IGBT行业专题报告.docx

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1、IGBT行业专题报告:国产龙头突围，进口替代进行时1. IGBT器件被誉为电力电子行业里的“ CPU是现代 电力电子产业的核心器件IGBT基本情况电力电子技术是以电子（弱电）为手段去控制电力（强电） 的技术，使电网的工频电能最终转换成不同性质、不同用途的 电能，以适应不同用电装至各的不同需求。电力电子技术以电子 学、电力学和控制论相互交叉结合为基础，研究电能的变换和利 用，广泛应用于高压直流输电、电力机车牵引、交直流转换、电 加热、电解等各种领域中。电力电子器件是电力电子技术的核心。电力电子器件即功率 半导体器件，也称为功率电子器 件，是进行功率处理的半导体 器件。典型的功率处理功能包括变频、

2、变压、变流、功率放大、 功率管理等，是电力电子装至各的心脏。虽然功率器件在整台电力 电子装至各中的价值通常不会 超过总价值的20%-30%，但对整 机的总价值、尺寸、总量、动态性能、过载能力、耐用性 和可 靠性起着十分重要的作用。图1;功率半导体器件分类IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电 子行业里的 “CPU”。IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的 电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业 控制及自动化领域的核心元器件，能够根据信号指令来调节电路 中的电压、电流、频率、相

3、位等，以实现精准调控的目的，被称 为现代电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道 交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发 电、新能源汽车等众多领域。IGBT既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功 率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压 低、通态电流大、损耗小的优点，是电力电子领域较为理想的开 关器件IGBT可以看做由BJT（双极型晶体管）和MOSFET （金属氧化物半导体场效应 管）组成的复合功率半导体器件。 BJT即三极管，是电流驱动器件，基本结构是两个背靠背的PN 结，基极和发射极之间的PN结称为发射结，基极和集电极之 间的PN结称为

4、集电结，通过控制输入电压和基极电流可以使 三极管出现电流放大或开关效应。MOSFET是电压型驱 动器 件，以常用的N沟道MOS管为例，通过在P型半导体上方 加入金属板和绝缘板，即栅极，在使用中保持源级和漏级电压 不变，栅极加正电压，MOS管呈导通状态，降低栅极电 压， MOS管呈关闭状态。由于栅极所带来的电容效应，使得MOS 管只需要很小的驱动功率即可实现高速的开关作用。BJT通态压 降小、载流能力大，但驱动电流小，MOSFET驱动功率小、快 关速度快，但导通压降大、载流密度小。IGBT可以等效为MOS 管和BJT管的复合器件，在保留MOS管优点的同时增加了 载流能力和抗压能力，自20世纪80

5、年代末开始工业化应用 以来发展迅速，成为电力电子领域中最重要的功率开关器件之 一，在6500V以下的大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功 率MOSFET器件。1.2. IGBT的分类IGBT在应用层面通常根据电压等级划 分：低压IGBT：指电压等级在1000V以内的IGBT器件，例 如常见的650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。中压IGBT :指电压等级在1000-1700V区间的IGBT器 件，例如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、电焊机、工业 变频器和新能源汽车领域，1700V应用于光伏和风电领域。高压IGBT：指电压等级3300V及以上的IGBT器件，比 如3300V和6500

6、V应用于高铁、动车、智能电网，以及工 业电机等领域。S 2： IGBT应用场景眼3： g&r模块简困在产品层面通常根据封装方式分类:IGBT单管：封装规模较小，一般指封装单颗IGBT芯片， 电流通常在50A以下，适用于消费、工业家电领域。IGBT模块：是IGBT最常见的形式，将多个IGBT芯片 集成封装在一起，功率更大、散 热能力更强，适用于高压大功 率平台，如新能源车、主流光伏、高铁等。功率集成（IPM）:指把IGBT模块加上散热器、电容等外 围组件，组成一个功能较为完整和复杂的智能功率模块。1.3. IGBT技术发展历程及趋势IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高 频率、功

