硅铁合金生产工艺.ppt
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1、硅铁合金生产工艺,目录,一.硅铁合金的物理性质二.硅铁冶炼的原材料三.硅铁冶炼的基本原理四.硅铁冶炼工艺操作五.硅铁合金物料计算,纯硅呈钢灰色,有金属光泽的晶体物质,质硬而脆,属于非金属。硅的原子量28.08,密度2300kg/m3,熔点1683K;铁具有银白色金属光泽,有良好的延展性、导电、导热性、密度为7.86kg/cm3,熔点1435K。硅与铁能按任意比例互溶,可以生成FeSi2、FeSi、Fe5Si3、Fe2Si等硅化物,其中以FeSi最稳定,熔点为1683K,融化时不分解,能以FeSi新式存在与液态合金中,其余的硅化物当加热时在固态即分解。硅铁是铁和硅组成的铁合金。硅铁的熔点随含硅量
2、增加而升高,标准硅铁的熔点低于1634K。硅与铁的合金容易产生偏析,合金锭上部和下部的含硅量之差达20%以上。合金锭厚度越大,冷却时间越长,则偏析也越严重。因此,通常要求硅铁锭的洗铸厚度不能大于100mm。,硅铁合金的物理性质,硅铁产品会粉化,这是由于有相和磷、铝、钙等杂志的硅铁在潮湿的大气存放会造成粉化,并放出有毒气体PH3和AsH3。硅铁合金是用于炼钢的脱氧剂和合金添加剂,也是用于铸造的孕育剂。硅铁的牌号和化学成分:国标GB2272-87。,硅铁合金的物理性质,硅铁冶炼原材料,硅石硅石中SiO2含量要求大于98%。硅石中杂质含量要低。硅石中杂质主要指AI2O3、MgO、CaO、P2O5、这
3、些杂质都是成渣物质,不利于硅铁生产的顺行。因此,为确保产品质量和生产顺行,要求硅石中AI2O3含量必须小于0.5%,MgO和CaO含量之和小于1%。硅石要有良好的抗爆性能。硅石在升温过程中,因晶体型转变大及失水,可能出现碎裂,将严重恶化料面的透气性。硅石入炉时要有一定的粒度。硅石粒度过小,会含有较多杂质,也会严重影响面料的透气性;硅石粒度过大,易造成炉料分层,延缓炉料的溶化和还原反应速度。一般要求12500kv.A矿热炉中入炉硅石粒度为80-120mm。,碳质还原剂(主要介绍焦炭)焦炭中固定碳含量大于82%。灰分(A)要低,一般要求小于8%。焦炭中灰分过高,易使炉内面料渣化烧结,影响面料透气性
4、。焦炭中的灰分或是炉内渣量增加,是炉渣变粘的重要原因。挥发份(V)6-12%。挥发份高的焦炭,一般来说机械强度低,同时在加热过程中,挥发份易于外逸,从保证焦炭有高的固定碳和机械强度角度考虑,应要求焦炭的挥发份低一些。但考虑到挥发份高的焦炭,其比电阻通常都高。因此挥发份一般不予限制。水分要低。焦炭中水分含量的波动是造成炉况波动和恶化的重要原因,为此要求焦炭中的水分要稳定,且水分小于8%为宜。,硅铁冶炼原材料,比电阻要高反应能力要强。比电阻:在冶炼过程中,炉内保持有足够大的高温区是炉况顺行和取得良好技术指标的重要条件。而炉内高温区的大小,在很大程度上取决于电极的插入深度。炉料电阻,特别是焦炭的比电
5、阻是影响电极插入深度的一个重要原因。比电阻大,电极插入的深而稳,由此可扩大坩埚区,热损失小。焦炭的比电阻主要和自身结构和种类有关,一般来说焦炭的粒度小,比电阻大;粒度大,比电阻小。粒度组成合适。焦炭的粒度组成是影响炉料比电阻和透气性的重要因素。粒度大的焦炭比电阻小,反应表面小,还原能力较低,加入炉内说炉料的导电性强,电极下插困难,热损失增加;粒度小的焦炭比电阻大,反应表面大,加入炉内时有利于电极深插,也有利于还原反应进行。但是,粒度过小的焦炭入炉时,易使料面烧结透气性变坏,烧损严重。因此,一般要求12500kv.A矿热炉中焦炭粒度要求3-15mm。,硅铁冶炼原材料,机械强度要高。焦炭机械强度低
