毕业设计论文基于单片机的智能充电器设计.doc
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1、目录摘 要IABSTRACTII1 绪论11.1 课题研究的背景11.2 课题研究的主要工作32 锂电池充电器硬件设计32.1 单片机电路部分32.2 电压转换及光耦隔离电路部分72.3 电源产生电路部分82.4 充电控制电路部分103 锂电池充电器软件设计163.1程序功能163.2 主要变量说明173.3 程序流程图17结 论20致 谢21参考文献22附录1 电路原理图23附录2 主要源程序24摘 要本课题设计是一种基于单片机的锂离子电池充电器,在设计上,选择了简洁、高效的硬件,设计稳定可靠的软件,详细说明了系统的硬件组成,包括单片机电路、充电控制电路、电压转换及光耦隔离电路,并对本充电器
2、的核心器件MAX1898充电芯片、AT89C2051单片机进行了较详细的介绍。阐述了系统的软硬件设计。以C语言为开发工具,进行了详细设计和编码。实现了系统的可靠性、稳定性、安全性和经济性。该智能充电器具有检测锂离子电池的状态;自动切换充电模式以满足充电电池的充电需要;充电器短路保护功能;充电状态显示的功能。在生活中更好的维护了充电电池,延长了它的使用寿命。关键词:单片机;MAX1898;AT89C2051ABSTRACTThis topic design is one kind lithium ion battery charger which is based on Single Chip,
3、 in the design, it has chosen succinctly, the highly effective hardware, the design stable reliable software, explained in detail systems hardware composition, including the monolithic integrated circuit electric circuit, the charge control electric circuit, the voltage transformation and the light
4、pair isolating circuit, and to this battery chargers core component - MAX1898 charge chip, at89C2051 monolithic integrated circuit has carried on the detailed introduction. Elaborated systems software and hardware design. Take the C language as the development kit, has carried on the detailed design
5、 and the code. Has realized systems reliability, the stability, the security and the efficiency. The intelligence battery charger has the examination lithium ion batterys condition; The automatic cut over charge pattern meets when rechargeable batterys charge needs; Battery charger has short circuit
6、 protection function; The charge condition demonstrations function. The battery charger has made the better maintenance rechargeable battery in the life,and lengthened the rechargeable batterys service life.Key words:SCM;MAX1898;AT89C20511 绪论1.1 课题研究的背景电池是一种化学电源,是通过能量转换而获得电能的器件。二次电池是可多次反复使用的电池,它又称为可
7、充电池或蓄电池。当对二次电池充电时,电能转变为化学能,实现向负荷供电,伴随吸热过程。对于二次电池,其性能参数很多,主要有以下4个指标:工作电压:电池放电曲线上的平台电压。电池容量:常用单位为安时(Ah)和毫安时(mAh)。工作温区:电池正常放电的温度范围。电池正常工作的充、放电次数。二次电池的性能可由电池特性曲线表示,这些特性曲线包括充电曲线、放电曲线、充放电循环曲线、温度曲线等。二次电池的安全性可用特性的安全检测方式进行评估。二次电池能够反复使用,符合经济使用原则。对于市场上二次电池的种类,大致分为:铅酸(LA)电池、镍镉(NiCd)电池、镍氢(NiMH)电池和锂离子(Liion)电池。 1
8、.二次电池的性能比较铅酸、镍镉、镍氢和锂离子电池的性能比较见表1-1。表1-1 铅酸、镍镉、镍氢和锂离子电池的性能比较电池类型工作电压(V)重量比能量(Wh/kg)体积比能量(Wh/L)循环次数记忆效应自放电率(%/月)铅酸电池2.0400600无3镍镉电池1.250150400500有1530镍氢电池1.26080240300500无2535锂离子电池3.61201403001000无252.镍氢电池、镍镉电池与锂离子电池之间的差异(1)重量方面以每一个单元电池的电压来看,镍氢电池与镍镉电池都是1.2V,而锂离子电池为3.6V,锂离子电池的电压是镍氢、镍镉电池的3倍。并且,同型电池的重量锂离
