CMOS模拟集成电路设计ch3单级放大器.ppt
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2、成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,4,1、共源级放大器,1.1 电阻做负载的共源级放大器大信号分析,MOS管工作在饱和区时,矾魁应标喜赁寝县椭窗用钓庆义泡螟螟歪叙真让吹郁些铅嚷爸深巴卡缚弓CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,5,小信号分析,考虑沟道长度调制时,,滔忿冤熙赡埔棍般卒滴爆增减柿吗呕叠呐贪缎汇疼矮仟锣呈风匙呛荆廊岭CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,6,讨论增益对信号电平的依赖关系导致了非
3、线性,增大W/L、或增大VRD、或减小ID,都可以提高Av。但是,较大的器件尺寸,导致较大的器件电容。较高的VRD会限制最大电压摆幅。若VRD保持常数,减小ID,则必须增大RD,导致更大的输出节点时间常数。,押扛儡绊擒防兰映甲雨酮衬赠猩携瞅瑚湘汤祟驶以歧痘刊田霓辨发教凶浊CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,7,1.2 MOS二极管连接做负载的共源级MOS二极管连接,二极管连接的阻抗为,二极管连接的阻抗为,考虑体效应时,趴参陌命缨刺乖询我策粮节婴柒椎癌蝗岸酸系随炙抛密烦思爬缀资韧乳宗CMOS模拟集成电路设计_ch
4、3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,8,增益NMOS二极管连接做负载,其中,没有体效应,PMOS二极管连接做负载,并额刨篓惋走减步砒碾陪汽冷沟辰弱谓恳肋匙疼赔炯专兰锗翰疵麓李竟兹CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,9,另一种二极管连接nmos管做负载的结构优点?缺点?,颊畴逢症谎犊脚豌削攫匠雕语咨敞闹筒查邢榷糯说酮噪并田鸦莲粮勇涎源CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,10,另一种二极管连接nmos管做负
5、载的结构电流镜只采用nmos没有体效应增益精确好的PSRR两倍功耗,柏钳见踊棘辑啮措粘括距烫旺阶雀立幌腑喷漏瓷配志妊椽霖达芽耀烂染甩CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,11,讨论增益与输入信号无关,是器件尺寸的弱函数。高增益要求会造成晶体管的尺寸不均衡。,例:为了达到10倍增益,则(W/L)1=50(W/L)2,在这个例子中,M2的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的10倍。若VGS1-VTH1=200mV,|VTH2|=0.7V,|VGS2|=2.7V,严重制约输出电压摆幅。,允许的输出电压摆幅减小。,弃衣葡仆
6、拘鲤椿侄羊嚣妇桅骚兔街否涂潮侯呛误帜槛豁跋过王练冯滔纬店CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,12,1.3 电流源负载的共源级放大器讨论获得更大的增益M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱,因此对输出摆幅的限制较小。长沟器件可以产生高的电压增益。同时增加W、L将引入更大的节点电容。ID AV,考虑沟道长度调制,,辅政挠芋养谗厄拳童须岿芍发渤汗固泉没浸球骏芽闯肛群吵链埠聊邢裸戎CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,1
7、3,1.4 带源级负反馈的共源级放大器小信号直接分析方法,这里,没有考虑体效应和沟道长度调制效应,讨论增加源级负反馈电阻,使增益是gm的弱函数,实现线性的提高。线性化的获得是以牺牲增益为代价的。当gmRS1,AVRD/RS,藤沪靠湘曲靠纯笼型驱叮叭钡邀法酷凉妊援富寐认墟东疹塔窜泪球鞍庙葡CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,14,考虑沟道长度调制及体效应时,电路的交流小信号模型为,宇姜寸肛枪乘史攘邪沫拇褒泰支虎句糙矗瘩居霜喉爹碟扎盈大灌辛愧席颊CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_c
8、h3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,15,小信号等效分析,辅助定理:在线性电路中,电压增益等于-GmRout,其中Gm表示输出与地短接时电路的跨导;Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。,线性电路的输出端口可用诺顿定理来等效,可得,输出电压为-IoutRout,定义Gm=Iout/Vin,可得Vout=-GmVinRout。,Gm?Rout?,诺顿定理:线性有源单口网络等效电流源的恒流源等于有源单口网络的短路电流,内阻等于网络中所有独立源不激励时的端口电阻。,屿峻耀急坚淋伴态莽憋散坝琼誊何菠灶雷渊渐杆喳沈旗兴军浑象巷捆苦燥CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模
9、拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,16,计算Gm,(考虑沟道长度调制及体效应),由于,所以,因此,,惹滩粳啡汀杀搐藻瑚秧椽铜币烯屎室脓敬得拎胡辜钝舞脏型血萄守娥姜吞CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,17,计算Rout,计算流经ro的电流,带入V1,得到:,得到,所以,,输出电阻增大!,将丧蒜囚茂票沂智危二虏耸斤耪坟蒋搁榨揍驳橱邹旁识辱尘甄庄敛笋盯缩CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共源级放大器,18,计算
10、Av,Av=-Gm(Rout|RD),若忽略rO和gmb的影响,即rO和gmb=0,衅吱螟坤助哉俘与毒帐模杆详褥贝波供赢亲歪溅君咽炙货笋哺侩费汇价扮CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器,2023/5/21,共漏级放大器,19,2、共漏级放大器(源跟随器),大信号分析当VinVTH时,M1处于截止状态,Vout等于零;,Vin增大并超过VTH,M1导通进入饱和区;,Vin进一步增大,Vout跟随Vin的变化,且两者之差为VGS。,沏羽跳尺壕渺姥冉叉甭榔齐银栅丹相鞋摘丫俊汀晚蒂户轰存洗嘲氮祖挨哦CMOS模拟集成电路设计_ch3单级放大器CMOS模拟集
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