南通关于成立半导体硅片公司可行性研究报告.docx
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1、南通关于成立半导体硅片公司可行性研究报告xxx有限公司目录第一章 拟组建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 项目建设背景及必要性分析15一、 半导体硅片介绍及主要种类15二、 半导体行业发展情况20三、 半导体硅片市场规模与发展态势23四、 项目实施的必要性25第三章 市场分析27一、 SOI硅片市场现状及前景27二、 SOI硅片市场现状及前景29第四章 公司组建方案32一、 公司经营宗旨32二、
2、 公司的目标、主要职责32三、 公司组建方式33四、 公司管理体制33五、 部门职责及权限34六、 核心人员介绍38七、 财务会计制度39第五章 发展规划47一、 公司发展规划47二、 保障措施51第六章 法人治理54一、 股东权利及义务54二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事62第七章 环境保护分析64一、 环境保护综述64二、 建设期大气环境影响分析65三、 建设期水环境影响分析65四、 建设期固体废弃物环境影响分析66五、 建设期声环境影响分析66六、 营运期环境影响67七、 环境影响综合评价68第八章 项目选址分析69一、 项目选址原则69二、 建设区基本情况69三、 创新驱
3、动发展75四、 社会经济发展目标76五、 产业发展方向79六、 项目选址综合评价85第九章 项目风险评估86一、 项目风险分析86二、 项目风险对策88第十章 进度实施计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 投资方案92一、 编制说明92二、 建设投资92建筑工程投资一览表93主要设备购置一览表94建设投资估算表95三、 建设期利息96建设期利息估算表96固定资产投资估算表97四、 流动资金98流动资金估算表99五、 项目总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表101第十二章 经济收益分析
4、103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十三章 项目综合评价114第十四章 附表附录116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资
5、产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建筑工程投资一览表129项目实施进度计划一览表130主要设备购置一览表131能耗分析一览表131报告说明xxx有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xxx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资243.00万元,占xxx有限公司30%股份;xxx集团有限公司出资567万元,占xxx有限公司70%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资6269.59万元,其中:建设投资4991.86万元,占项目总投资的79.62%;建设期利息98.99万元,占项目总投资的1.5
6、8%;流动资金1178.74万元,占项目总投资的18.80%。项目正常运营每年营业收入10400.00万元,综合总成本费用8069.97万元,净利润1705.13万元,财务内部收益率20.33%,财务净现值2071.50万元,全部投资回收期5.99年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。半导体制造材料主要包括硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等。根据SEMI统计,2018年硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品的销售额分别为120.98亿美元、42.73亿美元、40.41亿美元、22.76亿美元,分别占全球半导体制造
7、材料行业36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市场份额。半导体硅片占比最高,为半导体制造的核心材料。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xxx有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本810万元三、 注册地址南通xxx四、 主要经营范围经营范围:从事半导体硅片相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx有限公司主要由
8、xxx(集团)有限公司和xxx集团有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2536.642029.311902.4
9、8负债总额1422.621138.101066.96股东权益合计1114.02891.22835.51公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入5505.094404.074128.82营业利润879.96703.97659.97利润总额818.23654.58613.67净利润613.67478.66441.84归属于母公司所有者的净利润613.67478.66441.84(二)xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司满怀信心,发扬“
10、正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2536.642029.311902.48负债总额1422.621138.101066.96股东权益合计1114.02891.22835.51公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入5505.094404.074128.82营业利润879.96703.97659.97利润总额818.23654.58613.67净利润6
11、13.67478.66441.84归属于母公司所有者的净利润613.67478.66441.84六、 项目概况(一)投资路径xxx有限公司主要从事关于成立半导体硅片公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由过去30年间,半导体硅片行业集中度持续提升。20世纪90年代,全球主要的半导体硅片企业超过20家。2016-2018年,全球前五大硅片企业的市场份额已从85%提升至93%。半导体硅片行业兼具技术密集型、资本密集型与人才密集型的特征。行业龙头企业通过多年的技术积累和规模效应,已经建立了较高的行业壁垒。“十三五”时期,我们必须以全球的视野、战略的眼光,增强战略自信,保持战略定力,用好战略机遇
12、,以更加积极的姿态,攻坚克难、奋发有为,着力在优化结构、增强动力、化解矛盾、补齐短板上取得突破性进展,加快形成发展和竞争新优势,实现更高质量、更有效率、更加公平、更可持续的发展,实现“迈上新台阶、建设新南通”的发展目标。(三)项目选址项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约13.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨半导体硅片的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积15346.91,其中:生产工程11124.10,仓储工程1820.79,行政办公及生活服务设施1467.31
13、,公共工程934.71。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资6269.59万元,其中:建设投资4991.86万元,占项目总投资的79.62%;建设期利息98.99万元,占项目总投资的1.58%;流动资金1178.74万元,占项目总投资的18.80%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):10400.00万元。2、综合总成本费用(TC):8069.97万元。3、净利润(NP):1705.13万元。4、全部投资回收期(Pt):5.99年。5、财务内部收益率:20.33%。6、财务净现值:2071.50万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价由上可见,