7、能集成化、高可靠性。从20世纪80年代至今，IGBT 芯片经历了 7代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场一截 止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关 断时间、功率损耗等各项指 标经历了不断的优化，断态电压也 从600V提高到6500V以上。第一代：PT-IGBT，使用重掺杂的P+衬底作为起始层， 在此之上依次生长N+ buffer，N- base夕卜延，最后在外延层 表面形成原胞结构，由于体内晶体结构本身原因造成负温度系 数，各IGBT原胞通态压降不一致，不利于并联运行，第一 代IGBT电流只有25A，且容量小速度 低，目前已基本退出市 场。第二代：改进版PT-I

8、GBT，采用精细平面栅结构，增加一 个缓冲层，在相同的击穿电压下 实现了更薄的晶片厚度， 从而降低了 IGBT导通电阻，降低了 IGBT工作过程中的损耗， 提高了 IGBT的耐压程度。第三代：Trench-IGBT,采用 Trench结构，通过挖槽工 艺去掉栅极下面的JFET区，把沟道从表面变到垂直面，基区 的PIN效应增强，栅极附近载流子浓度增大，提高了电导调制 效应 减小了导通电阻，有效降低导通压降及导通损耗。第四代：NPT-IGBT，使用低掺杂的N-衬底作为起始层， 先在N-漂移区的正面做成MOS结构，然后从背面减薄到 IGBT电压规格需要的厚度，再从背面用离子注入工艺形成P+ 集电极，

9、在截止时电场没有贯穿N-漂移区，因此称为NPT啡 穿通型IGBT。可以精准的控制结深而控制发射效率，尽可 能地增快载流子抽取速度来降低关断损耗，保持基区原有的载流 子寿命而不会影响稳态功耗，同时具有正温度系数特点。第五代：FS-IGBT，采用先进的薄片技术并且在薄片上形成 电场终止层，大大的减小了芯片 的总厚度，使得导通压降和动 态损耗都有大幅的下降，从而进一步降低IGBT工作中过程中 的损耗。第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基础上改进沟槽栅 结构，进一步增加芯片的电流导通能力，优化芯片内的载流子浓度和分布，减小了芯片的综合损耗。第七代：微沟槽栅-场截止型IGBT，沟槽密度更高

10、，原胞 间距也经过精心设计，并且优化了 寄生电容参数，从而实现 5kv/us下的最佳开关性能。我2:不同代际IGBT产晶特盅芯面起（和时植）工工心通击炮和压隆陶是断叶问 （*#（栖*伎）站思电压 g平函透型（FT）100530.5100600改进的平面字迎型（PT）5652 80 3746&0溶槽型(Trench)403202&5112Q0非穿逋型（NPT）3111.5025393300电场截止型（FSJ270.51.50.1933450湾槽型电鲁拱止至（FS-Trench）240.510.15296500总体而言，不同代际升级趋势为升高耐压成都，降低开关损 耗，在结构上大体表现在以下两方面：

11、栅极结构方面：早期IGBT是平面栅结构，随着Trench （干法刻槽）工艺的成熟，将平面型 栅极结构变成垂直于芯片 表面的沟槽型结构，IGBT的本质是通过控制栅极与发射级之间 的电压大小，从而实现对IGBT导通和截止状态的控制。当栅 极-发射级电压0时，IGBT呈关断状态，当集电极-发射级电 压20且栅极-发射级电压阈值电压，IGBT呈导通状态。沟槽 型结构单元面积小、电流密度大、通态损耗降低约30%，击穿 电压更高。纵向结构方面：早期是穿通型（PT ）和非穿通型（NPT） 结构。PT IGBT是最早商业化生产的IGBT，随着使用应用中 电压等级越来越高，对NPT结构的基区宽带要求越来越宽，又

12、 有了在高压领域向穿通结构的回归。2. 国内空间广阔，海外巨头占据垄断地位2.1. 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上 根据英飞凌年报，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%， 斯达半导2.5%，英飞凌IGBT器件产品市占率32.5%，士兰 微2.2%。2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元， 士兰微IGBT器件营业收入约1亿元，由此可推算2019年 全球IGBT模块市场规模约300亿元，IGBT器件市场规模 约45亿元。根据ASMC研究显示，全球IGBT市场规模预 计在2022年达到60亿美元，全球IGBT市场 规模在未来 几年时间仍将继续保持稳定增长的势头。根

