W25Q64中文资料.doc
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1、W25Q64BV 出版日期:2010年7月8日 - 1 - 版本E 64M位 与串行闪存 双路和四路SPI W25Q64BV - 2 - 目录 1,一般 DESCRIPTION.5 2。 FEATURES.53引脚配置SOIC208-MIL. . 6 4,焊垫配置WSON8X6-MM. .6 5,焊垫配置PDIP300-MIL. .7 6引脚说明SOIC208密耳,PDIP300密耳和WSON8X6-MM. 7. 7引脚配置SOIC300mil的. . 8 8引脚SOIC封装说明 300-MIL.8 8.1包装 Types.9 8.2片选 (/CS).9 8.3串行数据输入,输出和IO(DI,
2、DO和IO0,IO1,IO2,IO3). 9. 8.4写保护 (/WP).9 8.5控股 (/HOLD).9 8.6串行时钟 (CLK).9 9座 DIAGRAM.10 10功能 DESCRIPTION.11 10.1 SPI OPERATIONS.11 10.1.1标准SPI Instructions.11 10.1.2双SPI Instructions.11 10.1.3四路SPI Instructions.11 10.1.4保持功能 .11 10.2写保护 .12 10.2.1写保护 Features.12 11,控制和状态寄存器. .13 11.1状态 REGISTER.13 11.1
3、.1 BUSY.13 11.1.2写使能锁存 (WEL).13 11.1.3块保护位(BP2,BP1,BP0). .13 11.1.4顶/底块保护(TB). . .13 11.1.5部门/块保护 (SEC).13 11.1.6状态寄存器保护(SRP,SRP0). .1411.1.7四路启用 (QE).14 11.1.8状态寄存器内存保护. .16 11.2 INSTRUCTIONS.17 11.2.1制造商和设备标识. .17 11.2.2指令集表 1.18 W25Q64BV 11.2.3指令表2(阅读说明书). .19 出版日期:2010年7月8日 - 3 - 修订版E 11.2.4写使能
4、(06h).20 11.2.5写禁止 (04h).20 11.2.6读状态寄存器1(05H)和读状态寄存器2(35H). .21 11.2.7写状态寄存器(01H). . .22 11.2.8读取数据 (03h).2311.2.9快速阅读 (0Bh).24 11.2.10快速读双输出(3BH). . 0.25 11.2.11快速读四路输出(6BH). . 26 11.2.12快速读双I / O (BBh).27 11.2.13快速读取四I/ O (EBh).29 11.2.14八进制字读取四I/ O(E3H). .31 11.2.15页编程 (02h).33 11.2.16四路输入页编程(32
5、H). .34 11.2.17扇区擦除(20H) .35 11.2.1832KB的块擦除(52H) .36 11.2.1964KB的块擦除 (D8h).37 20年2月11日芯片擦除(C7H/ 60h).38 21年2月11日擦除挂起 (75h).39 22年2月11日擦除恢复 (7Ah).40 23年11月2日掉电 (B9h).4124年2月11日高性能模式(A3H). .42 25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID(ABH).42 26年2月11日读制造商/设备ID(90H). .44 27年2月11日阅读唯一的ID号(4BH). .45 28年2月11日读JEDEC的ID (9F
6、h).46 29年2月11日连续读取模式复位(FFH或FFFFH). .47 12,电气特性. .48 12.1绝对最大 Ratings.48 12.2操作范围 .48 12.3上电时序和写抑制阈值. .49 12.4直流电气 Characteristics.50 12.5 AC测量条件. .51 12.6 AC电气 Characteristics.52 12.7 AC电气特性(续). .53 12.8串行输出 Timing.54 12.9输入 Timing.54 12.10持有 Timing.5413包装 SPECIFICATION.55W25Q64BV 13.18引脚SOIC208密耳(包
7、装代号SS). .55 - 4 - 13.28引脚PDIP300密耳(封装代码DA). .56 13.38触点WSON8x6毫米(封装代码ZE). .57 13.416引脚SOIC300密耳(封装代码SF). .58 14订货 INFORMATION.59 14.1有效的部件号和顶端标记. .60 15版本 HISTORY.61 W25Q64BV 出版日期:2010年7月8日 - 5 - 修订版E 1概述 该W25Q64BV(64M位)串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案 空间,引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超过普通的串行 闪存器件。他们是理想的阴影到RAM中的代码
8、,直接从双路/四路SPI执行代码 (XIP)和存储的语音,文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源工作 电流消耗低至4毫安主动和1A的关机。所有器件均提供节省空间 保存包。 该W25Q64BV阵列是由每256字节可编程32,768页。最多256个字节 可以在一个时间被编程。网页可以在16(扇区擦除)组,128组(32KB被删除 块擦除),256(64KB块擦除组)或整个芯片(芯片擦除)。该W25Q64BV有2,048 可擦除扇区和128可擦除块分别。小4KB扇区允许更大的灵活性 在需要的数据和参数的存储的应用程序。 (见图2) 该W25Q64BV支持标准串行外设接口(SPI)和一个高性能
9、双核/四输出以及双/四I/ O SPI:串行时钟,片选,串行数据I / O0(DI),I / O1 (DO)的I / O 2(/ WP)和I/ O 3(/ HOLD)。高达80MHz的SPI时钟频率被支持,允许 160MHz的等效时钟频率为使用快速时双输出和320MHz的为四路输出 读双核/四输出指令。这些传输率可以超越标准的异步8 16位并行Flash存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问 尽可能少的8个时钟的指令开销读取24位地址,允许真正的XIP(执行到位) 操作。 一抱脚,写保护引脚和可编程写保护,与顶部或底部阵列控制, 提供进一步的控制灵活性。此外,该器件支持JEDEC标准的制造商
10、和 设备标识与64位唯一序列号。 2,特点 家庭SpiFlash的回忆 - W25Q64BV:64M比特/8M字节(8,388,608) - 每可编程页256字节 标准,双路或四路SPI - 标准的SPI:CLK,/ CS,DI,DO,/ WP,/保持 - 双SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1/ WP,/保持 - 四通道SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,IO2,IO3 最高性能的串行闪存 - 截至普通串行闪存的6倍 - 80MHz的时钟运行 - 160MHz的等效双SPI - 320MHz的相当于四SPI - 40MB/ S的连续数据传输率 高效“连续读取模式”- 低开销指令 -
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