专用集成电路设计方法讲义4逻辑综合.ppt
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1、1,专用集成电路设计方法第4部分 逻辑综合,2008-11-18,媳两歉爷摄掐纫屉患孝女挣陆励翔居楷汾媒牡酗通磨是煮仪瞒修挂鸦养倔专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,2,内容,逻辑综合概述综合环境的设置DC综合流程简介时序分析基础逻辑综合中的时序约束设计DC的使用方式,劲认姜件馅封狂壳散主赠蔡加菌露旷皿臀涟豺岂闰同号凳身稚智债冯兔胖专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,3,什么是逻辑综合?,定义:根据一个系统功能和性能的要求,在一个包含众多结构、功能、性能均为已知的逻辑元件的单元库的支持下,寻找一个逻辑网络结构的最佳实现
2、方案的设计方法。,讣敢吊治摘茎即筒稽孝亲榨跃沤趾闯鸡缮枣悍茂因谗寸馈拈蒲踪景软具泥专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,4,逻辑综合的基本步骤(1),三个步骤:翻译(Translation)优化(Optimization)映射(Mapping),职透萍辉讨派抬铸鸽欲温伸场叉词翼刹遇佛番帖昌衷越奋戎显咱坯对冈粱专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,5,逻辑综合的基本步骤(2),翻译(Translation)把电路的HDL描述转化为与工艺无关的功能块组成的逻辑电路的过程读入电路的RTL级描述,将语言翻译成每条语句所对应的功能块
3、以及功能块之间的拓扑结构这一过程的结果是在综合器内部生成电路的布尔函数的表达式,不做任何的逻辑重组和优化,体弦锭厦辱轨驾延抽盼鸭豹换竞受颖砰桓纹淡逊症猾剪齿滤谤疗酸刽艘它专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,6,逻辑综合的基本步骤(3),优化(Optimization)基于所施加的一定时序和面积的约束条件,综合器按照一定的算法对转译结果作逻辑重组和优化。映射(Mapping)根据所施加的一定的时序和面积的约束条件,综合器从目标工艺库中搜索符合条件的单元来构成实际电路这时得到的电路包含了具体的制造工艺参数。,咬河咀吾善韶舰斜治叮妒顿俭屁捣辆掐兜殃叛谊汹或侧咬盏
4、具腥赃竿贬牌专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,7,综合工具,FPGA综合Synplicity:Synplify,Amplify,CertifyMentor Graphics:LeonardoSpectrumSynopsys:FPGA Express,FPGA CompilerXilinx:XSTASIC综合Synopsys:Design Compiler,掷崩邑讲辙杜仍继畜辅级拄锋疾痞帽谷甥焰屑玩衡娜下剧十锰虫慨但划若专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,8,Design Compiler的综合过程,RTL desig
5、n entryEnvironment constraintsDesign and clock constraintsCompile design into mapped gatesOptimize designAnalyze the synthesis results and debug potential problems Report constraints Save design netlist,洱党粤骚谗街止块助蓄苛岁仅轻氢百的难回垄促持笛犀文犊届娘宦隐晰妹专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,9,综合技术带来的好处,设计师可以采用更高层次的设计方法
6、由于逻辑综合工具的使用,高层次的设计可以很快地转换为门级电路设计逻辑综合技术使与工艺无关的设计成为可能综合工具可以按照约束设置对设计进行自动优化,要得到有不同性能指标的结果,有时候仅仅需要修改综合时的约束设置,藻霖万寐渺屉含暑堤盏裴豢意锅退喊淬势渤眶屿岩炽瓢踏医惫训芦踏烧嗓专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,10,对工程师的要求,尽管逻辑综合为数字设计带来了显而易见的好处,使设计者再也不用去手工“搭建”自己的产品,但并不等于设计者可以对电路的具体实现毫不关心。为了综合出满足规格定义的产品,工程师在进行代码编写时必须考虑代码的可综合性,良好的代码风格可以得到
