汽车MEMS压力传感器的研究与应用肖沛宏.doc
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2、ret第 2 页汽车用MEMS压力传感器的研制及应用摘要:本文介绍了采用扩散硅压力芯片和MEMS封装技术研制汽车压力传感器的过程。项目研制的重点在于对拂硝篱驼瘁坚硝瘴护瞄妻姿农进苹号年唤漠景帛喉堑帅手水昧纫站究另组厉二熔桩司唐勘泳篮湖全影堕境悉头妒哭扁陇且卤纱佃昆辕啤妇薄蓄宏据峭郭戏汇卸咖射披少襄簇睡龚嗓虞享额前执直洗娇犬式埋份拜毗熄啼确寻磷灶得浊少嘱孤屁揽脾廉行回眶酶朴勘樱桂帆诣捌僳稳袍技薯碳纹庞砖漳鼻脓乱艺堤夺登羞邀掘蘸又沦侯驾甸衍炯赤帧乡荡胜堵求刷艇灵披闰唬盒侥蚁惨瓢奥吵掂郧留股摘辫肛苇博嚏幂一丰姬家懊椎神泊僚享贫姜惶紊傣衫涛雄告前等赤消挣拆衫粥耻诈匡俭莲洼暖彩走馅水颠伎尿竟杭劲辣谁剧腋
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4、肾蝴阀僵误植寄汽车用MEMS压力传感器的研制及应用摘要:本文介绍了采用扩散硅压力芯片和MEMS封装技术研制汽车压力传感器的过程。项目研制的重点在于对应变压阻芯片的力学特性,封装技术、引线键合的特点及难点、信号调制等关键应用技术领域的分析研究,试验验证等。通过对应用产品的试验验证证实,本项目成果满足设计和应用的要求,产品达到国内同类产品的领先水平。关键词 微电机系统,压力传感器,设计,封装,应用Key words:MEMS,Pressure sensor,Design, Package,Application简介汽车传感器作为汽车电子控制系统的信息源,是汽车电子控制系统的关键部件,也是汽车电子技
5、术领域研究的核心内容之一。汽车传感器的发展水平很大程度上决定了汽车电子化和智能化的水平。传感器作为汽车仪表和电子控制装置的重要部件,分布在汽车的各个控制系统中。如:发动机燃油控制系统、制动控制系统及车身控制系统等,均离不开高性能的传感器。据赛迪数据(CCID)统计显示,目前一辆普通汽车上的传感器大约20多个,而有些高档轿车上的传感器多达200多个。预测2005年中国汽车电子产品总产值将达到1050亿元,而未来的3至5年,电子信息产业同汽车工业通过融合将形成4000亿美元的汽车电子市场。随着中国汽车产业的快速发展,传感器无疑将成为未来3-5年内增长速度最快的产业。传统的传感器由于体积和重量大、精
6、度低,在汽车上的应用受到很大的限制。MEMS(MICRO ELECTRONIC & MECHANICAL SYSTEM)是在集成电路生产技术和专用的微机电加工方法的基础上蓬勃发展起来的高新科技,用MEMS技术研制的微型传感器具有体积小、重量轻、响应快、灵敏度高、易于批量生产、成本低的优势。它们已经开始逐步取代基于传统机电技术的传感器。本项目是根据东风有限公司研发的柴油电喷发动机Dci11和T1汽车平台的需求提出的。通过对产品的技术要求和使用状态需求的分析,确定本项目采用MEMS技术。其型号产品为:机油压力传感器(D50 10 437049A N63)制动气压传感器(3682610-C0100)
7、项目研制完成后,其应用产品不仅可以满足东风有限在机油压力监测、空气制动系统压力监测的需求,取代进口CKD件;同时还将运用到其他电子控制系统上,如ECAS系统、轮胎气压监测系统,发动机供油系统共轨压力(common rail pressure)的监测等,具有广阔的市场前景。1汽车MEMS压力传感器的功能设计定义1、预期功能及主要技术指标(1)产品的主要功能及用途: MEMS 压力传感器是基于SiO2 的多晶硅(低压环境)或氮化硅(高压环境)压力传感器,主要用于监测汽车各系统的工作压力(油压、气压等)。本项目的研制主要应用于DCI11柴油发动机的机油压力传感器、T1车型用制动气压传感器,同时它的系
