存储设备.ppt
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1、第4章 存储设备,存储器可分为主存储器(Main Memory,简称主存)和辅助存储器(Auxiliary Memory,简称辅存)。主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质(软盘、硬盘、磁带)或光盘,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息。,4.1 内存,4.1.1 内存的分类 内存泛指计算机系统中存放数据与指令的半导体存储单元。它包括RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory,只读存储器)、Cache(高速缓冲存储器)等。因为RAM是其中最主要的存储器,整个计算机系统的内存容
2、量主要由它的容量决定,所以人们习惯将RAM直接称为内存,而后两种,则仍称为ROM和Cache。,1.只读存储器ROM 只读存储器ROM是计算机厂商用特殊的装置把内容写在芯片中,只能读取,不能随意改变内容的一种存储器,一般用于存放固定的程序,如BIOS,ROM中的内容不会因为掉电而丢失。ROM又分为一次写ROM和可改写ROMEPROM(Erasable Programmable ROM)。ROM中的信息只能被读出,而不能被操作者修改或删除。与一般的ROM相比,EPROM可以用特殊的装置擦除和重写它的内容。,EPROM:EPROM芯片上有一个透明窗口,用特殊的装置向芯片写完毕后,用不透明的标签贴住
3、。如果要擦除EPROM中的内容,揭掉标签,用紫外线照射EPROM的窗口,EPROM中的内容就会丢失。EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电擦除可编程只读存储器):它与EPROM非常相似,EEPROM中的信息也同样可以被抹去,也同样可以写入新的数据。EEPROM可以用电来对其进行擦写,而不需要紫外线。闪速存储器Flash Memory 主要特点是在不加电的情况下能长期保存存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写,功耗很小。由于Flash Memory的
4、独特优点,可以将BIOS存储在其中,使得BIOS升级非常方便。,2随机存储器RAM RAM就是平常所说的内存,系统运行时,将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、光盘等)调入内存中,CPU再从内存中读取指令或数据进行运算,并将运算结果存入内存中。RAM的存储单元根据具体需要可以读出,也可以写入或改写。RAM只能用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的数据就会丢失。根据其制造原理不同,现在的RAM多为MOS型半导体电路,它分为静态和动态两种。,静态RAM(SRAM)SRAM(Static RAM)的一个存储单元的基本结构是一个双稳态电路,由于读、写的转换由写电路控制,所以只要写电路
5、不工作,电路有电,开关就保持现状,不需要刷新,因此SRAM又叫静态RAM,由于这里的开关实际上是由晶体管代替,而晶体管的转换时间一般都小于20 ns,所以SRAM的读写速度很快,一般比DRAM快出23倍。微机的外部高速缓存(External Cache)就是SRAM。但是,这种开关电路需要的元件较多,在实际生产时一个存储单元需要4个晶体管和2个电阻组成,这样一方面降低了SRAM的集成度,另一方面也增加了生产成本。,动态RAM(DRAM)DRAM(Dynamic RAM)就是通常所说的内存,它是针对静态RAM(SRAM)来说的。SRAM中存储的数据,只要不断电就不会丢失,也不需要进行刷新。而DR
6、AM中存储的数据是需要不断地进行刷新的。因为一个DRAM单元由一个晶体管和一个小电容组成。晶体管通过小电容的电压来保持断开、接通的状态,当小电容有电时,晶体管接通表示1;当小电容没电时,晶体管断开表示0。但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失,所以需要不断地进行“刷新”。,所谓刷新,就是给DRAM的存储单元充电。在存储单元刷新的过程中,程序不能访问它们,在本次访问后,下次访问前,存储单元又必须进行刷新。所谓内存具有多少纳秒(ns),就是指它的刷新时间。由于电容的充、放电需要时间,所以DRAM的读写时间远远慢于SRAM,其平均读写时间在60-120ns,但由于它结构简单,所用的晶体管数仅是SRA