13、据中国产业信息网和 头豹研究院数据整理，2014年，我国IGBT行业市场规模为 79.8亿元，预测到2020年，我国IGBT行业将实现197.7 亿元的收入，年复合增长率达16.32%。预计到2023年中国 IGBT行业整体市场规模有望达到290.8亿元，市场前景广 阔。根据Yole预测，2024年我国行业IGBT产量预期达到 0.78亿只，需求量达到1.96亿只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断，英飞 凌占据绝对领先的地位。2019年英飞凌模块产品全球市占率 35.6%，器件产品全球市占率32.5%，IGBT模块领域国内斯达 半导是唯一进入前十的企业，市占

14、率2.5%，IGBT器件领域国 内士兰微是唯一进入前十的企 业，市占率2.2%。国内产品供 需不平衡，国产替代将是未来IGBT行业发展的主要方向。2.2. 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展IGBT模块是变频器、逆变焊机、UPS电源等传统工业控 制及电源行业的核心元器件，根据 集邦咨询数据，2019年全 球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场 IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散， 工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模 增速，预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到167 亿元。变频器行业：据前瞻产业研究院测算，我国变频器行业的市

15、 场规模整体呈上升态势，从2012年至2019年，中国变频器 行业规模除2015年有小幅度下降以外，其余年份均处于稳步 增 长状态。2019年我国变频器行业的市场规模达到495亿 元，相比2018年增长4.7%。在一系列节能环保政策的指引 下，预计未来5年内，变频器将在电力、冶金、煤炭、石油化 工等领域将保持稳定增长，在市政、轨道交通、电梯等领域需 求进一步增加，从而促进市场规模扩大，未来几年整体增幅将 保持在10%左右，到2025年，变频器市场规模将达到883 亿。变频器靠内部IGBT的开关来调整输出电源的电压和频 率，根据电机的实际需要来提供其所 需要的电源电压，进而达 到节能、调速的目的

16、，变频器产业的快速发展势必导致IGBT需 求提升。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。 这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输 入整流器整流和滤波，变成直流，再通过IGBT模块的交替开 关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，同时经变 压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并经电抗滤波 输出相当平稳的直流焊接电流。根据国家统计局数据，2020年 我国电焊机产量为1108.93万台，同比2019年增加了 158.87 万台。UPS电源系统，IGBT被广泛应用于不间断电源系统（UPS） 的设计中，数据显示，1200V/100A IGBT的导通电阻为同

17、规格 耐压功率 MOSFET的1/10，开关时间为同规格 GTR的 1/10。据QYR电子研究中心统计，2018年全球不间断电源 （UPS）市场价值为105.37亿美元，预 计到2025年底将达 到139.66亿美元。2.3.家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器，它 承担了电棚区动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制 功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功 率 器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无 源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU 就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能

18、耗、小尺 寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜 力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年 我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未 来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的 IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外 两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中 国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频 洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。从IPM需求量看，空调对IPM需求量最高，2018年达 1.3亿块，冰箱达2000多万块，洗衣机为16

19、00多万块。分 不同家电来看，变频冰箱会使用5-10A的IPM，单个价值量 在1美 金左右；变频洗衣机会使用10A左右的IPM，单个 价值量在2-3美金；变频空调会使用15-30A的IPM，平均 价值量约为4-5美金，由此可测算出2018年家电IPM市场 空间为5亿美金左右市场规模，随着变频家电渗透率的逐渐提 升，市场空间会进一步扩大。2.4.新能源发电为IGBT带来持续发展动力目前新能源发电以光伏和风力发电为主，以光伏发电为例， 在太阳光照射下太阳能电池阵列 产生电能输出直流电，但输出 的电能不符合电网要求，需通过逆变器将其整流，再逆变成符合 电网要求的交流电后输入并网。以往光伏发电系统是采