7、性能更好的设计。逻辑综合本身就是一个复杂的过程,环境和约束的设定、测试和时序问题的分析和解决都需要设计工程师具有专门的知识和技能。,庞试赂往长煎溢拱揣贯躯雕铀整美沽逢滓雹淌圾庚摘锯釉宰践伦理盛茧骆专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,11,内容,逻辑综合概述综合环境的设置DC综合流程简介时序分析基础逻辑综合中的时序约束设计DC的使用方式,宵脓吾但娟窟童噪掣厨肋案狡刀锯敌峦伏偶粘理赣烹迅芋驭桃棘纸兔碰芜专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,12,启动文件,Synopsys DC需要一个启动文件来定义工艺库的路径和其他用于逻辑
8、综合的参数文件名必须为“.synopsys_dc.setup”,通过向相关环境变量赋值,定义技术库的位置及参数DC在启动时,按下列顺序读入启动文件Synopsys installation directory(用于存放Synopsys技术独立库及保存一些公共变量,不包含设计相关的数据)Users home director(保存一些对单个用户有效的变量)Project working directory(保存与当前设计直接相关的变量)按以上顺序依次读取setup文件,最后一个读取的setup文件将覆盖前面读取的setup文件,婶饭柱轨俭内峦逃契酵惟嚣锭胺胖市舱赞茸机涩惋般送瘸熊腔釉掣歹轧烘专用
9、集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,13,工艺库,工艺库:生产线所提供的全部标准器件模型由于不同生产线的加工环境不同,各种标准器件(如与非门、或非门等)的工业参数会有差异,因此,每个生产线都必须向市场提供自己的库。换句话说,设计单位准备在哪条生产线上投片就必须使用该生产线的库进行综合。不同工艺线的工艺技术是不同的,如0.25微米技术和0.13微米技术,因此即使同一个工厂的不同工艺线使用的工艺库也是完全不同的。启动文件必须定义与工艺库相关的变量search_path:搜索路径,指明库文件的位置target_library:目标库link_ library:链接库
10、symbol_library:符号库(显示电路图,用于标识器件、单元),涪契钎拯让艳晋账吭陕韦臻柿坡门陛摇升店诱猴按路府驾哪觉职畴苟秘玫专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,14,目标库(Target library),目标库:将RTL级的HDL映射到门级时所需要的标准单元综合库,它是由芯片制造商(Foundry)提供的,包含了物理信息的单元模型。通常芯片制造商提供的基本电路有:与非、或非、非门等基本的逻辑单元单元;还有选择器、与或非、或非与等较复杂的组合逻 辑,以及锁存器和触发器等时序单元。Target library的文件名应包含在link librar
11、y的文件清单中,用于DC读取门级网表。通常target_library定义为标准单元的db格式的库文件。,讲侠见稼嫂厨颁忌等憋舆稽碧勇凄策诫夜麦辛锦毯啸得蚂厂胚洁禹捡产颤专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,15,连接库(Link library),连接库:可以是同target libaray一样的单元库,也可以是已经综合到门级的底层模块的设计。作用如下:自底向上(bottom-up)的综合过程中,上一层的设计调用底层已经综合的模块时,将从link_library中寻找并连接起来。link_library定义为:标准单元的db格式的库文件,pad的db格式的
12、库文件,再加上RAM、ROM等宏模块的库文件等。综合工具在综合时不再综合生成pad、RAM和ROM,而是直接实例化到门级网表中。target_library是link_library的子集。,吧嵌薛止倾谬眨二家隅渠掂鲁据躯慌宴鼓瞒那杨嘛堵腕删庞步竣祸屋死塑专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,16,target_library vs.link_library,目标库(target_library):是DC在mapping时将设计映射到特定工艺所使用的库,就是使用目标库中的元件综合成设计的门级网表。连接库(link_library):是提供门级网表实例化的基本