9、子电池与镉镍电池几乎相等,而镍氢电池却比较重。但锂离子电池因端电压为3.6V,在输出同电池的情况下,单个电池组合时数目可减少2/3从而使成型后的电池组重量和体积都减小。(2)记忆效应镍氢电池与镍镉电池不同,它没有记忆效应。对于镍镉电池来说,定期的放电管理是必需的。这种定期放电管理属于模糊状态下的被动管理,甚至是在镍镉电池荷电量不确切的情况下进行放电(每次放电或者使用几次后进行放电都因生产厂的不同有所差异),这种烦琐的放电管理在使用镍镉电池时是无法避免的。相对而言,锂离子电池没有记忆效应,在使用时非常方便,完全不用考虑二次电池残余电压的多少,可直接进行充电,充电时间自然可以缩短。记忆效应一般认为
10、是长期不正确的充电导致的,它可以使电池早衰,使电池无法进行有效的充电,出现一充就满、一放就完的现象。防止电池出现记忆效应的方法是,严格遵循“充足放光”的原则,即在充电前最好将电池内残余的电量放光,充电时要一次充足。通常镍镉电池容易出现记忆效应,所以充电时要特别注意;镍氢电池理论上没有记忆效应,但使用中最好也遵循“充足放光”的原则,这也就是很多充电器提供放电附加功能的原因。对于由于记忆效应而引起容量下降的电池,可以通过一次充足再一次性放光的方法反复数次,大部分电池都可以得到修复。(3)自放电率镍镉电池为15%30%月,镍氢电池为25%35%月,锂离子电池为2%5%。镍氢电池的自放电率最大,而锂离
11、子电池的自放电率最小。(4)充电方式锂离子电池已易受到过充电、深放电以及短路的损害。单体锂离子电池的充电电压必须严格限制。充电速率(蓄电池的充电电流通常用充电速率C表示,C为蓄电池的额定容量,例如用2A的电流对1Ah电池充电,充电速率就是2C;同样地,用2A电流对500mAh电池充电,充电速率就是4C)通常不超过1C,最低放电电压为2.73.0V,如再继续放电,则会损害电池。锂离子电池以恒流转恒压方式进行充电。采用1C充电速率充电至4.1V时,充电器应立即转入恒压充电,充电电流逐渐减小;当电池充足电后,进入涓流充电过程。为避免过充电或过放电,锂离子电池不仅在内部设有安全机构,充电器也必须采取安
12、全保护措施,以监测锂离子电池的充放电状态。3.课题研究的意义本课题研究的对象主要是锂离子电池的充电原理和充电控制。锂离子电池的充电设备需要解决的问题有:(1)能进行充电前处理,包括电池充电状态鉴定、预处理。(2)解决充电时间长、充电效率低的问题。(3)改善充电控制不合理,而造成过充、欠充等问题,提高电池的使用性能和使用寿命。(4) 通过加强单片机的控制,简化外围电路的复杂性,同时增加自动化管理设置,减轻充电过程的劳动强度和劳动时间,从而使充电器具有更高的可靠性、更大的灵活性,且成本低。本课题研究的意义在于:(1)充分研究锂离子电池的充放电特性,寻找有效的充电及电池管理途径。(2)使充电设备具有
13、完善的自诊断功能和适时处理功能。(3)实现充电器具备强大的功能扩展性,以便为该充电器的后续功能升级提供平台。1.2 课题研究的主要工作 本文主要研究锂电池的充电方法,在此基础上进行系统设计和电路设计,并通过实验结果对充电控制方法测试验证。具体结构如下:第一章 绪论。首先介绍了课题研究的背景,再介绍了锂电池的特点和在应用中存在的主要问题及课题研究的意义和主要工作,这是该论文的设计基础。第二章 锂电池充电器电路设计。选择控制芯片进行介绍和比较。在此基础之上,对该电路的充电控制芯片进行选择、介绍与分析。第三章 通过C语言软件编程设计出锂电池快速充电器电路,来实现对锂电池的自动化控制充电。2 锂电池充
14、电器硬件设计2.1 单片机电路部分 1AT89C51AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器(FPEROMFalsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压,高性能CMOS8位微处理器,俗称单片机。AT89C2051是一种带2K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的单片机。单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除100次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中,ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器图1-1(a) A
15、T89C51单片机 (b) AT89C2051单片机AT89C2051是它的一种精简版本。AT89C系列单片机为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。(1)主要特性:与MCS-51 兼容 4K字节可编程闪烁存储器 寿命:1000写/擦循环数据保留时间:10年全静态工作:0Hz-24Hz三级程序存储器锁定128*8位内部RAM32可编程I/O线两个16位定时器/计数器5个中断源 可编程串行通道低功耗的闲置和掉电模式片内振荡器和时钟电路(2)管脚说明:VCC:供电电压。GND:接地。P0口:P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,每脚可吸收8TTL门电流。当P1口的管脚第一次写1时,被定
