毕业设计论文LED节能灯设计.doc
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1、 LED节能灯的设计摘要摘要: 随着半导体材料及工艺技术的进步,生产量的增加,笔者认为可能还需35年时间,LED照明灯的性能会进一步地提高,价格也会不断地下降,它将逐步地进入千家万户,给您带来节电、明亮的新的光源。LED日光灯节电高达80以上,寿命为普通灯管的10倍以上,几乎是免维护,不存在要经常更换灯管、镇流器、起辉器的问题,约半年下来节省的费用就可以换回成本。绿色环保型的半导体电光源,光线柔和,光谱纯,有利于工人的视力保护及身体健康,6000K的冷光源给人视觉上清凉的感受,有助于集中精神,提高效率。关键字:LED, 节能, ,亮度,Abstract:With the summary of
2、semiconductor materials and process technology, production increases, I believe that may be 3 to 5 years, LED lighting performance will further improve, prices will continue to decline, it will gradually enter 1000 10,000, to bring your energy, a bright new light source.LED Energy-saving fluorescent
3、 lamps as high as 80% more than the ordinary life of the lamp more than 10 times, almost maintenance-free, non-existent to the regular replacement of lamp, ballast, the starting-hui, about six months down the cost savings will be able to In exchange for the cost. green-power semiconductor light sour
4、ce, soft light, pure spectrum, in favor of the workers and to protect the health of vision, 6000K gives the cold light of the cool visual experience will help focus and improve efficiency.Keyword: LED, energy, brightness,目 录第一章 LED的发展概况.31.1.发光二极管介绍3 1.1.1. 发光二极管的结构. 4 1.1.2. 发光原理.71.2.发光强度及发光效率的提高8
5、1.3.LED的功率提高91.4.白光LED的诞生是个突破9第二章 LED在照明系统中的应用.102.1.白光LED照明灯泡102.2.彩色LCD的背光照明102.3.闪光灯102.4.家用LED照明灯112.5.算一笔节电帐及经济帐122.6.本课题的设计背景12第三章 硬件设计.13 3.1. 驱动原理及应用.13 3.2.电容降压原理介绍143.3.应用电容降压电路驱动LED节能灯153.3.1.举例分析153.3.2.电路工作原理163.4.硬件设计框图183.5.原理图设计193.6.PCB设计203.7.电容降压电源原理和计算公式20第四章 装配过程.214.1.材料选择214.1
6、.1.降压用CBB电容214.1.2.散光源LED灯224.1.3.塑料外壳224.1.4.其他材料234.1.5.LED安装底座234.1.6.焊接完后的PCB图:244.1.7.成品图片24第五章 结语.24参考文献25第一章LED的发展概况1.1. 发光二极管简介发光二极管(LED)是一种电致发光的光电器件。早在1907年开始,人们就发现某些半导体材料制成的二极管在正向导通时有发光的物理现象,但生产出有一定发光效率的红光LED已是1969年了。到今天,LED已生产了30多年,回顾过去,它已茁壮成长。各种类型的LED、利用LED作二次开发的产品及与LED配套的产品(如白光LED驱动器)发展
7、迅速,新产品不断上市,已发展成不少新型产业LED发展历史已经几十年,但在照明领域的应用还是新技术。随着LED技术的迅猛发展,其发光效率的逐步提高,LED的应用市场将更加广泛,特别在全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下,LED在照明市场的前景更备受全球瞩目,被业界认为在未来10年成为最被看好的市场以及最大的市场将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的最大潜力商品。展望将来,还期望更进一步地提高。 早期的LED主要用于做指示灯。它的发光强度不高,一般小于1mcd,高的也仅几个mcd;另外,发光效率也不高,一般小于0.21m/W,其功率仅几十mW到上百个mW(属于小功率LED)。本文就从发光强度提高说起。1.