6、,不但导致破碎损失大,使产品成本增加,而且入炉后会继续碎裂,影响料面的透气性。铁质材料。生产硅铁时,含铁料是硅铁成分的调节剂,含铁料有促进SiO2被还原的作用。要求球团含铁量要大于60%;钢屑必须是纯碳素钢屑,不能夹杂外来杂物,含铁量应大于95%。,硅铁冶炼原材料,布袋除尘料仓,加密,硅微粉,发往用户,产品检验,入库,铁质材料,兰炭,硅石,出铁,矿热炉熔炼,预除尘和风机,加工包装,硅铁冶炼的基本原理,用焦炭中的碳还原硅石中的Si的基本反应。实际生产过程中,采用矿热炉内的高温条件,以焦炭中的碳夺取SiO2中的氧,生成气态的CO通过料层从炉口逸出把硅还原出来。反应式如下:SiO2+2C=Si+2C
7、O(1-1)本式是吸热反应。提高炉温可以加速反应的进行。反应的理论开始还原温度为1663,即当温度达到1663时1-1反应才开始进行。Fe有促进SiO2还原的作用:在有铁存在的条件下,1-1式还原出来的硅与铁按下式反应生成硅化铁。Fe+Si=FeSi(1-2)生成硅化铁的反应式放热反应,因为铁能降低SiO2还原反应的理论开始反应温度,并改善SiO2的还原条件,所以Fe有促进SiO2还原的作用。冶炼的硅铁含硅越低,SiO2被还原的理论开始温度也就越低。也就是说硅铁的牌号越低,理论开始还原温度就越低。相反,生产过程中硅含量越高,开始还原的温度就越高,还原单位硅消耗的热量增加,电耗升高。,SiO2被
8、还原的顺序是:SiO2SiOSi(从高价氧化物向低价还原),随着开始还原温度的升高,SiO在高温下是气态,温度升高使其获得的动能增大,特别是刺火严重时,挥发量很大,造成的材料消耗能耗增大。产品增加1%的含硅量,每吨产品多还原10kg硅,不但还原需要的能量增加了,而且由于开始还原温度提高,加大了与外界的温度梯度,增加了散热损失。理论表明,硅标号每上升1%,理论冶炼的电耗升高约100kw.h/吨。在1700以上温度时,大部分SiO挥发到焦炭气孔中,广泛的和碳接触并作用,按SiO+C=Si+CO反应还原成硅,其中大部分硅与铁形成硅铁,少部分的硅在高温区与SiO2作用,按SiO2+Si=2SiO反应生
9、成SiO,然后SiO又和碳进行反应生成Si,结果反映连续不断进行。由此可知SiO不但是中间产物,同时它可促进反映加速进行。,硅铁冶炼的基本原理,在较低温度下,焦炭加入过量时,SiO2还原反应生成中间产物SiC,生成的SiC在有铁存在时,可以在较低温度下被铁破坏,生成硅化铁。在高温下,SiC则与SiO作用破坏,生成Si,反应式如下:2SiC+SiO2=3Si+2CO SiC+SiO=2Si+CO Fe+Si=FeSi FeSi沉积于熔池中,反映连续不断的进行下去。因此,SiC促进还原反应的加速进行。综述,硅石中的SiO2用碳还原生成硅铁,要按以下两条路线,一条是先生成中间产物SiO,然后再被C还
10、原生成Si,Si和铁结合生成硅铁;另一条是先生成中间产物SiC,SiC被铁破坏直接生成FeSi,或者是SiC被SiO2或SiO破坏,生成硅,硅和铁结合生成硅铁。,硅铁冶炼的基本原理,实践证明,在熔炼硅铁的条件下,炉料中P2O5和FeO的还原进行相当完全,AI2O3和CaO约有40-50%被还原进入合金中,其余未还原氧化物则组成炉渣。硅铁虽然是无溶剂法、无渣冶炼法,但未被还原的氧化物多少都会形成炉渣,一般渣量多少是合金量的3-5%,炉渣的成分为AI2O3(45%-62%)、SiO2(23%-46%)、CaO(9%-18%)。渣量增加除增加冶炼电耗外、还由于熔点高(1773k-1973k)、黏度大
