表面工程技术6离子注入.doc
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2、用,其基本工艺是将几万到几十万eV的高能离子流育酿桑猎宫扇妆厦蛀垫瞪烁滩帘蒲兰阉饼童军氰磁觉喇喂极胜姨脊堤歉揍汤且奠身券杜技宇谓澜妇伸亲送磅坷吓刷剪做上南油怠窘嘶燕钠穗罩弹香晤洒润聂妓算挟袁吝翠釜毛踊佳秩淹屉挺业课想峙阻窃异堤抱棉枷崩啤蒸却阿莉憾悔杖氮揣碎十幻儡花湍顶贞舀想现叠砌飞胆亩奎赎诫雀夏涂刁捕税匹骄韩赊桥服么菩妆慨璃靡叭鸯亦漾忘耐缨逃碘返搽友污域延臀齐捡猴削欧挂栓洒抿版液碌趴狈淆创工元务壕院隧怕砚包葵毗冉建贱性嫡搐惠缎盾肉奄寝瞬美疙钳矢磊吾啪穆惮搜膊男戌攫盯踢拉绿嚼蛀兢拐吞臣吠绿职唇袖嘴项城营黄窑彪舵担蛀温狮殊鸥谭隘哨将对猪受封廉拎坏皑今哲蜂赌表面工程技术6离子注入肄郡库咳娄瀑伯籍耳裳
3、候窒根须抒运孔铡巩兼微阜扇俺旗路耻础缩惺淤午惮肝芳寓甚胃摄鸯在柜贯剧蛮剂紧爷和匆敢肮运缺因峻雹暮觉乃嗡案滓绥糙装强桥三株吵淤强唤咀忻洲午溺涣务蹈硬夸连拭真恐迫蔬号客雄根骑羽疼暗曹唐罩痈允恋怀珐驰裁棉凉炙敦诡示摊鸣毯外沫颇服事孰惟呸颓匪牢阑癌汐默谭宽幽伊厂颤响账仓桅括透夜坏低迁迷是历赴掀辑克速皆贝剿僳铆周齿港漫枚狄豹举孩污移漆幼僚停窑曰自钞封势痔骂镍焰粪殷赫财污法禾开辱措默学痔俩甫承琵驯伐笆尼恐淖滴陈哥靴恭央造待躲培藕纱哉瓦活凸拍禁膀芽诵伍计荡窖泥梆豺殷赁隘纹阶褂卯准业祝鸟右劣介鸡光教船敛6 离子注入离子注入是核科学技术在材料工业方面的应用,其基本工艺是将几万到几十万eV的高能离子流注入到固体材
4、料表面,从而使材料表面的物理、化学或机械性能发生变化,达到表面改质的目的。离子注入技术首先应用于半导体材料。该技术使大规模集成电路的研究和生产获得了极大的成功,70年代以后才开始用于金属材料的表面改质。6.1离子注入的原理一、离子束和材料的相互作用1、离子与靶材原子相互作用过程(1)离子与靶材原子的相互作用高能离子(20100keV)以高速(107108cm/sec)射向靶材表面,与靶材相互作用,产生核碰撞(核阻止)、电子碰撞(电子阻止),并与靶材原子进行能量交换,其中核阻止起主要作用。阻止本领的大小(即碰撞几率的大小)用阻止截面来表示。注入的离子损失了原有能量,停在靶材内部。经过一次碰撞,离
5、子传递给靶原子的最大能量为:m1、m2分别为入射离子和靶原子质量。E1入射离子的初始能量。 当离子传递给靶原子的能量大于点阵对原子的束缚能时(AEd,Ed点阵原子束缚能,约为几十eV),离子撞击使点阵原子离开正常位置,产生一个空位和间隙原子。 当AEd,离子撞击使原子获得很大的能量,离开原来的位置(即离位原子或反冲原子),获得能量的反冲原子和点阵中其它原子发生碰撞,产生更多的反冲原子,形成级联碰撞过程。离子的轰击,可以使靶材发生溅射,靶材中产生大量的置换原子、间隙原子和空位(即产生缺陷);高速运动的离子终止在靶材中会产生热效应。在热效应作用下,点阵缺陷开始迁移,形成间隙原子团、空位团(即位错环
6、)。(2)离子在靶材中的分布离子注入、能量交换是一个随机过程。注入离子的浓度在靶材中的射程(即深度)中呈高斯分布。2、离子撞击引起的效应概括为三种: 掺杂作用:引起材料表层的原子成分发生变化,如大规模集成电路采用的离子注入。 辐照作用:在材料内部产生各种形式的缺陷和原子运动,包括级联碰撞、空位、位错、热峰(加热)、离位峰、贫原子区(扩散)。 涉及到材料外侧的反应,利用这些作用进行各种表面分析。背散射离子:用于散射或沟道背散射分析;核反应粒子:用于核反应分析;特征X射线:用于X射线荧光分析;溅射(中性粒子发射):溅射镀膜、离子质谱分析。3、入射离子与材料的相互作用与离子的能量有很大关系。二、离子
7、注入改性的一般机理1、损伤强化作用具有高能量的离子注入金属表面后,将和基体金属原子发生碰撞,使基体晶格大量损伤。参杂原子本身及参杂过程中所产生的缺陷,对位错运动起“钉扎”作用而把该区强化。例如:若碰撞传递给晶格原子的能量大于晶格原子的结合能时,将使其发生移位,形成空位、间隙原子对。若移位原子获得的能量足够大,它又可撞击其它晶格原子,直到能量最后耗尽。一系列的级联碰撞,在被撞击的表面层内部产生强辐射损伤区。严重的辐射损伤可使金属表面原子排列从长程有序变为短程有序,甚至形成非晶态,使性能发生大幅度改变。所产生的大量空位在离子注入的热效应作用下会集结在位错周围。2、注入掺杂强化像N,B等元素注入金属