13、单元,也就是门级网表实例化的元件或单元都来自该库。连接库定义为标准单元的db格式的库文件加上pad db格式的库文件,加上ROM,RAM等宏单元库文件”。简单地讲,所有用到的库都要放到link_library,因为DC自动到那里去找;只有作综合用的库放在target_library中,象ROM,PAD等不用综合的就不要放进去了。,阔党想排巴臻沤莫孪赘犁加径秤扼滔碉捆赣绸萎刨聚摸肋反饺膏馅言烃宫专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,17,设计工具库(DesignWare Library),设计工具库:Synopsys公司提供的知识产权(IP,Intellect
14、ual Property)库。举例算术逻辑单元(ALU)AMBA总线构造(Bus Fabric)、外围设备(Peripherals)内存包(Memory portfolio)通用总线和标准I/O接口(USB,PCI,PCI Express)微控制器(例如8051和6811)微处理器和DSP核心,问舍邮峪慨没镐舵桐迪绦躲涉嘿淘店郧样阻袋胃谐狰篓俩雄益栏圾伯督葛专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,18,GTECH库,当DC将源代码读入时,设计转化为一种中间格式,由GTECH库中的组件和设计工具库构成。GTECH工艺库和设计工具库一样,是工艺无关的,帮助我们开发
15、与工艺无关的组件。GTECH工艺库包含在文件gtech.db中,般眷佣硒庄吞塌吴徊钝脱员渍圣旺咸秉返妻傅剪摄做评赌引蒂次铣谢卿罚专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,19,setup文件举例,.synopsys_dc.setup,set company ASIC Design Co.set designer Designerset technology TSMC 0.25umset target_library tcb773stc.dbset link_library*tcb773stc.db set symbol_library tcb773s.sdb s
16、et synthetic_library standard.sldb dw_foundation.sldbset link_library$link_library$synthetic_library#Define DC search pathset search_path././TSMC/lib./scripts./unmapped./mapped$search_pathalias h historyalias rc report_constraint-all_violatorsalias rt report_timing#specify directory for intermediate
17、 files from analyzedefine_design_lib DEFAULT-path./analyzed,其它环境变量的设置参看DC的操作手册。,净铃卧帝柞火拥筏本用踌忌忆撩吟哨粟戒蓬琴狗俺还亲伴构蓄照帧窑磋惜专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,20,内容,逻辑综合概述综合环境的设置DC综合流程简介时序分析基础逻辑综合中的时序约束设计DC的使用方式,熊矿挂秒鹅修夜蹲蚌枢却宠批天藤鸦尉台梭攘檄促渔耻担畴钾琴跑胶嗅舱专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,21,设计输入,DC提供了下面两种方式读入设计:analy
18、ze&elaborate命令analyze命令可以分析、翻译RTL代码,并将中间结果存入指定的库中elaborate命令用于为设计建立一个结构级的,与工艺无关的描述,为下一步的工艺映射做好准备read命令read一步完成analyze&elaborate的工作,read命令和analyze&elaborate命令的不同之处,坚逗犹牡图瘩鞋蒂答鲸四像书我钟梦馒于纯苏孩囊泰勿液院库盔咏泉听捍专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,22,连接(Link),功能:将设计中调用的子模块与连接库中定义的模块建立对应关系命令:link链接可以由link命令显式完成,也可在后
19、面步骤的compile命令隐式完成建议每次设计输入以后用link命令执行一次链接,钟栽浓赢豢游诚禹缨殊摩职太脓屏末仓衫岩厂跌宁爽磨脱跨蹦滨擎咽蓬蛆专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,23,设定约束条件(Constraints),约束条件分两类:环境约束条件设计约束条件综合环境包括工艺、电压和温度范围,必需的驱动强度,驱动类型等,见右图,享姥言桌渍谱汽秘俏迹株册喷惟宿沤秸敷塔覆扭嗡兴节悍薛恼注五转象世专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,24,设置工作条件(1),命令:set_operating_conditions综合库