8、1.1. 发光二极管的结构 LED Lamp(led 灯)主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。一、支架:1)、支架的作用:用来导电和支撑 2)、支架的组成:支架由支架素材经过电镀而形成,由里到外是素材、铜、镍、铜、银这五层所组成。 3)、支架的种类:带杯支架做聚光型,平头支架做大角度散光型的Lamp。A、2002杯/平头:此种支架一般做对角度、亮度要求不是很高的材料,其Pin长比其他支架要短10mm左右。Pin间距为2.28mmB、2003杯/平头:一般用来做5以上的Lamp,外露pin长为+29mm、-27mm。Pin间距为2.54mm。C、2004杯/平头:用来做3左右的
9、Lamp,Pin长及间距同2003支架。D、2004LD/DD:用来做蓝、白、纯绿、紫色的Lamp,可焊双线,杯较深。E、2006:两极均为平头型,用来做闪烁Lamp,固IC,焊多条线。F、2009:用来做双色的Lamp,杯内可固两颗晶片,三支pin脚控制极性。G、2009-8/3009:用来做三色的Lamp,杯内可固三颗晶片,四支pin脚。 二、银胶 银胶的作用:固定晶片和导电的作用。 银胶的主要成份:银粉占75-80%、EPOXY(环氧树脂)占10-15%、添加剂占5-10%。 银胶的使用:冷藏,使用前需解冻并充分搅拌均匀,因银胶放置长时间后,银粉会沉淀,如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能
10、。三、晶片(Chip): 发光二极管和led芯片的结构组成1)、晶片的作用:晶片是LED Lamp的主要组成物料,是发光的半导体材料。 2)、晶片的组成:晶片是采用磷化镓(GaP)、镓铝砷(GaAlAs)或砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。 3)、晶片的结构: 焊单线正极性(P/N结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位:mil晶片的焊垫一般为金垫或铝垫。其焊垫形状有圆形、方形、十字形等。4)晶片的发光颜色: 晶片的发光颜色取决于波长,常见可见光的分类大致为:暗红色(700nm)、深红色(640-660nm)、红色(615-635nm)、琥珀色(600-61
11、0nm)、黄色(580-595nm)、黄绿色(565-575nm)、纯绿色(500-540nm)、蓝色(450-480nm)、紫色(380-430nm)。 白光和粉红光是一种光的混合效果。最常见的是由蓝光+黄色荧光粉和蓝光+红色荧光粉混合而成。 5)、晶片的主要技术参数: A、晶片的伏安特性图:B、顺向电压(VF):施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。VF过大,会使晶片被击穿。C、顺向电流(IF):晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。IF的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20mA左右。D、逆向电压(VR):施加在晶片上的反向
12、电压。E、逆向电流(IR):是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。F、亮度(IV):指光源的明亮程度。单位换算:1cd=1000mcd G、波长:反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位:nmH、光:是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。光可分为:波长大于0.1mm称为电波;760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光; 10nm-380nm叫紫外光;波长小于10nm的是X线光。四、金线:金线的作用:连接晶片PAD(焊垫)与支架,并使其能够导通。 金线的纯度为99.99%Au;延
13、伸率为2-6%,金线的尺寸有:0.9mil、1.0mil、1.1mil等。五、环氧树脂:环氧树脂的作用:保护Lamp的内部结构,可稍微改变Lamp的发光颜色,亮度及角度;使Lamp成形。 封装树脂包括:A胶(主剂)、B胶(硬化剂)、DP(扩散剂)、CP(着色剂)四部份组成。其主要成分为环氧树脂(Epoxy Resin)、酸酐类(酸无水物 Anhydride)、高光扩散性填料(Light diffusion)及热安定性染料(dye)六、模条:模条是Lamp成形的模具,一般有圆形、方形、塔形等。支架植得深浅是由模条的卡点高低所决定。模条需存放在干净及室温以下的环境中,否则会影响产品外观不良1.1.