14、无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等化合物半导体。相较于锗,硅的熔点为1,415,高于锗的熔点937,较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中;硅的禁带宽度大于锗,更适合制作高压器件。相较于砷化镓,硅安全无毒、对环境无害,而砷元素为有毒物质;并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物,在晶圆制造时还需要在表面
15、沉积多层绝缘体,这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%,是除了氧元素之外第二丰富的元素,硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中,储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化,可制成纯度98%以上的硅;高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%(9-11个9)的超纯多晶硅;超纯多晶硅在石英坩埚中熔化,并掺入硼(P)、磷(B)等元素改变其导电能力,放入籽晶确定晶向
16、,经过单晶生长,制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量,而熔体中的硼(P)、磷(B)等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延(如有)、键合(如有)、清洗等工艺步骤,制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线,使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中,半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷,保持极高的平整度与表面洁净度,以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年,戈登摩尔提出摩尔定律:集成电路上所集成的晶体管数量,每隔18个月就
17、提升一倍,相应的集成电路性能增强一倍,成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言,这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大,在单片硅片上可制造的芯片数量就越多,单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸(以直径计算)主要有50mm(2英寸)、75mm(3英寸)、100mm(4英寸)、150mm(6英寸)、200mm(8英寸)与300mm(12英寸)等规格。在摩尔定律的影响下,半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本,向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大,在单片硅片上制造的芯片数量就越多,单位
18、芯片的成本随之降低。同时,在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用,必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大,相对而言硅片边缘的损失会越小,有利于进一步降低芯片的成本。例如,在同样的工艺条件下,300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上,可使用率(衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标)是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大,对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前,全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片,下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时
19、间较早,绝大部分设备已折旧完毕,因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低,在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外,在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器、高压MOS等特殊产品方面,200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上,200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动,200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前,除上述特殊产品外,200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等
20、,终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前,300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA(现场可编程门阵列)与ASIC(专用集成电路),终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD(固态存储硬盘)等较为高端领域。根据制造工艺分类,半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片,抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小,光刻机的景深也越来越小,硅片上极其微小的高度差都会使
21、集成电路布线图发生变形、错位,这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外,硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层,实现半导体硅片表面平坦化,并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件,广泛应用于存储芯片与功率器件等,也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层,掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷,具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用,如通用处理
22、器芯片、图形处理器芯片等,由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低,提高了栅氧化层的完整性,改善了沟道中的漏电现象,从而提升了集成电路的可靠性。除此之外,通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层,应用于二极管、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中,硅衬底的低电阻率可降低导通电阻,高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性,并减少了器件的能耗,因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅,是常见的硅基材料之一,其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在
23、于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离,这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象,并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此,SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上,如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。二、 半导体行业发展情况1、半导体简介半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、氮化镓等化合物半导体。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体行业具有技术难度高、投资规模
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