7、M的四分之一,实际生产时集成度很高,成本也大大低于SRAM,所以DRAM的价格也低于SRAM,适合作大容量存储器。所以主内存通常采用动态DRAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用SRAM。内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。,4.1.2 内存的单位和主要性能指标,1.内存的单位:存储器是具有“记忆”功能的设备,它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”,这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯、半导体触发器、MOS电路或电容器等。位(bit)是二进制数的最基本单位,也是存储器存储信息的最小单位,8位二进制数称为一个字
8、节(Byte),可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word),字长等于运算器的位数。若干个记忆单元组成一个存储单元,大量的存储单元的集合组成一个存储体(Memory Bank)。为了区分存储体内的存储单元,必须将它们逐一进行编号,称为地址。地址与存储单元之间一一对应,且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。,位(bit)位(bit,常用b表示)是二进制数的最基本单位,也是存储器存储信息的最小单位。如十进制中的14在计算机中就是用1110来表示,1110中的一个0或一个1就是一个比特。字节(Byte)8位二进制数称为一个字节(B),内存容量即是指具有多少字
9、节,字节是微机中最常用的单位。一个字节等于8个比特,即1B=8b。存储器可以容纳的二进制信息量称为存储量。在微机中,凡是涉及到数据量的多少时,用的单位都是字节,内存也不例外。不过在数量级方面与普通的计算方法有所不同,1024字节为1KB,而不是通常的1000为1K,1024KB为1MB,更高数量级用1GB=1024MB表示。目前而言,一般微机的内存大小都以“MB”(有时也省略B)作为基本的计数单位。,内存的单位换算 微机的内存容量都很大,一般都以千字节、百万字节、十亿字节或更大的单位来表示。常用的内存单位及其换算如下:千字节(KB,Kilo Byte):1KB=1024B百万字节(MB,Meg
10、a Byte):1MB=1024KB十亿字节(GB,Giga Byte):1GB=1024MB兆兆字节(TB,Tera Byte):1TB=1024GB 各个单位的关系如下:1TB=1024GB=10241024MB=102410241024KB=1024102410241024B=10241024102410248bit,2.内存的主要性能指标:,存取周期 内存的速度用存取周期来表示。单位为ns,这个时间越短,速度就越快,也就标志着内存的性能越高。内存的速度一般为6ns、7ns、8ns、10ns。数据宽度和带宽 内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数,以位(bit)为单位。内存带宽指内存的
11、数据传输速率。,容量 每个时期内存条的容量都分为多种规格,比如早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量,后来72线的EDO内存有4MB、8MB、16MB等容量,目前流行的168线内存常见的内存容量有128MB、256MB、512MB。内存电压 早期的FPM内存和EDO内存均使用5V电压,而SDRAM使用3.3V电压,DDR SDRAM和RDRAM使用2.5 V电压。DDR内存工作电压从DDR的2.5V降到1.8V。,内存的“线”数 就是指内存条与主板插接时有多少个接触点,这些接触点就是“金手指”,有30线、72线和168线。30线内存条的数据宽度为8bit;72线内存条的数据宽度为
12、32bit;168线内存条的数据宽度为64bit。一般主板的存储器安装插座分为几个组(BANK),每个组中有2-4个存储器安装插座,可安装2-4个存储器条。286和386SX及486SLC类CPU只有16位数据线,因此,使用30线的内存条时,由于每条可以提供8位有效数据,所以系统主板的存储器条安装数据量通常为2的倍数。386DX和486DX微处理器有32位数据线,一次要存取32位数据,则用30线内存条时,需要安装4的倍数;如果主板上安装的是72线的内存条插座,由于72线的内存条一次就可以提供32位有效数据,所以只安装一条也能正常工作。,SPD SPD(Serial Presence Detec