20、用 MOSFET构成的逆变器，然而 随着电压的升高，MOSFET会 因其通态电阻过大而导致增加开关损耗，IGBT因其通态电流 大、耐压高、电压驱动等特点，在中、高压容量的系统中更具优 势，在实际项目中IGBT已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变 器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展 将成为IGBT行业持续增长的全新动力。根据国际能源机构IEA数据显示，2019年全球光伏新增 装机115GW，目前集中式光伏逆变 器成本在0.16-0.17元 /W，组串式光伏逆变器成本在0.2元/W左右，总体光伏逆变 器成本在0.2元/W左右。根据行业调研数据，IGBT模块占光伏逆变器总成本比例约

21、为10%，即光伏IGBT模块价值量约为259年全球光佻逆.更嚣市场格局22%15%0.02 元/W。由此可测算出，2019年全球光伏IGBT价值量为阳光也源华为 SMApower eleutruniABB上能电气-周德成 sd or edgeinteteam特壹电工共他23亿元，据欧洲光伏产业协会预测，全球光伏装机量未来5年 将保持15%以上的复合增速，假设光伏逆变器出货量每年保持 15%增长，预计到2025年全球光伏IGBT市场规模将达到 53亿元。国内逆变器厂商在全球光伏市场上持续突破，据 Solaredge数据，2018年华为在全球逆变 器市场的份额达 22%。据阳光电源2020年报披露

22、，公司2015年起出货量首 次超越连续多 年排名全球发货量第一的欧洲公司，销售收入 7.51亿元，全球市占率27%，已批量销往德 国、意大利、澳 大利亚、美国、日本、印度等150多个国家和地区，国内光伏 逆变器厂商的 快速发展也为国产IGBT替代带来更多产品应 用的机会。3. 新能源车的快速发展给IGBT带来巨幅增量IGBT是新能源车动力系统核心中的核心 新能源车的制动 原理是利用电磁效应驱动电机转动，IGBT优异的开关特性可以 实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能，电动车 充电时，通过IGBT将外部电源转变成直 流电，并把外部 220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时

23、，通 过IGBT把 直流电转变成交流电机使用的交流电，同时精确调 整电压和频率，驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率 器件的性能，硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中 应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个子系 统 中，约占整车成本的7%-10%，是除电池以外成本第二高的元 件，也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量：根 据中汽协发布的数据统计，2019年新能源车新产销分别完成 124.2万辆和120.6万辆，其中绝大部分为纯电动汽车，产 销为102万辆和97.2万辆，插电式混合 动力汽车产销为 22.0万辆和23.2万辆，2020年

24、国内新能源车销量为136.7 万辆。2021年5月，新能源汽车产销环比略增，同比继续保 持高速增长，产销均为21.7万辆，环比增长0.5%和5.4%， 同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量:电动汽车单车IGBT的价格在A00级 车的主控IGBT模块价值量800-1000元，A级车1500左 右，混动车在2000元左右，再综合空调、充电等部分，平均电 动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的 统计，2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元，单车 的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算：据IDC预计，受政策推动 等因素的影响，中国新能源汽

25、车市场将在未来5年迎来强劲增 长，2020年至2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到 36.1%，假设单台车IGBT用量3000元左右来预估，至 2025年，国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。图18: 2019-2025 4 +国新能疆汽车销量及IGBT市场空间预蒯3.2.车规级IGBT性能要求更加严苛对于新能源车用IGBT而言，一方面由于道路复杂性，车 辆行驶中会受到较大的震动和冲击，对IGBT强度要求较高， 另一方面由于汽车频繁启停会引起IGBT结温上升，对散热提 出了更高的要求。针对车规级IGBT模块的特殊要求，IGBT技术正朝着小型 化、低功耗、耐高温、高安全和智能

26、化的方向发展，以富士电 机新能源车用IGBT产品为例，重点考虑以下几方面的设计：小型化：由于需要在汽车有限的空间内安装高压蓄电池、电 力转换装至各、电机等，因此电力转换装至各中使用的IGBT模块 要尽可能实现小型化。散热快：采用第三代直接水冷结构，加快散热片之间的冷却 液流动速度，大幅降低热阻。低损耗：优化场截止结构，降低导通电压和开关损耗，优化 沟槽栅级结构，使得在关断动作器件，电子和空穴更容易进行 迁移，提高开关速度的可控性，降低损耗。集成芯片传感器：将电流传感器、温度传感器和IGBT芯 片集成于一个芯片上，实时监视IGBT工作时的电流和温度。采用高强度焊接材料:考虑到车用半导体多在恶劣环

