶闸管VT1和VT2反并联连接,与负载电阻R串联接到交流电源上。当电源电压U2 正半周开始时刻触发VT1,负半周开始时刻触发VT2,形同一个无触点开关。若正、负半 周以同样的移相角a触发VT1和VT2,则负载电压有效
3、值随a角而改变,实现了交流调压。 移相角为a时的输出电压u的波形,如图1-1所示。图1-1A电阻性负载单相交流调压电路及波形图1.4主电路的原理分析所谓交流调压就是将两个晶闸管反并联后串联在交流电路中,在每半个周波内 通过控制晶闸管开通相位,可以方便的调节输出电压的有效值。交流调压电路广泛用于 灯光控制及异步电动机的软启动,也用于异步电动机调速。此外,在高电压小电流或低 电压大电流之流电源中,也常采用交流调压电路调节变压器一次电压。本次课程设计主 要是研究单相交流调压电路的设计。由于交流调压电路的工作情况与负载的性质有很大 的关系,本次实验对阻感负载予以重点讨论。图中的2个晶闸管也可以用一个双
4、向晶闸 管代替。在交流电源u1的正半周和负半周,分别对2个晶闸管的移相控制角进行控制 就可以调节输出电压。单相交流调压电路的主电路图如下图图1-1B单相交流调压主电路1.5主电路器件的选择主电路中所用到得器件比较少,主要是200V单相交流电源,2个反并联的晶闸管, 还有一个阻感负载。其中2反并联的晶闸管可用一个双相晶闸管代替,阻感负载可以用 一个电阻和一个电感串联,也可以用一个串联谐振代替2个反并联的晶闸管。 晶闸管的选择:1选择正反向电压可控硅在门极无信号,控制电流Ig为0时,在阳(A)一 一阴(K)极之间加(J2)处于 反向偏置,所以,器件呈高阻抗状态,称为正向阻断状态,若增大UAK而达到
5、一定值VBO, 可控硅由阻断突然转为导通,这个VBO值称为正向转折电压,这种导通是非正常导通, 会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。在阳一一阴极之 间加上反向电压时,器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置,呈阻断状态。当 加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态,此时是反向 击穿,器件会被损坏。而且VB O和VRB值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况 下,如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压(e=-Ldi/dt),如果电 路上未有良好的吸收回路,此电压将会损坏可控硅器件。因此,器件也必须有足够的反 向耐压V
6、RRM。可控硅在变流器(如电机车)中工作时,必须能够以电源频率重复地经受一定的过电 压而不影响其工作,所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值 的2-3倍以上,考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素,在选择代用参数的时候,只能 向高一档的参数选取。2选择额定工作电流参数可控硅的额定电流是在一定条件的最大通态平均电流IT,即在环境温度为+40C和 规定冷却条件,器件在阻性负载的单相工频正弦半波,导通角不少于I70C的电路中,当稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。而一般变流器工作时,各臂的可控硅 有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170C导通角上工作,通常是少于这
7、一 角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些,一般应为其正常电流平均值的 1.5-2.0 倍。3选择门极(控制级)参数可控硅门极施加控制信号使它由阻断变成导通需经历一段时间,这段时问称开通时 间tgt,它是由延迟时间td和上升时间tx组成,tr是从门极电流脉冲前沿的某一规定 起(比如门极电流上升到终值的90%时起)到通态阳极电流IA达到终值的10%那瞬为止 的时间隔,tr是阳极电流从10%上升到90%所经历的时间。可见开通时间tgt与可控 硅门极的可触发电压、电流有关,与可控硅结温,开通前阳极电压、开通后阳极电流有 关,普通可控硅的tgt10 s以下。在外电路回路电感较大时可达几十甚至几百
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