极管及放大电路.ppt
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1、2 晶体三极管及放大电路基础,2.1 晶体三极管 2.2 放大电路的基本组成和主要性能指标 2.3 放大电路的分析法 2.4 晶体管偏置电路 2.5 放大电路三种组态 2.6 多级放大电器(理解)4.7 放大器的频率响应(了解),三极管及放大电路,2.1 晶体三极管,一、基本结构,NPN型,PNP型,基区:较薄,掺杂浓度低,集电区:面积较大,发射结,集电结,*三极管的符号,NPN型三极管,PNP型三极管,二、IE,IB,IC 电流形成,EB,RB,EC,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB,多数扩散到集电结。,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。,IB,EB
2、,RB,EC,集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。,从基区扩散到集电区的电子,被收集,形成ICE。,内部载流子的传输过程:,(1)E区向B区注入电子,形成IE,(2)电子在B区复合,形成IB,(3)C区收集电子,形成IC,IB,三、V-I特性曲线及结论,iC,V,uCE,uBE,RB,iB,EC,EB,实验线路,三、V-I特性曲线及结论,iC,V,uCE,uBE,RB,iB,EC,EB,实验线路,(一)、输入特性:,发射结压降:硅管UBE0.60.8V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压:硅管约0.5V,锗管约0.1V。,(二)、输出特性:,uBuE和uCuB,iC只与iB有关且iC=
3、iB,称为放大区,uCE0.3V,uBuE和uBuC,称为饱和区。,iB=0,iC=iCEO,uB uE和uBuC,称为截止区。,(三)、结论,放大区:发射结正偏,集电结反偏。即:iC=iB,且 iC=iB,(2)饱和区:发射结正偏,集电结正偏。iBiC,uCE0.3V,(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏,iB=0,iC=iCEO 0,1、三极管工作在三个区域的条件及特点:,C、E间相当于短路,C、E间相当于开路,2、电流的放大作用及分配,电流分配关系,思考:处于放大区时,NPN型、PNP型两种三极管的各 电极电位如何?,UB、UC、UE大于零,UB、UC、UE小于零,且UC UBUE,且-
4、UC-UB-UE,总的来说:处于放大区时,NPN型、PNP型两种三极管,满足,四、主要参数,前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数:,工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB,相应的集电极电流变化为IC,则交流电流放大倍数为:,1.电流放大倍数和,四、主要参数,前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数:,工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB,相应的集电极电流变化为IC,则交流
5、电流放大倍数为:,1.电流放大倍数和,2.集-基极反向饱和电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。,B,E,C,N,N,P,ICBO进入N区,形成IBE。,根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流IBE。,集电结反偏有ICBO,3.集-射极反向饱和电流ICEO,ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,4.集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降,当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,当集-射极之间的电压UCE超过一定
6、的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压。,6.集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC 流过三极管,所发出的焦耳 热为:,PC=ICUCE,必定导致结温 上升,所以PC 有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,五、温度对参数及特性的影响,温度上升时,输出特性曲线上移,六、常见三极管实物外形,三极管放大电路有三种形式,共发射极放大电路,共基极放大电路,共集电极放大电路,以共发射极放大电路为例讲解工作原理,一、放大电路的分类,2.2 放大电路的基本组成和主要性能指标,二、共发射极放大电路的基本组成,iC,iB,Rs,uS,C1,uBE,EC,RC,
7、T,C2,RB,+EC,未加电容,加电容,ui,u0,三、符号规定,IB:,大写字母、大写下标,表示直流量。,iB:,小写字母、大写下标,表示交直流量(全量)。,ib:,小写字母、小写下标,表示交流分量。,iB,全量,ib交流分量,t,IB直流分量,四、放大的概念、放大器的组成框图,、放大就是将微弱的变化信号放大成较大的信号,包括对电压、电流的放大。,、放大器的一般组成框图:,五、放大电路的性能指标,、静态性能指标:,静态值:I、IC、UCE,静态值决定了三极管的直流偏置,从而决定了放大电路能否正常工作,也决定了放大电路能否不失真地放大信号。,放大电路的性能指标主要包括静态性能指标和动态性能指
8、标,2、动态性能指标:,(1)、输入电阻i,输入电阻是衡量放大电路从其前级信号源获取信号大小的参数。输入电阻越大,从其前级取得的信号越大。,放大电路,定义为:,输入电阻的意义:,()、输出电阻Ro,放大电路的输出对其负载而言,相当于信号源,其内阻就是输出电阻。,输出电阻是衡量放大电路带动负载能力大小的参数。输出电阻越小,带动负载的能力越大。,定义为:,输入电阻的意义:,放大倍数,(4)、通频带,通频带:,fbw=fhfl,放大倍数随频率变化曲线,放大电路分析,静态分析,动态分析,估算法,图解法,微变等效法,图解法,计算机仿真,2.3 放大电路分析方法,一、静态分析,放大电路中各点的电压或电流都
9、是在直流上附加了小的交流信号。,在令交流信号us=0,只考虑直流信号单独作用时放大电路的工作状态称为静态。,静态分析着重计算静态值(IQ、ICQ、UCEQ)和画出静态工作点Q。,估算法:,图解法:,主要用于计算静态值(IQ、ICQ、UCEQ),主要用于画出静态工作点Q并找出最佳Q。,步骤:原电路,(一)、静态(估算法)分析的步骤,直流通道,计算IQ、ICQ、UCEQ,令uS=0,根据直流通道估算IBQ、ICQ、UCEQ、,(RB称为偏置电阻,IB称为偏置电流),估算法,直流负载线的方程,直流负载线,与输出特性的交点就是Q点,IB,(二)、静态(图解法)分析的步骤及应用,1、步骤:,画出直流负载
10、线(UCE=ECICRC),计算I,直流负载线与iB=IB的输出特性的交点就是Q点,iB,iC、uCE变化,使工作点将移动,(1)、分析uS造成工作点在Q点上下移动的原因,uS的变化,使ui、uBE有一微小的变化,从而造成iB、,2、图解法的应用,(2)、运用图解法选择最佳的静态工作点,可输出的最大不失真信号,a、Q点在直流负载线的中点:,可输出的最大不失真信号,u0=uCE,b、Q点过低:,放大电路产生截止失真,放大电路产生截止失真,u0=uCE,c、Q点过高:,放大电路产生饱和失真,放大电路产生饱和失真,u0=uCE,思考:,电源电压VCC,电阻RB,RC,温度的变化对静态工作点的影响如何
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