11、,易使炉底上涨,炉况恶化,同时炉渣与硅铁密度接近,生产时渣铁不易分开,易使硅铁中含渣,因此应尽量使用纯净的炉料以减少炉渣量。,硅铁冶炼的基本原理,不正常炉况的形成和影响因素 若硅铁电炉的主要反应能够顺利进行,则硅铁炉料就能以正常速度下沉,炉况就处于正常状态;若硅铁冶炼的某些因素发生变化,如原材料发生变化、电压波动、设备故障停炉等影响,会使硅铁冶炼的某一环节的主要反应异常,次要反应或副反应发展,导致炉料下沉减慢,炉内积渣,冶炼操作困难等状况,恶化生产技术指标。主要反应异常的情形有如下几种:SiC的生成反应 由于SiC的生成反应在很低的温度下 G0就已成负值,而且焦炭对SiOCO的吸附作用很强以及
12、SiO2的熔化度使SiC的生成条件大大改善。因此炉料中的焦炭在进入坩埚之前就已被生成SiC的反应所消耗掉,当炉料亏炭时生成的SiC减少,使进入坩埚区的SiC少,SiO2多。当炉料多炭时生成大量的SiC,使进入坩埚区的SiC过多,SiO2过少。,硅铁冶炼的基本原理,SiC的破解反应当进入坩埚区SiC过多SiO2过少时,则SiC的破解反应不完全,产生的Si少,生产率降低。由于炉渣中含SiC高而使炉渣变稠,几乎不能排泄,使大量的SiC积存炉底,产生炉底上涨,坩埚缩小,电极上抬并进入而塌料频繁,坩埚间和到出铁口通道阻塞。当进入坩埚内SiC减少,SiO2增多时,使内SiC的破解反应朝生成SiO的反应方向
13、发展,使炉内Psio过大,且炉渣含SiO2升高,渣量增加。当坩埚区温度降低时,即使进入坩埚内SiC和SiO2比例正常,SiC的破解反应也因此不能充分进行,造成坩埚区被半成品(即SiC和SiO2)充填而缩小,炉内反应减少,炉料下沉减慢,烧结区扩展并使上层炉料严重板结。当坩埚区缩小后电弧区温度升高产生较多的SiO,PSIO增大。若炉内因亏炭而积存大量的SiO2使坩埚缩小,此时若补充焦炭由于电极上抬,坩埚区温度降低,SiC的破解反应减弱,会有焦炭下不到底的现象。若电炉热停路频繁或电压低输入坩埚内的功率减小时,坩埚区温度降低,也有炉底亏炭的假象。,硅铁冶炼的基本原理,SiO的捕集反应 SiO的捕集反应
14、主要指SiO的歧化反应和SiO转化为SiC的反应。若料层太薄,或料面温度过高,或刺火塌料频繁,使SiO的捕集反应减少没,造成大量SiO损失和热量损失,使电炉生产率降低,消耗增加。若炉内产生过多的SiO,由于初期SiO在预热层大量捕集,过多的SiO的歧化等反应放出大量热量,使料面温度升高炉料比电阻减小,形成的SiO2与SiC的半熔状物,造成炉料透气通道被堵塞,当此处长久得不到炉气的预热温度降低形成炉料板结并由外向里发展,此种情况若未及时处理,则SiO2随后在坩埚区边缘逐渐聚集使坩埚缩小,由于炉渣含SiO2较高,炉渣粘稠不易排出造成炉内积渣并进而炉底上涨,坩埚继续缩小,最终会使坩埚分隔不通,炉况严
15、重恶化。过多的SiO从坩埚区逸出不但带走坩埚区大量的热量,而且减少了坩埚区Si的生成,降低了电炉生产率。,硅铁冶炼的基本原理,主导硅铁冶炼反应的应是SiC的破解反应,一般炉况变化发生在SiC的破解反应受阻,次反应或副反应发展时,进而产生炉内积渣,坩埚收缩,电极上抬等一系列炉况变化。产生不正常炉况的影响因素焦炭用量的影响由于焦炭水分、固定碳含量的变化,造成焦炭配入量的不准。当焦炭过多时,电极上抬,坩埚温度降低,进入坩埚的SiC多、SiO2少,使SiC的破解反应不完全,造成坩埚内积存SiC后坩埚缩小;当焦炭过少时,进入坩埚内SiC少、SiO2多,使SiO2不能充分还原,渣量增加,PSIO增大。,硅
