内存储器接口.ppt
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1、第四章 内存储器接口(6学时),第四节 16位、32位及64位机存 储器系统,现代计算机接口技术,退 出,第一节 内存储器件(2学时),知 识 概 述,第二节 地址译码(2学时),第三节 内存储器扩展技术(2学时),第一节 内存储器件,4.1.1 内存储器概述,退 出,现代计算机接口技术,1.存储器有两种基本操作读和写。2.所有的存储芯片都设有地址引脚、数据引脚、读、写 控制脚及片选脚。,4.1.2 内存储器的分类,退 出,现代计算机接口技术,内存储器,ROM,双极RAMMOS型RAM掩模式ROM可编程的ROM可擦除PROM,RAM,SRAMDRAMEPROMEEROM,4.1.2,一、随机存
2、取存储器RAM 1.双极型RAM 双极型RAM的主要特点:存取时间短,通常为几纳秒到几十纳秒;其集成度低、功耗大,而且价格也较高。2.MOS型RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为SRAM和DRAM。,退 出,现代计算机接口技术,二、只读存储器ROM 1.掩模式只读存储器 这种芯片存储的信息稳定,成本最低。适用于存放一 些可批量生产的固定不变的程序或数据。2.可编程ROM 用户可以读出其内容,但再也无法改变它的内容。3.可擦除的PROM 可擦除的PROM芯片因其擦除的方式不同可分为两类。(1)一是通过是紫外线照射来擦除,这种用紫外线擦除 的PROM称为EPROM(2)另外一种是通过电的方法来
3、擦除,这种PROM称为EEPROM芯片内容擦除后仍可以重新对它进行编程,写入新的内容。擦除和重新编程都可以多次进行。,现代计算机接口技术,退 出,4.1.3 存储器芯片的主要技术指标,1.存储容量 存储器芯片的存储容量用“存储单元个数每存储单元的位数”来表示。当计算机的内存确定后,选用容量大的芯片则可以少用几片,这样不仅使电路连接简单,而且功耗也可以降低。2.存取时间和存取周期 存取时间又称存储器访问时间,即启动一次存储器操作(读或写)到完成该操作所需要的时间。CPU在读写存储器时,其读写时间必须大于存储器芯片的额定存取时间。如果不能满足这一点,微型机则无法正常工作。存取周期是连续启动两次独立
4、的存储器操作所需间隔的最小时间。若令存取时间为tA,存取周期为TC,则二者的关系为TCtA。,现代计算机接口技术,退 出,3.可靠性 目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间约为5l06l108小时左右。4.功耗 使用功耗低的存储器芯片构成存储系统,不仅可以减少对电源容量的要求,而且还可以提高存储系统的可靠性。,现代计算机接口技术,退 出,4.1.4 随机存取存储器的存储元及外部特性,一、静态存储器1.SRAM的存储元 静态RAM的基本存储电路(即存储元)一般是由6个MOS管组成的双稳态电路,如图4.1所示。2.SRAM的外部特性 6264芯片是一个8K8bit的CMOS SRAM芯片,其
5、引脚如图4.2所示。A0Al2:13根地址信号线。一个存储芯片上地址线的多少决定了该芯片有多少个存储单元。通常这13根地址线通常接到系统地址总线的低13位上,以便CPU能够寻址芯片上的各个单元。,现代计算机接口技术,退 出,D0D7:8根双向数据线。对SRAM芯片来讲,数据线的根数决定了芯片上每个存储单元的二进制位数。使用时,这8根数据线与系统的数据总线相连。CS1、CS2:片选信号线。OE:输出允许信号。只有当为低电平时,CPU才能够从芯片中读出数据,通常与系统总线的MEMW相连。WE:写允许信号。当WE为低电平时,允许数据写入芯片,通常与系统总线的MEMW相连。其它引脚:Vcc为+5V电源
6、,GND是接地端,NC表示空端。,现代计算机接口技术,退 出,二、动态存储器 1.DRAM的存储元 单管动态存储元电路如图4.3所示。2.DRAM的外部特性 图4.4所示为2164A的引脚图,其引脚功能如下:A0A7:地址输入线。DRAM芯片在构造上的特点是芯片上的地址引脚是复用的。两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。在相应的锁存信号控制下,它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器中。DIN和DOUT:芯片的数据输入、输出线。RAS:行地址锁存信号。CAS:列地址锁存信号。WE:写允许信号。当它为低电平时,允许将数据写入。反之,当WE=l时,可以从芯片读出数据。,现代计算机接
7、口技术,退 出,4.1.5 只读存储器的存储元及外部特性,一、EPROM1.EPROM的存储元 它的基本存储单元的结构和工作原理如图4.5所示。2.EPROM的外部特性 27256的外部引脚如图4.6所示,这是一块32K8bit的EPROM芯片,27256各引脚如下:A0Al4:l5根地址输入线。D0D7:8根双向数据线。CE:选片信号,低电平有效。OE:输出允许信号,低电平有效。当OE=0时,芯片中的数据可由D0D7端输出。Vpp:编程电压输入端。编程时应在该端加上编程高电压,不同的芯片对VPP的值要求的不一样,可以是+12.5V,+15V,+21V,+25V等。,现代计算机接口技术,退 出
8、,二、EEPROM1.EEPROM的存储元 E2PROM存储元的结构示意图如图4.7所示。2.EEPROM的外部特性 NMC98C64A为8K8位的EEPROM,其引脚如图4.8所示。其中:A0A12:13根地址线。D0D7:8条数据线。CE:选片信号,低电平有效。OE:输出允许信号,低电平有效。WE:写允许信号,低电平有效。READY/BUSY:状态输出端。98C64A正在执行编程写入时,此管脚为低电平。写完后,此管脚变为高电平。因为正在写入当前数据时,98C64A不接收CPU送来的下一个数据,所以CPU可以通过检查此管脚的状态来判断写操作是否结束。,现代计算机接口技术,退 出,第二节 地址
9、译码,CPU输出的地址引脚如何与存储芯片的地址连接呢?通常将CPU的地址引脚与同名的存储芯片的地址引脚直接相连,CPU剩余的地址引脚,也即高位地址通过译码连接存储芯片的片选端。,现代计算机接口技术,退 出,4.2.1 地址译码方式,存储器的地址译码方式可以分为两种,一种称为全地址译码,另一种称为部分地址译码。一、全地址译码方式 所谓全地址译码,就是构成存储器时要使用全部地址总线信号,即所有的高位地址信号用来作为译码器的输入,低位地址信号接存储芯片的地址输入线,从而使得存储器芯片上的每一个单元在整个内存空间中具有唯一的一个地址。如图4.9所示。这是一片SRAM 6264与8086/8088系统的
10、连接图。可以看出,只要A19A13为以下二进制位时,就可访问6264存储单元,具体哪一个存储单元由低13位(A12A0)决定。,现代计算机接口技术,退 出,0111 101 该片6264的地址范围为:0111 1010 0000 0000 0000=3E000H 到 0011 1111 1111 1111 1111=3FFFFH 若将图4.9中的“与非”门改为“或”门,如图4.10所示,则6264的地址范围就变成84000H85FFFH。二、部分地址译码方式 顾名思义,部分地址译码就是仅把地址总线的一部分地址信号线与存储器连接,通常是用高位地址信号的一部分(而不是全部)作为片选译码信号,图4.
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