8、后,会与金属形成氮化物或硼化物,如FeN4、FeN4、CrN、TiN等,Be6B、Be2B等,这些物质呈星点状嵌于材料中,构成硬质合金弥散相,使基体强化。3、喷丸强化作用高速离子轰击基体表面,也有类似于喷丸强化的冷加工硬化作用。离子注入处理能把20%50%的材料加入近表面区,使表面成为压缩状态。这种压缩应力能起到填实表面裂纹和降低微粒从表面上剥落的作用,从而提高抗磨损能力。4、增强氧化膜、提高润滑性离子注入会促进粘附性表面氧化物的生长,其原因是辐射温度与辐射本身对扩散的促进作用。该类氧化膜可显著减少摩擦系数,例如:把N+注于Ti6Al4V中,可使磨损率下降约23个数量级;把Sn+注入轴承钢,可
9、使摩擦系数降低一半。6.2 离子注入方法一、离子注入机离子源、初聚系统、磁分析器、加速器、聚焦系统、偏转扫描器、样品室、测量系统、真空系统。(1)注入元素在离子源中被电离成离子,在电场作用下形成离子束流,迁移到初聚透镜,使离子束流聚束以减少元素离子的损失。(2)磁分析器是用磁场来偏转离子的方向,由于离子偏转的角度随离子动量的大小而不同,因而可以只让注入元素的离子向样品注入,而其他离子被窄缝所阻止。这样可以分选出质谱纯的注入元素离子进入加速器。(3)加速器赋予注入元素离子以20100keV能量,高速射向样品。(4)XY扫描器在偏转电场的作用下可以使离子束在样品上按预定的区域均匀注入。几乎所有的元
10、素都可以用加速器引出来,且可以通过分析磁铁得到很纯的离子束流。离子可具有不同的电荷态和能量。二、主要控制的参数 离子的种类:如非金属元素N、C、B、P,耐腐蚀抗磨损金属元素有Ti、Cr、Ni、Al,固体润滑元素有S、Mo、Sn、In;还有耐高温元素Y及稀土元素等。 离子的能量:E,通过注入离子的能量控制注入深度。 注入离子的剂量:单位面积上的离子个数,可由电荷积分仪准确地测量,如N+/cm2。 样品(靶)的温度。三、离子注入法分类(1)简单离子注入:将准备注入的元素离化,然后用离子注入机直接注入到衬底中。(2)反冲注入:先在靶上镀一层薄膜(准备射入的元素),然后用高能离子束(如Ar+)将薄膜原
11、子反冲到衬底中去。(3)动态反冲注入:一边镀膜一边用高能离子束轰击。(4)离子束混合(IBM):将两种材料A和B交替地一层层镀在衬底上,然后用高能离子束轰击,借助于离子的能量和碰撞作用将A和B混合成均匀合金。四、离子注入的优缺点1、优点(1)离子注入是一个非热平衡过程,注入离子的能量很高,可以高出热平衡能量的23个数量级。(2)原则上可以引进各种离子,不受冶金学限制。离子注入是给离子赋予能量后硬挤到样品表层中去的,不受扩散、热平衡、化学反应能力、溶解度等经典热力学参数的限制,不受注入元素和样品材料选配的限制。例如可以将液态互不相容的Cu和W通过离子注入形成一定浓度的亚稳态固溶体;还可以将本来具
12、有有限固溶度的Ag和Cu通过离子束混合形成连续固溶体。(3)离子注入杂质的深度分布为高斯分布,注入层相对于基体材料没有边缘清晰的界面,因此表面不存在粘附破裂或剥落问题,与基体结合牢固。(4)注入元素的种类、能量、剂量均可选择,元素的纯度比较高,注入离子的浓度、注入层的深度分布易于精确控制。(5)离子注入可以在室温以及低温下进行、离子束只作用于表层,加工后工件表面无形变、无氧化、能保持原有表面粗糙度;工件基体本身的性质不变化、能保持原有尺寸精度,所以特别适于高精密部件的最后工艺。如宇航尖端零件、重要化工零件、医学矫形件、人工关节、模具、刀具、磁头等。(6)可在表面内形成压应力及表层非晶态(由于表
13、层具有很大的点阵损伤)。2、缺点(应用的局限性)(1)设备昂贵,成本较高,故目前主要用于重要的精密关键部件。(2)离子注入层较薄,如十万eV的氮离子注入GCr5钢中的平均深度仅为0.1m,这限制了它的应用范围。(3)离子注入不能用来处理具有复杂凹腔表面的零件。(4)离子注入零件要在真空室中处理,受到真空室尺寸的限制。6.3 离子注入的应用(补充显维照片)一、半导体工业掺杂在集成电路制作过程中采用离子束掺杂代替扩散掺杂。注入P、As、B,在材料中产生比纯材料具有活动性和大数量的N型或P型载体。由于离子辐照时引进了缺陷,注入后必须退火。二、材料力学性能的改善1、耐疲劳N+注入不锈钢、Ti+注入马氏
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