光电子材料激光及光纤.ppt
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1、,光电子材料,一、激光器的诞生,19世纪的科学家们进行了关于电磁波的卓越的研究,1905年爱因斯坦提出了光量子和光电效应的概念,揭示了辐射的波粒二象性,1916年爱因斯坦提出了受激辐射的概念,1900年普朗克引入的能量量子的概念,基础性、探索性研究,激光器的诞生,激光走向新技术的开发和工程应用阶段,1954年研制成第一台微波激射器,1958年美国的汤斯和苏联的巴索夫及普罗霍洛夫等人提出了激光的概念和理论设计,1960年美国的梅曼研制成功第一台红宝石激光器;贾万等人研制成氦氖激光器。,我国的第一台激光器于1961年在长春光机所创制成功,激光技术,原理:利用受激辐射放大电磁波,可在紫外线、可见光、
2、红外谱区 极窄的频段内产生高强度相干辐射。激光的特性使之在光学应用领域带来了革命性的变化:,接近单频,干涉性好,发射方向的空间内能量高度集中,四十多年来,激光器的品种迅速增加:固体激光器半导体激光器固体激光器(半导体激光泵浦)化学激光器(HF/DF激光、氧碘化学激光器、CO2激光、燃料激光、氦氖激光),激光的种类,自由电子激光器x射线激光器准分子激光器金属蒸气激光器等。,铜蒸气激光,激光器的输出水平不断提高:中、小功率器件 高功率、高能量激光器;脉冲体制从连续波、准连续波到各种短脉冲、超短脉冲的激光。连续的高能激光单次输出能量已达百万焦耳以上;超短脉冲:纳秒 皮秒 费秒 阿秒 脉冲功率密度则可
3、高达1020瓦/cm2以上。,输出激光的频率覆盖着越来越广的范围:长至亚毫米(太赫兹)短至x射线激光也在探索中,分立的激光谱线达几千条;,激光器组成:工作物质(基质和激活离子)、激发源(泵浦)、共振腔。工作物质:借外来能源激励实现粒子数反转并产生受激辐射放大作用的物质系统,包括固体(晶体、玻璃)、气体(原子气体、离子气体、分子气体)、液体和半导体等。激光器利用泵浦(闪光灯或另一种激光器以及气体放电激励、化学激励、核能激励)等激发源激发工作物质实现激射。共振腔作用:通过工作物质对激光提供反馈,以激发更多的光发射。大多数半导体激光器是利用在GaAs的p-型层和n-型层之间的结区(极窄,约lm),通
4、过电荷注入等激励方式,激发非严衡载流子实现粒子数反转,从而产生受激发射。,工作物质激光器最重要的部分是工作物质,包括使原子高低能态分布反转的激活离子和基质。用过渡金属离子(如Cr3+)激活的三能级激光晶体,如Cr3+:Al3 氧化物激光晶体固体激光器材料 用稀土离子(如Nd3+)氟化物激光晶体 激活的四能级体系 复合石榴石激光晶体 激光玻璃(钕玻璃)色心激光晶体(如LiF,KCl)原子气体 气体激光器材料离子气体(氩离子、氪离子)工分子气体(CO2、CO、N2分子)作准分子气体(XeF、KrF)物有机荧光染料(如罗丹明6B)质液体激光器材料 稀土螯合物(如Eu(TTA)3、Eu(BTF)4)钕
5、氧氯化硒(Nd3+:SeOCl2)半导体激光器材料可见光激光管材料(如AlGaAs)红外激光管材料(GaAs、Pb1XSnXTe)非线性光学材料(LiNbO3)激光器辅助材料窗口、透镜材料(如GaAs、ZnSe)抗反射涂层(ZrO2、SiO2、TiO2、MgF2等)其它,固态基质材料可粗略分为晶态固体和玻璃两大类。要求:具备清晰的荧光线、强的吸收带及相当高的量子效率,优良的光学、热学性能和机械性能。晶体质量,对光学损伤或机械损伤的抵御能力、化学稳定性等也至关重要。(1)离子大小:晶态基质的晶格格点必须与激活离子的大小相当。在离子晶体中,离子半径之差大于15就不能直接掺入1以上的激活离子。但用稀
6、土激活的晶体激活离子的掺入量可大于1。,(2)电性中和:掺杂剂价态如与基质阳离子不同,则要采取适当的电荷补偿技术维持高掺杂下的电性中和,否则掺杂剂的溶解度将受到限制。例如CaWO4中如只掺入稀土取代Ca2+,溶解度就受到限制,这时再加入Na+,稀土溶解度才增加。(3)抗热冲击能力:基质的某些物理性质决定该晶体对突然爆发的泵浦能的抗热冲击能力,对确定运转方式如连续运转或高功率、高重复率脉冲运转颇为关键。对于这些运转方式,利用热膨胀系数低、强度高、热导率高的晶体更合适。这些性质的相对数值大体上与化合物的熔点有关,因此使用高熔点化合物更有利。,高强度激光器:晶体有较高的热导率(泵浦源辐照后晶体产生的