16、义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。P1口:P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时,P1口作为第八位地址接收。 P2口:P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。
17、并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。P3口:P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。作为输入,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL)这是由于上拉的缘故。P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口
18、,如下表3-1所示:表2-1 P3口口管脚备选功能P3.0/RXD(串行输入口)P3.1/ TXD(串行输出口)P3.2/INT0(外部中断0)P3.3/INT1(外部中断1)P3.4 T0(记时器0外部输入)P3.5 T1(记时器1外部输入)P3.6/WR(外部数据存储器写选通)P3.7/RD(外部数据存储器读选通)P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。RST:复位输入。当振荡器复位器件时,要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。 ALE/PROG:当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。在FLASH编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。在平时,ALE端以不变
19、的频率周期输出正脉冲信号,此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是:每当用作外部数据存储器时,将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时, ALE只有在执行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。另外,该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止,置位无效。PSEN:外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间,每个机器周期两次PSEN有效。但在访问外部数据存储器时,这两次有效的PSEN信号将不出现。EA/VPP:当EA保持低电平时,则在此期间外部程序存储器(0000H-FFFFH),不管是否有内部
20、程序存储器。注意加密方式1时,EA将内部锁定为RESET;当EA端保持高电平时,此间内部程序存储器。在FLASH编程期间,此引脚也用于施加12V编程电源(VPP)。XTAL1:反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。XTAL2:来自反向振荡器的输出。(3)振荡器特性:XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件,XTAL2应不接。有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器,因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求,但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。(4)芯片擦除:整个PEROM阵列和三个锁定位的电
21、擦除可通过正确的控制信号组合,并保持ALE管脚处于低电平10ms 来完成。在芯片擦操作中,代码阵列全被写“1”且在任何非空存储字节被重复编程以前,该操作必须被执行。此外,AT89C51设有稳态逻辑,可以在低到零频率的条件下静态逻辑,支持两种软件可选的掉电模式。在闲置模式下,CPU停止工作。但RAM,定时器,计数器,串口和中断系统仍在工作。在掉电模式下,保存RAM的内容并且冻结振荡器,禁止所用其他芯片功能,直到下一个硬件复位为止。2AT89C2051AT89C2051单片机是51系列单片机的一个成员,是8051单片机的简化版。内部自带2K字节可编程FLASH存储器的低电压、高性能COMS八位微处
22、理器,与Intel MCS-51系列单片机的指令和输出管脚相兼容。由于将多功能八位CPU和闪速存储器结合在单个芯片中,因此,AT89C2051构成的单片机系统是具有结构最简单、造价最低廉、效率最高的微控制系统,省去了外部的RAM、ROM和接口器件,减少了硬件开销,节省了成本,提高了系统的性价比。AT89C2051是一个有20个引脚的芯片,引脚配置如图3所示。与8051相比,AT89C2051减少了两个对外端口(即P0、P2口),使它最大可能地减少了对外引脚下,因而芯片尺寸有所减小。AT89C2051芯片的20个引脚功能为:VCC 电源电压。GND 接地。RST 复位输入。当RST变为高电平并保
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