27、境下使 用，特别是因温度循环产生的应力导致连接绝缘基板和散热底 座的焊接部分出现裂痕后悔引起热阻上升和芯片异常发热从而 导致IGBT模块损坏，产品采用高强度焊接材料，抑制裂痕扩 展。3.3.车规级IGBT市场国外厂商依旧占据垄断地位，国内厂商力求突破目前国内车规级IGBT市场仍旧由国外厂商占 据垄断地位，三菱电机生产的IGBT已经成为业内默认的标 准，中国的高速机车用IGBT由三菱完全垄断，同时欧洲的阿图19: 2019年我国新能源车IGBT供应商市场俊额1.30%1.60%_5.20%58,20%0 30%0 90%赛米控法雷奥其他比亚迪半导体斯达半导德尔福三菱电机电装中车时代业务模式产品带

28、沉新姑半导膜决中本时和电七IDM没计半微IDM埋很HDM南京掉或嫌块IDM4 备JIL MD-330QV 的 K3日T世溟；现己街利主50帝井IG日T禺堪，户其电潴志日留JL 50-3600A,电压茫国心 60CK66flCV;岸携足有与立争力的晶有渤ITOOV的IGBT芯计, 弄开里出T怡rtCh-F$电担65网51叫.单苞片电沆 S-40EA全杭到，650-1200V临Treneh-FSIGBT卓古广沧乙通过和尸些 注；2019年4月JU4B茬寸堂FfVifEl , *.危用于工也消费屯。宰顿坂KSBT志片的.史产；201白年4月推出了应用于京此电睡妙畛135NRCIGQT 杀刊产而；,能

29、原心中陀町槌庚扩卢：移成#产1卫口方个故史的 魅力；IPM嫌溟榄产片形戒再产70。苫个嫌距册梅力； 2021牛和斥抠2个扩产事日、建设期3 .牛：1，年产36 不*伪率半导体苫彩；叫尚尚早户初石片功孝半手阵 唯块的主产我自对化时FiJti整讪二期尸能.202A隼年底武产.和计网葬年返产. 神州产能产斌的为60-60位无；旋却I新型电为电子天件孟地项目二期）的建设.建成后 牯畏有每年如匚24万片8英寸时侥.力；产品起拍应河于 工业博晦 浦暨电子芋骐域,野成,6皿1了皿 若种电压、 也洗等组的IQRT苍片；士翌集Ef二期厘日建1炉期约5牛，舍疗的廿:苛。其中， -君计投责6化无、彩成年产10仆8英

30、寸普的产 虬 而9他元，郡点年产5卫而片B.芙十芯 片的产施;?亮心 600-1700V电压K36T峨玖；2W7年建立IGBT爆花生产她，201B年底或布真字眠车GBT1.D目茵取带中闻车用 E市场垃ii 宁此AS零片6关寸户胞，怆沙片3花寸产能。两成的市占半g,尔斯通、西门子、庞巴迪也是一半以上采用三菱电机的IGBT,除日系厂家，英飞凌包揽了几乎所有电动车的IGBT，例如特斯拉Model X使用的132个IGBT管都由英飞凌提供。由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难，国内企业在产业化进程中一直进展缓慢。随着全球制造业向中国的转移，中国已逐渐成为全球最

31、大的IGBT市场，IGBT国产化需求已是刻不容缓。在市场需求的吸引下，一批具备IGBT相关经验的海外华人归国投身IGBT行业，同时国家大量资金流入IGBT行业，我国IGBT产业化水平有了一定提升，部分企业已经实现量产。例如斯达半导，作为国内IGBT行业的领军企业，自主研发的第二代芯片（国际第六代芯片FS-Trench）已实现量产，成功打破国外卜跨国企业长期以来对IGBT芯片的垄断。4. 建议关注袁5：不同电压等般的国内外供应商电压善蛭应用牧觇国际主M应商国内主要供应再eoov家用f电衅机英0如三菱J字奈卸目斯遂半担中斜家芯J牛他士生彼立650-170DV电动汽车/凯电J慕二满/瑞薛三麦斯达半导