16、铁冶炼的基本原理,电压的影响当系统电压波动时会对炉况产生影响。当电压过高时,电极上抬,坩埚温度降低,SiC的破解反应减弱,使坩埚内积存SiC和SiO2,造成坩埚缩小;当电压过低时,输入坩埚内的功率减小,破解SiC的反应区域减小,生成SiC的区域增大,炉料运行减慢,是SiC形成粗大晶粒增加了破解难度。极心圆的影响极心圆直径大小不合理会对炉况产生影响。极心圆过大时热量不集中,渣铁排不净,造成电极上抬,使坩埚区温度降低,SiC的破解反应减弱,渣量增加;极心圆过小集中,炉心化料快并使SiO2气化增多,硅的挥发损失增加,由于坩埚区小且电极上抬坩埚区温度降低,因此SiC的破解反应减少,生产率降低,电耗损升
17、高。,硅铁冶炼的基本原理,硅石的影响硅石性能的变化,质量的降低会对炉况产生影响。硅石杂质含量高,渣化快,强度和抗爆性能差,粒度大小不均匀,使硅石过早熔化,炉料透气性变差,因此SiC生成快,SiO捕集差。由于化料速度大于还原速度,以及炉料比电阻降低,使电极上抬,因此坩埚温度降低,SiC的破解反应减弱,渣量增加。硅石大小不均,使炉料中形成SiC和SiO2不均匀,影响SiC破解和SiO2的还原,渣量增加并使PSIO增大。操作的影响冶炼操作主要是围绕电极深插,炉料透气良好,扩大坩埚进行。若操作中不当使电极上抬,坩埚温度降低,SiC的破解反应减弱;或炉料透气差,使CO排出困难,炉内反应减慢,并且不利于S
18、iO捕集反应。,硅铁冶炼的基本原理,热停炉的影响热停炉后坩埚区温度降低,SiC的破解反应停止,未及时破解的SiC转变为致密的粗大晶粒,使其破解难度增加,同时也会因电极的上下移动而使生料落入坩埚内,造成渣量增加,坩埚缩小。炉况的维护 一般坩埚区温度高低决定坩埚大小,料面透气范围的大小是坩埚大小的表现,所以在炉况的维护时要求:电极深插稳插料面透气性好,火焰区宽大均匀。因为电极深插,坩埚区温度提高,使SiC的破解反应区增大,SiC的破解反应加快;炉料透气性好,以利于SiO捕集和热量的利用,也有利于扩大坩埚提高炉内还原反应速度,降低消耗,因此冶炼操作主要是围绕这两点进行,以保证炉况的稳定良好。,硅铁冶
19、炼的基本原理,正确判断炉况 要维护好炉况首先必须正确对炉况作出判断,以利于正确操作和及时处理。炉况正常时表现为:电极深而稳,坩埚大,炉料透气均匀,火焰区宽大,炉料沉料正常,还原反应快,出炉时间短,铁水温度高,产量质量正常,消耗低等。当炉况不正常时表现为:若初期电极起伏,炉料透气性还好,坩埚还较大,但随后电极位置高,塌料增多,坩埚缩小,铁水温度低等,应与焦炭用量偏多,粒度过大,电压偏高等有关。若初期电极深插,用不足负荷(或电流波动),随后炉料透气性差,变粘,料面出现较多的SiO燃料产生的白烟,刺火增多坩埚收缩,渣量增加并逐渐积渣,使电极位置上移等,应与焦炭用量不足出现亏炭有关。,硅铁冶炼的基本原
20、理,若初期电极深插,负荷不足,反应减弱,沉料减慢,火焰软弱无力,随后炉心透气差(或炉心不走料),坩埚区缩小等,应与电压偏低有关。若初期电极深插,炉内反应正常,但炉心透气差(或炉心不走料),出炉不倒表,铁水流不尽,出现三相坩埚不通,随后电极位置高难以下插等,应与极心圆过大有关。若电压起伏大,炉内反映正常,但炉心化料快,坩埚较小,SiO挥发损失增加,电耗高等到,应与极心圆过小有关。若料面易烧结,收火快,出炉渣量多,为此用炭量一般呈上限,因此电极难以深插稳插,坩埚难以扩大。这应与硅石质量较差,如杂质多,强度低,抗爆性能差,硅石粒度大小不均等,使硅石出现较早地熔化有关。,硅铁冶炼的基本原理,不正常炉况
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