dsp与外扩展存储器的连接方法.docx
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1、几种DSP与外接存储器的连接方法俞斌贾雅琼引言存储器接口分为ROM接口和RAM接口两种。ROM包括EPROM和FLASH,而RAM 主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片内RAM和16K字的掩膜ROM。但是在 DSP应用的很多场合,尤其是带信号存储的DSP应用来说,TMS320C5409的片内存储资源 是远远不够用的。因此,设计一个TMS320C5409硬件系统一般应该包括其与EPROM/FLASH 和SRAM的接口设计,以存放程序和数据。本文介绍TMS320C5409与存储器的接口设计2 DSP与SRAM的接口设计除了内部32k字RAM和16K字ROM之外,TMS320C5
2、409还可以扩展外部存储器。其 中,数据总空间总共为64k字(0000HFFFFH) ,I/O空间为64K字(0000HFFFFH),程 序空间为8M。8M的程序空间的寻址是通过额外的7根地址线(A16A22)实现的,由XPC 寄存器控制。根据程序和数据的空间配置,扩展的方法主要有3种。2.1分开的程序和数据空间配置这种方案是采用外接一个128kX16位的RAM,将程序区和数据区分开,如图1所示。 采用程序选通线接外部RAM的A16地址线实现,因此,程序区为RAM的前64k字(0000H FFFFH),数据区为RAM的后64k字(10000H1FFFFH)。对DSP而言,程序区和数据区 的地址
3、范围均为0000HFFFFH。采用这种配置方法需要注意:如果内部RAM设置为有效,则相同地址的外部RAM自 动无效;当外部RAM不能全速运行时,需要根据速度设置插入等待状态(设置SWWSR)。2.2混合的程序和数据空间配置这种方案是令OVLY=1,此时内部RAM既是数据区也是程序区。这样设置的优点是程 序可以在内部全速运行,缺点是由于程序和数据是共用的,因此存储区就变小了。此外,在 链接时必须将程序和数据分开,以避免重叠。这种配置方法如图2所示。将和信号接至一与非门,形成PDS信号,这个信号不论是有效 还是有效都呈现有效(高电平),将这个信号经反向用作片选信号,就可以保证外部RAM 既作为程序
4、区也作为数据区。图1分开的数据和程序空间配置图2混合的数据和程序空间配置2.3优化的混合程序和数据空间配置图3所示为一种优化的混合程序和数据区外接RAM的方法。这种配置方法省去了 DSP 的A15地址线,将RAM分成32k字长的块。采用这种方法后,可充分利用外接的RAM, 不会因内部RAM和外部RAM的地址重叠而造成外部RAM的浪费。图3优化的混合数据和程序空间配由于外部扩展的空间很大,因此DSP程序区另外的地址空间也能访问到外部RAM。这 种优化的外部RAM配置方法,使得在使用DSP的内部RAM的情况下,能够充分利用外部 扩展RAM。图4 DSP与FLASH的接口3 DSP与FLASH的接口
5、设计图4为DSP与FLASH的一种接口配置。图中FLASH采用Silicon Storage公司的新- 代256KX 16位CMOS FLASH Memory产品SST39VF400A作为DSP的外部数据存储器, 地址总线和数据总线接至DSP的外部总线,接至DSP的。DSP上的XF引脚用于启动编程。 当XF为低时,FLASH处于读状态;当XF为高时,FLASH可擦或编程。为了满足 SST39VF400A的时序要求,XF与相“或”后接至,引脚与相“或”后接至。4 FLASH的擦写4.1片外FLASH擦写原理在实际应用中,选择的片外存储器通常是片外的RAM或FLASH Memory。但是,由于 R
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