32、J中车口寸代电气/比史迪/华fit/士差撮Hj辛银笊F上汽英飞凌3300V地陶择臾英0担三套JA日日斯达半导J中车时代电如南京根茂4500V高压直.览辕电AB&三麦美哭凌中车时代电电6500V三萩/英飞凌中车nJ代电气4.1.斯达半导公司主营业务是IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设 计研发和生产，是国内IGBT的领先供应商。起家于家电变频 器和工业级产品比如电焊产品，公司以IGBT技术为基础，大 力发展车规级功率器件，公司产品获得良好的市场评价，尤其 在2020年疫情后，英飞凌产能不足不能稳定供货，公司拓展 突飞猛进，快速扩张市场份额，目前在新能源汽车IGBT领域 在国内名列前茅。据公司2

33、020年报披露，公司2020年IGBT 模块销售规模排全球第七，打破了大功率工业级和车用级模块 完全依赖进口的被动局面，公司车规级IGBT模块目前以A00 为主，2020年公司生产的汽车级IGBT模块合计配套超过20 万辆新能源汽车。同时公司在车用空调，充电桩，电子助力转 向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高，目前在A级车领 域已经占据相当一部分份额。4.2.中车时代电气公司是中车集团下属子公司，我国轨道 交通行业的牵引变流系统主力供应商，产品主要包括以轨道交 通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信 信号系统等。同时，公司在功率半导体器件、工业变流产品、 新能源汽车电驱系统

34、、传感器件、海工装备等领域也均有业务21：新达半导警业收入情理归毋冲利涧（百万元） 同比用地201520152017201B KJ1 尊网 M 20211200% 180% 160% 140% 120% 1OG% BO% 60%0% 20% 0%a 22：斯世半导向母净利润枇此200180160140120100BO6040200 布局。科创板IPO审核状态已于1月26日更新为已问询。 本次中车时代电气若成功过会，将实现A+H”两地上市。公司最早依靠英国Dynex公司为基础进行IGBT业务拓 展，此前Dynex公司已是高功率半 导体排名前三的公司。 IGBT的技术发展途径从6500V高压到中低

35、压，从难到易，同 时避免了低端IGBT的白热化价格战。公司市场空间偏向体系 内，其体系下游企业优先采购自家产品，能验证产品质量，形 成良性循环。相比之下，国内许多厂商很难得到验证机会。公 司IGBT业务采用IDM模式，据公司科创板招股书披露，公 司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产 业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术，公司 已为新能源汽车、风力发电、光伏发电、高压变频器等批量供应 IGBT器件，750V和1200V IGBT应用至新能源汽车，并已 与国内多个龙头整车企业成为重要合作伙伴。据2020年报披 露公司产品目前在广汽、东风等车型已经获得定点和订单项目。

36、4.3. 士兰微士兰微成立于1997年，总部位于浙江杭州。公司从 Fables（纯芯片设计）发展成为国内为数不多的IDM模式设 计与制造一体化）。主要产品包括集成电路、半导体分立式器件、 LED（发光二极管）产品等三大类。公司被国家发展和改革委员 会、工业和信息化部等国家 部委认定为国家规划布局内重点 软件和集成电路设计企业，陆续承担了国家科技重大专项“01 专项和02专项多个科研专项课题。公司依托于已稳定运 行的5、6、8英寸芯片生产线和正在建设的12英寸芯片生 产线和先进化合物芯片生产线，陆续完成了国内领先的高压 BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET

37、、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发，形成 了比较完整的特色工艺制造平台。据英飞凌官网披露信息，2019年士兰微在全球IGBT器件 的市场份额为2.2%，排名前十。公司在多个领域的客户不断 进展，市场份额快速扩张。据公司公告，产品已经得到了小米、VIVO、OPPO、海康、大华、美的、格力、海信、海尔、汇川、 LG、欧司朗、索尼、台达、达科、日本NEC等全球品牌客户的认可。根据公司年报披露，未来也将进军风电、光伏等新能 源领域，产品结构更加丰富、优化。4.4.比亚迪半导体公司属于比亚迪股份的控股子公司，主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的 研发、生产及销售。自成立以来