7、热必须用冷却剂使之在激光棒表面迅速耗散)。电荷补偿技术对物理性能有不利影响,如在CaWO4中采用一价离子会使晶体的热膨胀系数增加,强度和热导率降低(显然三价离子为宜)。(4)光学性质:理想晶体应对泵浦波长有较强吸收,对激射波长吸收很弱。(5)纯度:生长激光晶体所用氧化物纯度为56个“9”,总杂质含量不得超过110ppm。,激光材料制取方法1 激光晶体制取方法A 焰熔法(维尔纳叶法)氢氧燃烧产生的高温使料粉通过火焰撒下熔融,熔滴落在籽晶上,使籽晶杆下降进入炉子的较冷部分随即结晶。该法设备简单、不用坩埚,适于生长熔点大于1800(可达2500)的晶体如红宝石、钇铝石榴石(Y3A15O12)和Y2O
8、3等基质晶体,缺点是晶体内应力大、位错密度高及存在化学不均匀性。B 直拉法适于生长共熔化合物单晶,易自动化,能生长非常大的完美单晶,如CaWO4、CaMoO4、红宝石、碱土金属卤化物及石榴石晶体等。,近年来出现的钆钪镓石榴石Gd3Sc2Ga3O12(简称GSGG)就是用直拉法生长的。Nd,采用铱坩埚在含l3O2的氮气氛中生长(感应加热),已生长出直径130mm、长100mm的晶坨,晶体尺寸大、质量高、适于制造高平均输出(1KW)的板条激光器(规格l10 20cm3),在金属加工方面可与CO2激光器竞争。作为可买到的商品NdYAG一般都采用直拉法生长,已制出最大直径约10mm、长达150mm的激
9、光棒。还制出直径75m m的非掺YAG晶锭。由于生长时间慢(0.5mm/h),生长1015cm长的晶棒,耗时数周,造成高的生产成本。目前正在研制400一1000W的NdYAG板条激光器。,此外,钕含量比YAG高6倍的Nd:LMAO(Nd:La1XMgAl11O19)也是用直拉法生长的。这种晶体解决了钕含量低使输出功率受限制的问题,已实现高功率输出,近年内可望制成千瓦级小型固体激光器,其激射波长为1054m。C热交换器(HEM)法 该法将籽晶置于坩埚底部的中心位置,熔料装到籽晶的上方、坩埚位于热交换器的上部,用石墨电阻炉生长激光晶体。对于给定的物料,炉温决定液体内的温度梯度,热交换器的温度决定固
10、体内的温度梯度。固液界面因浸没在熔体表面以下,不受机械和温度扰动的影响,故可实现均匀生长,最大限度地降低生长条纹,获得均匀的掺杂分布(指分凝系数小于1的元素)。该法适于生长Cr:A12O3(红宝石)、Nd:YAG、Co:MgF2和Ti:A12O3(蓝宝石),能获得大尺寸优质晶体,如65mm的Co:MgF2晶体和 320mm、重50Kg的蓝宝石晶体。,表:典型的固态激光材料系统及工作原理,表:波长可调激光晶体及工作性能,半导体激光材料的制取方法 半导体激光器主要用于光学器件、激光唱盘、激光印刷机和光纤通信等领域。目前研制的半导体激光材料体系,短波长(0.71.0m)材料以(Ga,Al)AsGaA
11、s为主;长波长(1.101.6 m)材料以(In,Ga)(As,P)InP为主。因此GaAs,InP衬底材料及(Ga,Al)As,(In,Ga)(As,P)外延膜质量至关重要。衬底用GaAs单晶的生长,目前用高压液体覆盖直拉(LEC)法已获得125mm的高纯单晶。在生长过程中,通过采取理想的热环境,尽可能使固液界面保持低的温度梯度,保持表面凹向熔体以及进行等电子掺杂等措施,显著降低了位错密度。用水平布里支曼(HB)法已获得宽80mm、长100mm的D型GaAs晶体,位错密度比LEC晶体低,更适合作衬底材料。生长InP远比GaAs困难,通常用LEC法生长,已能生长直径达75mm、重1.2kg的无
12、孪生InP单晶。,外延膜的生长除常用的液相外延外,分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等新的薄膜生长方法发展很快。目前生长GaAs和(Ga,A1)As量子阱结构(0.60.8 m)以用MBE和MOCVD为宜,对波长1.21.6 m的(In,Ga)(As,P)/InP体系,以用氢化物输运气相外延为宜。,激光应用,(1)激光可在很小的区域上聚焦很高的功率密度:在工业制造中可进行精确的切削、钻孔和表面改性做精密的医疗手术作用于微型靶实现激光核聚变。,(2)激光光谱技术比传统的分辨率提高了百万倍,灵敏度提 高了百亿倍;激光为信息技术开拓了丰富的频率资源;,布满全球的光纤网,加上卫星
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