13、t)是1个8针的EEPROM芯片,容量为256字节,里面主要保存了该内存条的相关资料,如容量、芯片的厂商、内存模组的厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数,使之以最佳状态工作,更好地确保系统的稳定。,时钟频率f、时钟周期TCK 时钟频率代表了DRAM所能稳定运行的最大频率,支持时钟频率越高的内存,其性能也越出众。对于SDRAM而言,可分为PC66、PC100、PC133规范,分别表示可在66-133MHz的时钟频率下稳定运行。DDR内存的基准时钟频率为200MHz、266MHz,333
14、MHz、400 MHz、533 MHz。RDRAM基准时钟频率为600MHz、700MHz和800MHz。内存的时钟周期TCK由时钟频率决定,TCK=1/f,例如对于100MHz的系统来说,一个系统时钟周期为10ns。,CAS的延迟时间 CL CAS的延迟时间是指纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存重要标志之一,用CAS Latency(CL)指标来衡量。SDRAM能够运行在CAS反应时间CL=2或3模式,也就是说它们读取数据所延迟的时间既可以是两个时钟周期,也可以是三个时钟周期。我们可以把这个性能写入SDRAM的EEPROM中,这样PC的BIOS会检查此项内容,并且
15、以CL=2模式这一较快的速度运行。存取时间、CAS反应时间等性能指标是互相制约的。换句话说,当你有较快的存取时间,你就必须牺牲CAS反应时间的性能。因此,评估和比较SDRAM的性能时,我们必须综合考虑以上指标,不能仅从芯片上所刻的6、7、8或10来评价。,下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。对于100MHz的系统来说,一个系统时钟周期为10ns。粗略计算一下:读取数据的总延迟时间=CAS 延迟 存取时间。例如:现代PC100 SDRAM,存取时间为8ns,CL=2 模式。因此,总的延迟时间为2周期存取时间=210ns8ns=28 ns 如果SDRAM运行在CL=3模式下,存取时间为6ns。
16、这样,总的时间延迟为=310ns6ns=36ns 显然,当SDRAM运行在CL=2模式下,其速度确实快于CL=3模式。,ECC ECC(Error Checking and Correcting)功能,指内存具备错误修正码的功能。它使得内存在传输数据的同时,在每笔资料上增加一个检查位元,以确保资料的正确性,若有错误发生,还可以将它加以修正并继续传输,这样不至于因为错误而中断。奇偶校验(Parity)非奇偶校验内存的每个字节只有8位,若它的某一位存储了错误的值,就会使其中存储的数据发生改变而导致应用程序发生错误。而奇偶校验内存在每一字节(8位)外又额外增加了一位作为错误检测之用。那些Parity
17、检测到错误的地方,ECC可以纠正错误。,内存的封装BLP:(Bottom Leaded Plastic底部引出塑封技术),其芯片面积与封装面积之比大于1:1.1,符合CSP(Chip Size Package)封装规范。不仅高度和面积极小,而且电气特性得到了进一步的提高。相比之下,这种封装技术的制造成本也并不算高,它广泛应用于SDRAM、RDRAM、DDR等内存制造上。uBGA:(Micro Ball Grid Array微型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比大于1:1.14,尤其适合工作于高频状态下的RDRAM,但制造成本极高昂,目前主要用于RDRAM。TinyBGA:(Tiny BA
18、LL Grid Array小型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,是KingMax的专利,属于BGA封装技术的一个分支。KingMax采用这种封装形式。TOSP II:(Thin Small Outline Package薄型小尺寸封装),目前广泛应用于SDRAM内存的制造上,但是随着时间的推移和技术的进步,TOSP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。目前市场上的内存产品中,GL2000千禧条、HY等内存采用这种封装方式。,4.1.3主流内存,486和早期Pentium时代普遍使用的内存是FPM(Fast Page Mode RAM,快速页面模式随机存取存储器
19、),它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据,72线、5V电压、32bit数据宽度,速度基本都在60ns以上。后来使用EDO(Extended Data Out RAM,扩展数据输出随机存取存储器)内存,EDO内存每隔两个时钟脉冲周期传输一次数据,大大地缩短了存取时间,使存取速度提高30%。EDO内存有72线和168线之分,速度达到60ns。EDO内存多用于早期的Pentium主板上。现在市场上用于个人电脑的内存主要有三大类,一种是SDRAM,一种是目前主流的DDR内存,还有一种是RDRAM。这三种内存都是DRAM。,1 SDRAM SDRAM(Synchronous DRAM 同步动态随机存储器)