38、，公司以车规级半导体为核心， 同步推动工业、家电、新能源、消费电子等领域的半导体发展。在汽车领域，依托公司在车规级半导体研发应用的深厚积累， 公司已量产IGBT、SiC器件、IPM、MCU、CMOS图像传感 器、电磁传感器、LED光源及显示等产品，应用于汽车的电机 驱动控制系统、整车热管理系统、车身控制系统、电池管理系 统、车载影像系统、照明系统等重要领域。在工业、家电、新能 源、消费电子领域，公司已量产IGBT、IPM、MCU、CMOS图 像传感器、嵌入式指纹传感器、电磁 传感器、电源IC、LED照 明及显示等产品，掌握先进的设计技术，产品持续创新升级。经 过长期的技术积累及市场验证，公司积

39、累了丰富的终端客户资源 并与之建立了长期稳定的合作关系，与下游优质客户共同成长。功率半导体方面，公司拥有从芯片设计、晶圆制造、模块封 装与测试到系统级应用测试的全 产业链IDM模式。在IGBT领域，根据Omdia统计似2019年IGBT模块销售额计算， 公司在中国新能源乘用车电机驱动控制器用IGBT模块全球 厂商中排名第二，仅次于英飞凌，市场占有率19%，在国内厂 商中排名第一，2020年公司在该领域保持全球厂商排名第二、 国内厂商排名第一的领先地位。在IPM领域，根据Omdia最 新统计，以2019年IPM模块销售额计算，公司在国内厂商 中排名第三，2020年公司IPM模块销售额保持国内前三

40、的领 先地位。在SiC器件领域，公司已实现SiC模块在新能源汽车 高端车型电机驱动控制器中的规模化应用，据公司招股书披露， 公司也是全球首家、国内唯一实现SiC三相全桥模块在电机驱 动控制器中大批量装车的功率半导体供应商。华虹半导体公司是全球首家提供8英寸纯晶圆功率器件代工服务企业，提供包括通用型MOSFET、超级结MOSFET(DT-SJNFET)和IGBT等主流技术，其中公司深沟槽超级结(DT-SJ)器件性能达到国际一流水平。2019年公司分立器件 营收3.54亿美元，同比增长14.2%，连续5年保持两位数的增 长。其中，超级结MOSFET和IGBT在2015年到2019年的销 售收入以及

41、出货量的复合增长率均超过50%。振华科技：公司专精电子元器件，着手布局IGBT领域。据 悉，公司开始向价值量更高的IGBT领域布局，参股公司森未科 技主营产品电压等级为600V-1700V，单颗芯片电流规格5A-200A，覆盖工业控制、变频家电、电动汽车、风电伺服驱 动、光伏逆变器等领域，公司于2019年发布第七代Trench-FS IGBT产品。台基股份:公司是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌 握全产业链核心技术的功率半导体企业，主要产品为功率晶闸 管、整流管、IGBT、电力半导体模块等功率半导体器件，广泛 应用于工业电气控制和电源设备。公司大功率晶闸管及模块年 产能达到290万只，是国

42、内销量领先的大功率半导体器件厂商， 拥有超过1160家直营客户。公司主要产品包括晶闸管、整流管 及其模块、IGBT等功率半导体器件o 2019年度项目进展情况适 应客户需求，增加了多个IGBT模块。完善自动化生产线，产销 量不断扩大。扬杰科技：公司集芯片设计、芯片制造、封装测试、终端销 售为一体，是国内优质的IDM模式厂商。公司主营产品为功率 二极管、整流桥、大功率模块、小信号二三极管、MOSFET、IGBT 及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。华微电子：采用IDM集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封测等纵向产业链一体化模式，公司掌握从高端二极管到 第六代IGBT等多领域的核心技术，产品涵盖IGBT、MOSFET、 SBD、FRD、SCR、BJT等，目前公司主要收入来源MOS系列产品、双极系列产品、整流系列产品的销售。