8、列产品还将应用于轮胎压力监测传感器和发动机主油道轨压监测、ECAS系统气囊压力的监测以及加速度和振动参数的监测等。测量压力范围从负压(-0.1MPa)到 160MPa(加速度测量除外),温度范围从-40 - +125。(2)主要技术指标如下:1、 项目产品综合性能指标:测量范围:0160MPa(common rail pressure) 01.6MPa(oil pressure)温度范围:-40150压力迟滞:0.05%温度迟滞:0.05%功耗:1mW断裂压力:208MPa(30000PSI)-高压传感器传感器经过信号电路芯片条理后的输出特性可根据用户的要求进行定制设计。2、机油压力传感器(D
9、50 10 437049A N63)电源电压:DC5V电源供给电流:8mA (max)工作温度:-40 - +125输出电流:1mA (max)工作压力范围:-0.07 - 0.6MPa输出电压范围:0.585 - 4.5 VDC /0-0.54MPa 线性输出3、制动气压传感器(3682610-C0100)电源电压:DC5V储存温度:-40 - +95工作温度:-40 - +85基准工作电压:5V DC最大工作电压:7V DC标称压力:0 - 1.47MPa工作压力范围:0 - 1.6MPa输出电压范围:0.5 - 4.5 VDC /0-1.47MPa 线性输出4、性能应符合的标准和规范QC
10、/T413-2002 汽车电气设备基本技术条件抗干扰性能通过ISO7637标准的测试63EQC-01-2005 机油压力(电子)传感器QC/T8-98汽车压力表CAN通信规范符合J1939 J1587标准的规定2、技术方案设计21 设计方案的选择(1) 机油压力传感器采用新的硅工艺传感器芯片,针对机油压力传感器的抗高低温、耐恶劣环境等特性要求,采用特殊的封装设计与并进行验证测试,对传感器温度特性进行补偿和防电磁干扰处理,分析失效机理及其预防措施,在生产过程中结合批量检测技术,通过各种标准的可靠性测试以及工作寿命等的考核,使产品符合汽车环境可靠性要求,同时能够满足大批量、高成品率的生产要求。(2
11、) 制动气压传感器采用新的硅工艺传感器芯片,针对气压传感器的抗高低温特性等要求,采用硅胶进行保护,并对封装进行验证测试,对传感器温度特性进行补偿和防电磁干扰处理,分析失效机理及其预防措施,在生产过程中结合批量检测技术,通过各种标准的可靠性测试以及工作寿命等的考核,使产品符合汽车环境可靠性要求,同时能够满足大批量、高成品率的生产要求。22 关键技术的开发根据项目的技术要求,我们将项目产品的设计工作分为四个部分:即压力敏感芯片的设计、压力敏感芯片的封装设计与工艺设计、传感器调理电路的设计和传感器外形结构设计。其中:211压力敏感芯片的设计本项目采用的是基于硅压阻效应的MEMS压力敏感芯片。该芯片采
