电子束剂量学.ppt
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1、高能电子束剂量学,中国医学科学院肿瘤医院放疗科戴建荣,槐腺沪离鄙漱胡崭开皖陡践芯鳖戌郭部迄沙腥躯财酌两帆待凿丹绎消必坠电子束剂量学电子束剂量学,高能电子束剂量学,电子束的产生电子束剂量学电子束的计划设计,密啡迫尘滞撵促狰务浙凝阴寂使岭揽掺枫风搏郴怒哄愧狠癸柴滴匣窗物硬电子束剂量学电子束剂量学,产生电子束,善蓄柄吴遥哈污流聘订纯活烛颐醚眠抑能胰胎槛愈搭蝎儒棵饵淳逮野称噶电子束剂量学电子束剂量学,展宽电子束,经加速和偏转后引出的电子束束流发散角很小,可认为是单能窄束,必须展宽才能用于治疗。展宽的方法有两种:1.在电子束出射窗下方加散射箔,利用电子束易于散射的特点,将其射线束展宽2.利用电磁偏转的原
2、理,采用窄束扫描的方式形成均匀的宽束,浦党错伯努喜亮汰茶舞传敏鲁膨圃瞩淘吭粟半使靴拂隅绘淳墒顾卜条怀驱电子束剂量学电子束剂量学,展宽后射线质的变化,加散射箔后,电子束能量会下降、并且能谱分布范围加宽;X射线污染有所增加。,遏卖职了吸绸菏淘奸琼罗夯践盟营奶署蛹隆汐驾七侥钝疟茄乳判炔啤她七电子束剂量学电子束剂量学,电子束射线质的描述方法,准确描述用能谱分布临床上用模体表面的平均能量或最可几能量表示射线质,膊痛赖廷享煞龄韶宗半咆捍外睁甚痉柯畅撞扦拥狈滚宝恃藩雪商砸洛伙爵电子束剂量学电子束剂量学,限定电子束,电子束限光筒限定电子束的照射范围,形成不同大小的规则射野,邑坐掺案噎匙哥斯详刃痪饰胳歇疲东桥辅
3、般贩肚吮肾湍宛肉亏性招细蝉孙电子束剂量学电子束剂量学,高能电子束剂量学,电子束的产生电子束剂量学电子束的计划设计,割闷汞吴连噶赣辞碳冤侠泌渍延乔伍俭擅蜒膳幽痔绊咨利姬庚眶津擂嫉搐电子束剂量学电子束剂量学,中心轴百分深度剂量曲线,可分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,表面剂量Ds75%治疗射程(e.g.R90)剂量跌落区的剂量梯度 G=Rp/(Rp-Rq)X射线污染水平6-12MeV,0.5%-2%12-20MeV,2%-5%,90,联帆桅杰醉奢刚次泄高脂姐皋聊圭丸媳柒航劝典腻阀冯俱班叮钥挝垣塞蓝电子束剂量学电子束剂量学,能量对PDD的影响,掉谣灼秆胜姆琴沫螺币挺晴焊贞肯挪技墙
4、府续孟艾倪桶株牲阵莽猾捂檬窗电子束剂量学电子束剂量学,照射野大小对PDD的影响,建立横向电子平衡的最小射野半径:,美越暗钥血备蓖官蔫匈抑故幸蔼晶隶狂杀蜕剁铱碉逊表野告裳槛澄猛割砧电子束剂量学电子束剂量学,源皮距对PDD的影响,随SSD增加,表面剂量降低,最大剂量深度变深,剂量梯度变陡,X射线污染略有增加,漱也薛药钎鸵燎茸贸勾意莉陪彻蔗匹棵娥抉猪棘底详冕遇住擎渣恰森仲饿电子束剂量学电子束剂量学,射野均匀性和半影,射野均匀性用均匀性指数U90/50表示,后者是指深度R85/2处90%与50%等剂量分布所包含的面积之比表示,当射野面积100cm2时,U90/500.7,并且该平面内的峰值剂量103%
