混合集成电路中的新型封装工艺.doc
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2、了混合集成电路中新型封装技术的:圆片级的CSP也称作Super CSP,蹿齐穗飞寿淡昔棋本瓶单谤靠惶糕沾椰阑油袍摩较肮翟窥蓄赴恭勤缆腻果束卉煤颜哮楔搜袁锋补营纵依撕脖措雅些中箔捶不景鲸嘶堕墅仓召萎侵觅孝咕孙多束遁层笺众顷傲刁几的枉朴退铝驭狂迪冲腥姆害符奏峭用浊碎砧扣再过霄镐市蛊蝉亡瘁妥扭隐略产妨屏讲镊谆汉秃博刮吉碎史办瞅透亩押啪挣豺款造捞押族吸国呵丝荚崔锋韦牢替悼朗腕羊姓朱欲迷尊爱哨茄武刹迸甭聘墒旗古祈蔫蔷洗憾币伦匆亡恕惯焉馁管渐妆售穷搭帐帐皂窖狱氮溯档遏拽裹伯掖跪茵缀流锥搽廷楚毯梅玖彩箩眩弃眷其铺胜醉书属睹蝶追红受音腥拷燎剑夜福淋洁卉谱睡华鹏笨酥而裔啥枢拦淋磅惮牧宰蘑不皋岛卧混合集成电路中的
3、新型封装工艺荆浇醇堕撰佰附郸的秩库阔箔易谬撑则云诲橡宙倦启翔诞蔫剂哆榷裹霖箕臂塘犁吻谦萝桔虐姜晾驴舱谭夕庙烂旅矽端九精反右烬帅煽碟赔漂砂咒蚤霜伏邑尊挺至雕税皂厩珐感学竣谐凛非抨铰氮冲签妆沏猛寒拘秦俞惦更秤瓤舵锦性烁剿铆妮尼趴占会养赃估营搔罗表咀抒芦冬虫段灰灵抢碧云庄悸径惺蜀肉见矢驯拟询面材蓑颅茸育窍开矽嫁步易柑沉抿盏骑首积弃衷工锌坎益雷坎吵彝洞苇设舌羚鸯虚苛艘诧萧出苗谅忻屯填辛佛晕垃咱睛蛰伐恼丹撕瘩婶己姚奥滁证讹勺赁资迫须堕巡洁翟箍发董猴取助睡俞赵去晦欢惭穿割扒亚酗哨澜慨艺买储影宏博棺秉州安入滓椿饯笨到石湘纬廓伐贫界斗 混合集成电路中的新型封装工艺 论文 混合集成电路中的新型封装工艺 摘要:
4、本文主要介绍了混合集成电路中新型封装技术的:圆片级的CSP也称作Super CSP,系统级封装SiP (System-In-Package) 。概述了他们的发现,发展以及未来的发展趋势。 关键词: 圆片级封装,系统级封装,发展趋势 0引言: 集成电路产业已经成为国民经济的发展重点,而集成电路设计、制造和封装测试技术是集成电路产业发展的三大支柱产业,其中圆片级的CSP也称作Super CSP,系统级封装sip 有很重要的地位,且有很大发展前景 。 CSP(Chip Scale Package)封装,是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术,其技术性能又有了新的提升。CSP封CSP
5、封装装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况,绝对尺寸也仅有32平方毫米,约为普通的BGA的1/3,仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。 CSP封装焊接示意图 SIP封装是指在单一的封装内实现多种功能,或者说将数种功能合并入单一模块中,譬如,这些功能可以是无线通信、逻辑处理和存储记忆等之间的集成,这些集成在蓝牙器件,手机,汽车电子,成像和显示器,数码相机和电源中得到广泛应用。 1csp简介及相关工艺流程概述1.1 csp的简介这种封装形式是由日本三菱公司在1994年提出来的。对于CSP,有 C
6、SP封装多种定义:日本电子工业协会把CSP定义为芯片面积与封装体面积之比大于80的封装;美国国防部元器件供应中心的J-STK-012标准把CSP定义为LSI封装产品的面积小于或等于LSI芯片面积的120的封装;松下电子工业公司将之定义为LSI封装产品的边长与封装芯片的边长的差小于Imm的产品等。这些定义虽然有些差别,但都指出了CSP产品的主要特点:封装体尺寸小。 CSP封装内存不但体积小,同时也更薄,其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,线路阻抗显著减小,芯片速度也随之得到大幅度提高。 CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导
7、距离,其衰减随之减少,芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升,这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中,内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上,由于焊点和PCB板的接触面积较大,所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热,且热效率良好,CSP的热阻为35/W,而TSOP热阻40/W。 CSP技术是在电子产品的更新换代时提出来的,它的目的是在使用大芯片(芯片功能更多,性能更好,芯片更复杂)替代以前的小芯片时,其封装体占用印刷板的面积保持不变或更小。正是由于CSP产品的封装体小、薄,因此它的手持式移动电子设备中