14、2. 发光原理发光二极管是由-族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量
15、不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数m以内产生。 发光二极管的种类很多,按发光材料来区分有磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷铝镓(GaAIAs)发光二极管等;按发光颜色来分有发红光、黄光、绿光以及眼睛看不见的红外发光二极管等;若按功率来区别可分为小功率(HG 400系列)、中功率(HG50系列)和大功率(HG52系列)发光二极管:另外还有多色、变色发光二极管等等。 附发光二极管在电路中的符号及LED发光原理图。 1.2. 发光强度及发光效率的提高 作为指示灯方面的应
16、用,有几个mcd的发光强度也可以了,但由LED组成的数码管或字符管则显得亮度不足,若要用于户外作信号或标志显示,则其亮度太低,不能满足使用的要求。所以LED的主要发展方向是提高发光强度(也就是一般所指的提高亮度)。 随着半导体材料及半导体工艺技术、设备的发展,LED的亮度不断提高,开发出高亮度及超高亮度LED,并且不断创造新记录。 笔者用现有的LED资料,以中5标准封装、发红光、视角差不多的LED为例,以不同的生产年份的发光强度来说明LED发光强度提高的情况,近30年LED的发光强度提高了8000倍左右。19691987年LED的发光强度是很低的,发展很慢,但19942005年LED的亮度有很
17、大的发展。表1中列出的并非发光强度最高的。例如,在GaAs的衬低上采用AIlnGaP工艺技术制成的5、红光LED,在小视角4、50mA工作电流时,其典型发光强度为20000mcd。 LED另一个重要性能指标是发光效率,用1m/W来表达。这30多年来,LED的发光效率提高了250倍以上。1970-1990年LED发光效率提高较慢,1990-2005年则提高较快。例如,Cree公司生产的lW白光LED XL7090WHT,其发光效率可达601m/W。 XL7090WHT是超高亮度、小尺寸封装的白光LED。XL7090WHT的发光强度大,电流350mA时的典型光通量为601m,在瞬态脉冲电流700m
18、A时典型光通量可达981m,而目前一般1W白光LED的光通量为3045lm),XL7090WHT的发光效率高达601m/W,视角宽达100,封装尺寸仅为9mmx7mmx4.3mm,工作温度范围是-20+80。 由于XL7090WHT发光强度大、发光效率高,因此它适用于家庭、商业或公共场所明、DVD、笔记本电脑、电视机的彩色显示屏的背光,广告灯、路灯及标志灯,汽车及运输工具的内外照明及数码相机的闪光灯等。 LED的发光强度及发光效率的提高主要取决于采用的半导体材料及其工艺技术的发展。早期的LED主要用GaAs、GaP(二元素半导体材料)和GaAsP(三元素半导体材料),1994年左右采用AIIn
19、GaP(四元素半导体材料)后,其发光强度及发光效率有很大的提高。另外,在工艺技术上采用在GaAs衬底上用AilnGaP材料生产的红光、黄光LED及在SiC衬底上用InGaN材料生产的绿光、蓝光LED,在发光强度及发光效率上有较大的改进。 1.3. LED的功率提高 我们知道LED的发光强度与正向电流IF,几乎成线性关系,即增加正向电流IF可增加发光强度。但LED有一个最大功耗PD值的限制,PD=VFxIF(VF为正向压降),若过大地增加IF而使PD超过最大值时,LED会过热而损坏。为了要提高发光强度,开发出中功率LED(一般为几百mW),其工作电流也提高到70mA。近年来,为进一步提高发光强度
20、,开发出大功率LED,其功率一般为110W(有一些还大于10W)。它的工作电流一般为350700mA,有些可达1A以上。 以American Opto Plus LED公司生产的5W的PU-5WXX系列为例,在700mA电流下,其结温了Tj为25,(大功率LED的发光强度用光通量表示)。 除蓝光LED的发光强度及发光效率较低外,其他发光颜色的发光强度及发光效率都相当高。 早期生产的LED是小功率的(几十至上百mW),现在已能生产大于10W的大功率LED,在功率上增加了100倍以上。 虽然说小功率LED与大功率LED的发光效率是差不多的,但LUMILEDS公司的研究表明,大功率白光LED比5白光
21、LED的寿命更长。另外,采用很多小功率白光LED组成的灯泡可靠性也差一些,灯泡体积也较大。例如,用1W白光LED做成灯具,其尺寸为50.8mmx50.8mmx7.1mm,而采用5白光LED来做,其体积则要大得多。但目前大功率LED投产时间不长,价位较高,所以目前大部分LED灯泡仍是用小功率LED做的。 1.4. 白光LED的诞生是个突破 白光LED是LED家族中最后一个问世的,它的诞生是LED生产中一个重要的突破,它将成为新的照明光源。 白光是复合光,可以用红、绿、蓝(R、G、B)三基色LED混合成白光,1995年前后生产的一种集成LED白光灯(或称全色LED灯)由2个高亮度蓝光LED、15个
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