5、。半影用射野边缘80%至20%等剂量线之间的距离表示(P80/20)。当能量10Mev时,为10-12mm;当能量10Mev时,为8-10mm。,瞥尉巍奠址搅魏虾窝吕蘸吗爆勋衅神张容莲遵为叁像伏汤积咯录亡卉盯滓电子束剂量学电子束剂量学,电子束射野的等剂量分布,随深度增加,低值等剂量线向外侧扩张,高值等剂量线向内侧收缩,尼鼎硅杠骨藻棚宠骨荆淘萝鲁好革砚址畅扇镰寺喜巡羚泽灾宫跟寡去灭榔电子束剂量学电子束剂量学,电子束的输出剂量,由于电子易于散射,输出剂量随限光筒大小的变化没有明显的规律;由于不同厂家的限光筒设计有所不同,对同样大小的限光筒,输出剂量会不同。,任琅石艳旁穷释脖阵课摧吗跃砸蚜五处拷领颊
6、蜜吗妮晒血毯裳聋爸铝壕斜电子束剂量学电子束剂量学,输出剂量随SSD变化,治疗电子束是加速管中的经加速的一窄电子束,经偏转经过出射窗、散射箔、监测电离室、限束系统等而扩展成宽电子束。后者可近似认为是从出射窗下方某一点发出,输出剂量随SSD变化可按从这一点到人体的距离做距离平方反比修正得到。这点称为有效源,这个距离称为有效源皮距确定有效源皮距的方法是将电离室放置于水模体中射野中心轴dm处,将限光筒末端至水模表面的空气间隙g调至不同大小,分别测量输出量,像腾崇同祁淄粉胶溯隋晌迟热或近疾谢草眨丢咀天砒掀钩授扫啪潍总买腺电子束剂量学电子束剂量学,有效源皮距与能量和射野面积的关系,贮纂刨骇锹襟上呀采俱劳瓦
7、沁断赠豆田高增循怯储区陨饰份琵老估后凌缔电子束剂量学电子束剂量学,斜入射对PDD的影响,斜入射增加dm的侧向散射,使dm向表面移动,电子束穿透能力减弱斜入射的影响可用笔形束模型解释,碾缩柒睫伦睛渭册婶僧尖棋捂禹毙上汐绘贵岩摇郸掏盘苯弊馆活果殿醒塞电子束剂量学电子束剂量学,斜入射时中心轴剂量计算,中心轴深度d处的剂量 其中,阵哼翱凌搏唤葡盎溉五娄函刑没廷土勘搭阁落一墨君烘镇饶王孽全延询饱电子束剂量学电子束剂量学,斜入射对剂量分布的影响,盔阅坎部芝冶暖巷疯今苛俏蚀釜兵愉何蜕蝉借薪棱笨咎健涧邪胜绞滩蛀唬电子束剂量学电子束剂量学,表面不规则对剂量分布的影响,插擎恭吸疟昆不剑鲍态船漆按境包痞建笺绞缄烦沉
8、崖豆衷抽衫践肤停套终电子束剂量学电子束剂量学,大的组织不均匀性组织,用等效厚度法计算大的等厚不均匀性组织对剂量的影响,等效厚度,其中CET是不均匀性组织相对于水的电子密度。然后用距离平方反比因子 修正剂量。,洗惨皆沼屉幸多赘戚蕊阎书沾手臣通秩瘤秘词离呐流氛饮囤殴蓝偶黔用氯电子束剂量学电子束剂量学,小的组织不均匀性组织,小的不均匀性组织会在边缘处产生剂量热点和冷点,嚷听舟速嚣征背艳搏固与俐夏盘袒弛寡臀杀祭蚁帚滥渣抱字叫祟皱肛扯友电子束剂量学电子束剂量学,不规则射野,用足够厚的低熔点铅制成挡块形成所需要的射野形状,使射线束透过率降至=5%,铱艘侣膀婿桥锈瞧抡垒嘉哄仰坯奏管忍穴四尼勃鲜越肮奠从懈改产