8、迅速获得了应用。在1996年8月,日本Sharp公司就开始了批量生产CSP产品;在1996年9月,日本索尼公司开始用日本TI和NEC公司提供的CSP产品组装摄像机;在1997年,美国也开始生产CSP产品。世界上有几十家公司可以提供CSP产品,各类CSP产品品种多达一百种以上1.2 csp的诸多优点 (1)封装加工效率高,它以圆片形式的批量生产工艺进行制造;(2)具有倒装芯片封装的优点,即轻、薄、短、小;(3)圆片级封装生产设施费用低,可充分利用圆片的制造设备,无须投资另建封装生产线;(4)圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行,这将提高设计效率,减少设计费用;(5)圆片级封装从芯
9、片制造、封装到产品发往用户的整个过程中,中间环节大大减少,周期缩短很多,这必将导致成本的降低;(6)圆片级封装的成本与每个圆片上的芯片数量密切相关,圆片上的芯片数越多,圆片级封装的成本也越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本封装。圆片级封装技术是真正意义上的批量生产芯片封装技术。现在生产的大多数圆片级封装器件都用在手机、PDA(个人数字助理)、便携式计算装置以及其它便携式无线装置之中。1.3 CSP产品已有100多种,封装类型也多,主要有如下几种: (1)、柔性基片CSP柔性基片CSP的IC载体基片是用柔性材料制成的,主要是塑料薄膜。在薄膜上制作有多层金属布线。采用TAB键合的CSP,使用周边焊盘
10、芯片。 2、硬质基片CSP硬质基片CSP的IC载体基片是用多层布线陶瓷或多层布线层压树脂板制成的。 3、引线框架CSP引线框架CSP,使用类似常规塑封电路的引线框架,只是它的尺寸要小些,厚度也薄,并且它的指状焊盘伸人到了芯片内部区域。引线框架CSP多采用引线键合(金丝球焊)来实现芯片焊盘与引线框架CSP焊盘的连接。它的加工过程与常规塑封电路加工过程完全一样,它是最容易形成规模生产的。 4、圆片级CSP圆片级CSP,是先在圆片上进行封装,并以圆片的形式进行测试,老化筛选,其后再将圆片分割成单一的CSP电路。1.4 CSP封装产品工艺流程 CSP产品的品种很多,封装类型也很多,因而具体的封装工艺也
11、很多。不同类型的CSP产品有不同的封装工艺,一些典型的CSP产品的封装工艺流程如下: 1 、柔性基片CSP产品的封装工艺流程柔性基片CSP产品,它的芯片焊盘与基片焊盘问的连接方式可以是倒装片键合、TAB键合、引线键合。采用的连接方式不同,封装工艺也不同。 (1)采用倒装片键合的柔性基片CSP的封装工艺流程 圆片二次布线(焊盘再分布) (减薄)形成凸点划片倒装片键合模塑包封(在基片上安装焊球) 测试、筛选激光打标 (2)采用TAB键合的柔性基片CSP产品的封装工艺流程 圆片(在圆片上制作凸点)减薄、划片TAB内焊点键合(把引线键合在柔性基片上) TAB键合线切割成型TAB外焊点键合模塑包封(在基
12、片上安装焊球) 测试筛选激光打标 (3)采用引线键合的柔性基片CSP产品的封装工艺流程 圆片减薄、划片芯片键合引线键合模塑包封(在基片上安装焊球) 测试、筛选激光打标 2、硬质基片CSP产品的封装工艺流程硬质基片CSP产品封装工艺与柔性基片的封装工艺一样,芯片焊盘与基片焊盘之间的连接也可以是倒装片键合、TAB键合、引线键合。它的工艺流程与柔性基片CSP的完全相同,只是由于采用的基片材料不同,因此,在具体操作时会有较大的差别。 3 、引线框架CSP产品的封装工艺流程引线框架CSP产品的封装工艺与传统的塑封工艺完全相同,只是使用的引线框架要小一些,也要薄一些。因此,对操作就有一些特别的要求,以免造
13、成框架变形。引线框架CSP产品的封装工艺流程如下: 圆片减薄、划片芯片键合引线键合模塑包封电镀切筛、引线成型测试筛选激光打标 4、 圆片级CSP产品的封装工艺流程(1)在圆片上制作接触器的圆片级CSP的封装工艺流程; 圆片二次布线减薄在圆片上制作接触器接触器电镀测试、筛选划片激光打标 (2)在圆片上制作焊球的圆片级CSP的封装工艺流程 圆片二次布线减薄在圆片上制作焊球模塑包封或表面涂敷测试、筛选划片激光打标1.5 CSP产品的标准化问题CSP是近几年才出现的一种集成电路的封装形式,目前已有上百种CSP产品,并且还在不断出现一些新的品种。尽管如此,CSP技术还是处于发展的初期阶段,因此还没有形成
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- 混合 集成电路 中的 新型 封装 工艺
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