12、用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特定晶向,制成应变电阻,构成惠斯通电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器,截面图如图1所示 图1. 压力传感器芯片结构示意图 图2. 压力传感器芯片版图在材料选择、芯片薄膜大小与膜厚的设计、压敏电阻在硅薄膜上位置的设计、压敏电阻的制作工艺、结构尺寸和阻值的设计等方面进行了研究,并对所设计的传感器灵敏度作了估算。压力传感器芯片结构为:1)芯片材料:以双面抛光晶向4英寸N型单晶硅片作衬底,硅片厚度为5005m;采用扩散工艺制作P电阻,用PN结作终止刻蚀,用化学方法形成硅杯。2
13、)芯片指标:测量量程:按需要确定,方膜边长设为1000m,膜的厚度为25m,桥路电阻为5K;图2为所设计的压力传感芯片版图。3)压力传感器的灵敏度分析当压阻发生变化时,其输出电压信号的变化为: (1)由该式可求出传感器得灵敏度。在恒压工作情况下,压力传感器的灵敏度(SV)定义为每单位压力变化引起输出信号的相对变化量: (2)假设将电阻布置在薄膜边沿,在350500m的区间,其正交应力之差为250MPa,应用式(2)可求出压力传感器的灵敏度为0.1725mV /V-KPa。222压力敏感芯片的封装设计与工艺设计(1) 机油压力传感器根据项目的技术要求,机油压力传感器需要直接暴露在被测量的机油中,
14、因此,必须采用既能保护芯片又能保证所感受到的压力能够正常传递到敏感芯片上的封装方法。因此对传感器压力敏感芯片采用了气密充油的不锈钢封装(图3所示)。图.3机油压力传感器敏感芯片封装外型采用这种封装的产品可以满足以下几方面的要求:1)机械上是坚固的,抗振动,抗冲击;2)避免热应力对芯片的影响;3)电气上芯片与环境或大地是绝缘的;4)是电磁屏敝的;5)用气密的方式隔离机油;6)低的价格,封装形式与标准制造工艺兼容。机油压力传感器的封装与工艺设计主要包括:隔离膜片的设计、传感器封装结构设计、封装材料设计和封装工艺设计。图4是机油压力传感器的封装设计三维模型图,图5是剖面示意图。 图4 图51) 不锈
15、钢隔离膜片的设计根据产品的技术要求,不锈钢隔离膜片应在测量压力范围内的变形是处在线弹性范围内的。为了提高膜片的变形量,并增加其线性范围,我们选择波纹状作为不锈钢隔离膜片,如图6所示。 图6. 不锈钢波纹片这种波状的薄膜在同样的载荷下既能产生较大的变形,又能增加线性范围。其挠度y与压力P的关系表达式为: (3)其中 , (4)式中q是薄膜波形特征因子,对正弦波型其q为: (5)式中,h膜片的厚度,R膜片的半径,s波形弧长;H波形深度;L波形空间周期。对平的薄膜q1,波形的精确程度对q几乎没有影响,因此矩形波形一般可用正弦波近似。为保证压力传感器波纹片上感受到的压力能正常传递到压力敏感芯片上,需要
16、在波纹片和压力敏感芯片间充注硅油。硅油优良的绝缘性能,又保证了敏感芯片与传感器外壳间的绝缘程度可以满足产品设计的要求。我们应用了小变形理论,导出了充油腔体的体积变化与压力的关系如下: (6)式中V为填充油的体积变化,E为不锈钢膜片的杨氏模量,为泊松比,h为膜片的厚度,a为膜片的半径。若硅油体积不发生变化,即硅油为不可压缩的液体,那么,外界压力将通过硅油无损耗的直接传递到硅膜片上,此时硅膜片将发生变形,因此,能准确的测出外界的压力。为了分析压力通过隔离薄膜的传递规律,我们对这种封装形式的传感器作如下假设,即假设硅油是不可压缩的,不锈钢膜片可看成周边固支的圆形薄膜,则压力通过硅油传递到硅薄膜将不引
