《数字电子技术基础》第五版阎石第03章门电路.ppt
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1、第3章 门电路,3.1 概述3.2 分立元件门电路 3.3 TTL门电路3.4 CMOS门电路,3.1 概述,门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。常用门电路:与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等,集成电路Integrated Circuits(IC):,集成电路就是将元、器件和连线制作在一个半导体基片上的完整电路。规模:小规模集成电路:10个门以内中规模集成电路:小于100个门大规模集成电路:小于10000个门超大规模集成电路:10000个门以上根据所使用半导体器件不同分为:TTL电路:晶体管-晶体管逻辑电路(Transister-Transister-Logic)MOS电路:
2、采用金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造,CMOS集成电路:广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路,4000系列,74HC 74HCT,74VHC 74VHCT,速度慢与TTL不兼容抗干扰功耗低,74LVC 74VAUC,速度加快与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低,速度两倍于74HC与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低,低(超低)电压速度更加快与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低,74系列,74LS系列,74AS系列,74ALS,TTL 集成电路:广泛应用于中大规模集成电路,获得高、低
3、电平的基本原理,S断开,输出v0=Vcc,S闭合,输出v0=0,门电路是以高/低电平来表示逻辑值1/0,实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件,正逻辑和负逻辑,正逻辑高电平:1低电平:0,负逻辑低电平:1高电平:0,实际中高/低电平都有一个允许的范围,本课内无特殊说明均指正逻辑,在数字电路中,对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。,3.2 分立元件门电路,3.2.1 半导体二极管和半导体三极管的开关特性,数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。导通状态:相当于开关闭合截止状态:相当于开关断开。,半导体二极管、三极管和MOS管,则是构成这
4、种电子开关的基本开关元件。,一、半导体二极管的开关特性,正向导通时UD(ON)0.7VRD几 几十相当于开关闭合,反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大(约几百k)相当于开关断开,一、半导体二极管的开关特性,VI=VIL D导通,VO=VOL=0.7V 开关闭合,VI=VIH D截止,VO=VOH=VCC 开关断开,二极管的开关电路:,二极管的动态电流波形:,外加电压突然反向时,电流的变化情况,二、三极管的开关特性,三极管输出特性:固定一个IB值,即得一条曲线,在VCE 0.7V以后,基本为水平直线,双极型三极管的基本开关电路,只要参数合理:VI=VIL时,T截止,VO=VOHVI=VIH时,
5、T导通,VO=VOL,三极管的开关时间,3.2.2 二极管与门,Y=AB,设VCC=5V加到A,B的VIH=3V VIL=0V二极管导通时 VDF=0.7V,规定3V以上为1,0.7V以下为0,3.2.3 二极管或门,规定2.3V以上为1,0V以下为0,设VCC=5V加到A,B的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时VDF=0.7V,Y=A+B,二极管构成的门电路的缺点:,电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路,上次课内容回顾,含有无关项的逻辑函数化简门电路及分类分立元件门电路,3.3 TTL门电路,TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管,所以称晶体管晶体管逻辑门电路,简称
6、TTL电路。,TTL电路的基本环节是反相器。因此首先简单了解TTL反相器的电路及工作原理,掌握其特性曲线和主要参数。,3.3.1 TTL 反相器,一、电路结构,T1的发射结导通VB1=VIL+VoN=0.9vT2、T5截止T4导通,A输入低电平时,0.2V,0.9V,A输入高电平时,3.4V,T1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏,不考虑T2存在情况下VB1=VIL+VoN=4.1vT2、T5导通,使得VB1=0.7*3=2.1vT4截止,2.1V,需要说明的几个问题,3.2.2 TTL非门的外部特性及主要参数1.电压传输特性和相应参数,(1)输出高电平VOH:AB段所对应的输出电平,一
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