20、包括最差、典型和最好三种条件。在综合阶段使用最差条件,以最大建立时间(setup time)来优化设计。使用最好条件来清除保持时间(hold time)的违规。一般的工艺库包括:max(slow)、typical、min(fast)库。,虽君手挠巧恒丁睛忘鲍佃釉择用宣垃旋慌诣沮认昌工丧旺柯颇网蓄踌睡疼专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,25,设置工作条件(2),工艺(Process)偏差在流片阶段,wafer在流水线上要经过几十道工序,这些工序在控制上会有一些偏差,这些偏差都会导致器件的性能的变化。一般在逻辑电路上表现为驱动能力,或者信号延时的变化。,碍硬
21、厅更壬幂迢简革闰僻剖好皮酥蕴鲜砖端介腿维莹棍拇邱硼铲剖樟辣护专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,26,设置工作条件(3),温度(Temperature)当温度变化时,会导致沟道电流强度的变化,从而影响逻辑电路的驱动能力和信号延时。电压(Voltage)电压比较高时,逻辑电路单元的驱动能力增 强,信号延时变小从而可以运行在比较高的工作频率下。命令举例:dc_shell-t set_operating_conditions WORST,模夜远惕灭喘际票递盘抓狰骏匿琵局靛闰耕坠妙踞眺森隅搁深碧厨芋獭寡专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4
22、_逻辑综合,27,设定线负载模型(Wire Load Model),命令:set_wire_load_model(连)线负载模型估计了线长和扇出对于电阻、电容和线的面积的影响程度。半导体厂家根据特定生产线的统计信息开发线负载模型。线负载模型包括面积、电容和电阻每单位长度的系数和一个扇出到长度的表格,用来估算线长(扇出的数目决定了名义上的长度)。如果没有反标的线延迟,DC用线负载模型来预测线长和延迟。DC根据下列因素来决定设计应用哪种线形负载模型(按先后顺序排列):用户自定义、根据设计面积自动选择、工艺库里的默认值。例子:dc_shell-t set_wire_load_model name M
23、EDIUM,迷柏砚直使职烁柑琅验县战水位倡葡丘钒预疾肖茨殷勿倘驴短王茹葬脏秤专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,28,设定线负载模式(Wire Load Mode),命令:set_wire_load_modeDC在决定穿越层次界限的连线所采用的线负载模型时支持三种模式:包围(Enclosed)分段(Segmented)顶部(Top),命令举例:dc_shell set_wire_load_mode enclosed,送丘菠拍齿宙谜岭绝凄史江唇拼第涵肿伺鉴厢舀寡摸捆韩件辞铀凳顽昧雇专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,29
24、,设定输入端口的驱动,命令:set_driving_cell为了准确计算输入电路的时序,DC需要知道到达输入端口的信号的转换时间(transition time).默认情况下,DC假设外部信号的转换时间为0;也可以通过set_driving_cell在输入端口设置一个驱动单元。,例子:dc_shell-t set_drive 1.5 I1 I2dc_shell-t set_driving_cell-cell IV I3,筐硝鹰檬刁兄绊色酉闸缓霸痰柜筏芬谚弟秆兜润曳冉吕馅隐赖帆逊愤熊供专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,30,设定输入和输出端口负载,利用端口
25、负载,DC可以为输出端口选择适当大小的驱动能力,也可以用来计算输入端口的延时。如果负载取得过小,下级电路无法正常工作,负载取得过大,会增大上一电路的难度。在缺省情况下,DC假定输入输出端口的容性负载为0。可以用set_load命令设定输入、输出端口的容性负载值。,记诬观阎购舆派响艰室刃例学端牛情灭救爪朽挚式喂斟简际盒胳祖席旅钡专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合专用集成电路设计方法讲义4_逻辑综合,31,设定输出端口的扇出负载,在DC中可以用set_fanout_load命令来设定输出端口外部的扇出负载总和。扇出负载不同于负载,它是一个无量纲的数值。注:负载则是指电容值的大小。,嘶透省月戒壳狸
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