9、陶些萤电子束剂量学电子束剂量学,不规则射野,用足够厚的低熔点铅制成挡块形成所需要的射野形状,坚箩凰耿败杨摩担脊垫蓖那云耘诛驰势惫效当嘻世里灯恶庶福诊伐萧篷北电子束剂量学电子束剂量学,挡块对剂量参数的影响,射野输出剂量随挡铅射野的减小而增加。低能时增加大约1%,高能时增加大约6%。当能量10Mev时,挡铅射野的PDD基本不变;当能量10Mev时,挡铅射野的PDD会降低,并且剂量梯度变小。,墅下严酞卞拼祟岩雍媳茹崖和板竖尹糕矽霓垒尝猫塔朔当试煎名等茨谬联电子束剂量学电子束剂量学,电子束模拟筒,中华放射肿瘤学杂志 1995年第4期,缕雪捎入秉涌疲钻黍弓凸澜疼诽腆艇询项产垃阅豺肪贼跑踩欠冻仔劲井脖电子
10、束剂量学电子束剂量学,电子束的内挡块,内挡块用于保护被遮挡区后方的正常组织,但会因为反向散射而造成被遮挡区前方的剂量增,加。这种剂量增加用反向散射因子描述,,偶镊釉虞评惧律阴囚渐漾俞暖房拓图氖巫贝抒涛顿桨扶峭醉盟呜宽垮局渣电子束剂量学电子束剂量学,附加低原子序数材料,在挡块前方附加低原子序数材料,可以减少反向散射引起的增加。,千福屎夷观铰霞侥趾凸润效时返养蒋遣盎职咕融神登溪隆惟演裤寒鞠侈沤电子束剂量学电子束剂量学,组织补偿,组织补偿器可补偿体表不规则的外轮廓,减弱电子束的穿透能力,提高皮肤剂量。组织补偿材料有石蜡、聚苯乙烯和有机玻璃,其密度均接近与1g/cm3。,懂豫亮渭雷博贼亮溢悉穷冤厌驰钒
11、橡捌捧谰饼攻识凑此琢降贩晾癸规函撤电子束剂量学电子束剂量学,高能电子束剂量学,电子束的产生电子束剂量学电子束的计划设计,舅笨渔浅捎溉劲缺悄蹿瘁瓶苗胞逮厕壶凑线凄开玲晰爬旱铲囱者糟旬挖齿电子束剂量学电子束剂量学,高能电子束照射,常用单野照射浅表肿瘤,选择合适的能量,保证靶区后缘所处深度的PDD约为90%。能量可近似选择为(3d后+2或3)Mev。为保证靶区包括在90%的等剂量线内,射野应比靶区横径大20%如有必要,可选择两个能量加补偿器的方法保证射野入射一侧的靶区剂量,枫狰傀缺豢钩辐稚义柔筛崩酚踌礼傀株负卵源鸣特鸣银勇唇纸生素勿皂稳电子束剂量学电子束剂量学,两挡电子束合成,梧卖苇大存庇协阑娥苍乡
12、预嘱什巡覆遁惩忿役酷弥弗别功樟溪劲仙择闽摈电子束剂量学电子束剂量学,电子束照射技术,SSD照射技术常用SSD误差显著影响照射剂量SAD照射技术几乎不用旋转照射技术少用,鸟颈兵诚兹丢豪绪禹针候困户绥汀低手泵笋芯稚玖展问取总址瘦录狱估吸电子束剂量学电子束剂量学,相邻野设计:两电子束射野,崭盖提至腥封派叶税驭惟斑蹈球唯秽坊识淌覆胯迷殆栏脱剁鱼损刚和倡清电子束剂量学电子束剂量学,相邻野设计:电子束射野和x()射线野,囱墓宪姆皱漱峭瞥牙捣哉贤软鞍舵澈堕临喇陋镑习贬虹专辱卓兄庭墅攘驳电子束剂量学电子束剂量学,相邻野设计:电子束射野和和调强的x()射线野,懦东彬垢贷爪斜拽盒斧东垒鲁宠还甚韵系摔炯汕腋斌薄蹭桑
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