17、起任何附加损耗。简化模型如图7所示。 图7.隔离薄膜压力传感器弹性简化模型当外界作用在传感器上的压力为P时,压力通过不锈钢膜片再由硅油传递到硅压力膜片上,若不锈钢膜片的弹性反作用力为Pm,硅的弹性反作用力为PSi,则有 (7)由此,可得: (8)式中Csi、Cm为常数,Dm为硅胶薄膜的刚度系数,可表示为,其中hm为隔离膜厚度,Em为杨氏模量,m为泊松比;Dsi为硅薄膜的刚度系数,可表示为:,其中his为硅薄膜的厚度,ESi为硅的杨氏模量,Si为硅的泊松比。(8)式表明:不锈钢隔离薄膜的半径越大、薄膜厚度越薄,压力越容易通过硅油传递到硅芯片上,压力的传递损失也越小。但硅油在外界压力的作用下总是存
18、在一定的体积变化,从式(6)可以看出,冲油腔体的体积变化越小,压力的变化也越小。因此,应尽量减小充油腔体的体积,减少硅油的充注量,进而减少硅油对压力传递的影响。2)封装结构设计我们设计的封装结构如图4、图5所示。其中壳体内的陶瓷底座主要是为了减小充油腔体的体积,并且为敏感芯片的贴装提供基底。传感器的底层我们选用了用可伐(Kovar)材料制作的TO底座,封装外壳采用不锈钢材料制作。其中,敏感芯片、陶瓷和TO之间用贴片胶进行粘接;敏感芯片通过金丝健合,实现芯片与TO管腿的电连接;TO底座与不锈钢外壳之间用储能焊机焊接;不锈钢波纹片与不锈钢外壳之间用氩弧焊机焊接;壳体内的硅油采用真空灌油工艺进行灌注
19、。3)封装材料设计封装材料选用的合适与否,直接决定了封装后传感器的性能和质量。材料设计工作涉及到力学、电学和传热学等诸多问题。我们在封装材料设计过程中,选用的可伐(Kovar,Fe-Ni-Co)作为TO金属外壳的底座材料。可伐材料都具有很好的热导率和比硅要高的热胀系数,而且可伐材料相对比较便宜。可伐材料热膨胀系数为5.3106/K(40-250),与玻璃焊料的热膨胀系数很接近,容易用玻璃焊料在底座上焊接管腿,且气密性较好。TO底座的实物图如图8所示。 图8. TO底座 图9.陶瓷底座选用陶瓷作为贴片底座和填充材料,主要是为了保证其与硅(敏感芯片底层材料)和可伐材料(TO底座)具有相近的热膨胀系
20、数,以实现三者之间的热匹配,进而减少温度变化对敏感芯片及键合金丝的影响,保证产品的可靠性。陶瓷底座的实物图如图9所示。外壳及波纹片选用不锈钢材料主要是为了增强传感器的抗腐蚀能力。4)封装工艺设计本项目研制的制动气压传感器封装实物图如图10所示。由于气压传感器的接触介质是空气,其抗腐蚀要求相对较低,因此我们采用的是硅凝胶灌封的方式。敏感芯片直接贴装在用可伐材料制作的TO底座上。其封装结构、材料选择和封装工艺都较机油压力传感器简单,其封装设计内容也与机油压力传感器基本相同。针对机油压力传感器的使用环境对敏感芯片的影响,还设计了一套的生产工艺。包括:贴片键合工艺、焊接工艺、波纹片制造工艺、真空灌油工
21、艺、气密性检测工艺等等。经过实际生产验证,这些工艺可以满足产品批量生产的要求。 图10两种封装的主要区别在于合理的选用硅凝胶,主要考虑的因素是能够在汽车使用环境下保证胶的抗腐蚀性能和具有较低的成本。由于硅与可伐材料具有相近的热膨胀系数,因此,将敏感芯片直接贴装在TO底座上,对热匹配没有影响。 图11是气压传感器的封装结构图 图.11223 传感器调理电路的设计 传感器调理电路的主要作用是对敏感芯片的输出信号进行放大,并且对由于传感器使用环境温度变化而导致的传感器零点漂移和灵敏度漂移进行补偿。我们在电路设计上采用了零点补偿与传感器输出整体补偿相配合的方式,较好的解决了传感器的在-40度到125度
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