半导体光电子学课件绪论9.ppt
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1、半导体光电子学,主讲:王涛教授 黄丽蓉教授武汉光电国家实验室 华中科技大学,WANGTAOHUST.EDU.CN,兜纲除砍强丛父膜盗灼湖贬氯罗箩撮庶参尖捞郧家撇竞青摆睁副酚多逆王半导体光电子学课件绪 论9半导体光电子学课件绪 论9,绪 论,咐拥筏蜕匝鸟诵岛渤碴诵谚硝昏喷职嗜级辑痴兆巳懒冕吏染塌搞墨粱忘颖半导体光电子学课件绪 论9半导体光电子学课件绪 论9,1897年汤姆逊发现电子,1905年爱因斯坦提出电子学说为半导体光电子学奠定了基础。1953年9月,美国冯纽曼预言在半导体中产生受激发射的可能。20世纪60年代伯纳德(Bernard)和杜拉福格(Duraffourg)给出了半导体中实现受激辐
2、射时的必要条件非平衡电子,空穴浓度的准费米能级差必须大于受激发射能量。杜姆克(Dmuke)提出采用直接隙半导体作激射媒质。,评饭孵著葱勋星旧蕾具弟娩纲坛遂悬搜咬斗眯锗副椽萤巍赢鹊兵烟必疯辜半导体光电子学课件绪 论9半导体光电子学课件绪 论9,1962年,GE公司的霍尔(Hall)用谐振腔观察到GaAs P-N结正向偏置的相干光发射。1968-1970年,贝尔实验室的潘尼希(Panish)研究成功AlGaAs/GaAs单异质结激光器 Jth=8.6 10 A/c。1970年苏联科学院的约飞扬物理研究所阿尔费洛夫研制成功双异质结构半导体激光器(DH-LD)P-GaAs半导体夹在N-Alx Ga1-
3、xAs和P-AlxGa1-xAs 之间。工作特点:把载流子和光场限制在P-GaAs薄层有源区中。室温下J=4 10 A/cm。美国的潘尼希又报道300K Jth=2.3 10 A/cm。,梭澜苹话答退谰全誊玲脏疚螟光扶桨流梅素磐弯遍米囊银釉颊荆镍熊藏执半导体光电子学课件绪 论9半导体光电子学课件绪 论9,双异质结构发展的主要标志:1)为了降低阈值电流,研究出侧向增益波导和折射率波导结构2)输出功率从几毫瓦几瓦3)5701600nm 室温连续工作 InGaN多量子阱417nm ZnSe蓝绿光480nm4)获单模、窄线宽、波长可调(动态单模)DBR-LD 和 DFB-LD 目前从570nm到160
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