20、是现在常见的内存之一。SDRAM如其名字所示,它是同步的,也就是其工作速度与系统总线速度是同步的。SDRAM内存是根据其性能来进行标称的,比如PC100和PC133就是依据SDRAM内存的运行频率来进行划分的。现在内存运行的频率都比较快,单位都是MHz(兆赫兹)。SDRAM的主流规范是PC133,也就是说这是运行在133 MHz的SDRAM。我们简单地计算一下,133MHz就意味着每秒运行133百万次,那么每次的运行时间就是差不多7.5纳秒。这里的7.5纳秒就是内存的一个时钟周期,在内存里面操作花费的时间都是时钟周期的整数倍,加快内存的时钟频率也就是缩短了内存的时钟周期,比如平时需要两个周期才
21、能完成的工作,现在虽然还是要两个时钟周期,但由于内存时钟频率的加快,所花费的时间就少了很多了,我们直接能感受到的就是计算机的运行速度变快了。,2 DDR SDRAM DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。看名字就知道DDR其实也是SDRAM的一种。DDR内存采用了双时钟差分信号等技术,使其在单个时钟周期内的上、下沿都能进行数据传输,所以具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。可以通过内存条的金手指的“缺口”进行辨别,DDR只有一个缺口,而SDRAM有两个缺口。,DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、13
22、3MHz、166MHz、200MHz四种,由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性,因此在DDR内存的标识上采用了工作频率2的方法,也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400。DDR内存的标称还可以用其带宽来表示。内存带宽严格地说应该分为内存理论带宽和内存实际带宽这两种,这里讨论的是内存的理论带宽,它的计算公式是:内存带宽内存运行频率8Byte(64bit)。那么DDR266的内存就可以换算为2668Byte2128MB/s,所以DDR266通常也被称为PC2100,同理DDR200是PC1600,而DDR333是PC2700。用内存的带宽来表示比用运行频率表示更能体现内存的
23、性能,但是这里提及的都是理论带宽。,3 RDRAM RDRAM 存储器总线式动态随机存取存储器,也就是Rambus内存。RDRAM的运行频率比SDRAM和DDR要高了许多,从300MHz、600MHz、800MHz到10660MHz。因为其比较高的工作频率发热量自然不会小,因此RDRAM内存表面都贴上金属散热片。如图4-3所示,这就是我们在市场上常看到的RDRAM的样子。,RDRAM常见的型号是PC600、PC700、PC800三种,RDRAM可以像DDR一样在时钟信号的上下沿都可以传输信息,但其数据通道接口带宽较低,只有16位。RDRAM和SDRAM、DDR相比最大优势在于可以提供更大的内存
24、带宽。这里以PC800为例,它的实际运行频率为400MHz,而内存带宽为8002Byte1.6GB/s。现在RDRAM还支持双通道技术,也就是说我们可以用两根同等容量和速度的RDRAM配对使用,形成双通道架构,这样双通道的PC800 RDRAM的带宽就成了3.2GB/s了,这也是在Intel 850主板上RDRAM内存需要两条RDRAM内存同时使用的原因。RDRAM因为其高频率可以获得更大的带宽,但它还是有它不足的地方。和SDRAM、DDR相比,RDRAM比较大的延迟又在很大程度上削弱了它的优势。所以在需要大量数据传输的场合,RDRAM因为其带宽的优势,其性能更为优越;而在普通应用场合,因为零
25、散数据比较多,潜伏周期较短的DDR SDRAM性能则占上风。,4.1.4 选购内存,明确用途品牌与市场 认清标识、鉴别质量、防止假冒伪劣 注意保护,4.2 硬盘,4.2.1 硬盘的分类 微型计算机的硬盘可按盘径尺寸和接口类型进行分类 1 按盘径尺寸分类 硬盘产品按内部盘片分有:5.25、3.5、2.5和1.8英寸,后两种常用于笔记本及部分袖珍精密仪器中,目前台式机中使用最为广泛的是3.5英寸的硬盘。,2 按接口类型进行分类 硬盘与微机之间的数据接口,常用的为三大类:SCSI接口、IDE接口和Serial ATA接口硬盘。(1)IDE接口硬盘 IDE(Integrated Drive Elect
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