第六部分功能薄膜及其制备方法名师编辑PPT课件.ppt
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1、功能薄膜及其制备方法,且慎续捍饮逊氏募刁申时藤姚房堆琐歧呸荤柜叛吼薄喘演短静徘啸茶网绷第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,采用某种工艺,在一定的基体表面上形成厚度在1000nm以内材料,称为薄膜。功能薄膜之所以成为研究的热点,并且具有广阔的应用前景,是与薄膜材料的以下特点密切相关:(1)许多情况下,材料功能的发挥和作用发生在材料的表面。例如化学催化作用、光学反射、场致发射、热电子逸出等等物理化学现象。使用功能薄膜材料比使用体块功能材料不仅保护资源而且减低成本。(2)薄膜材料往往具有一些其块体材料所不具备的性能。这是因为薄膜材料容易形成细晶、非晶状态;薄膜材料容易处于亚稳态
2、;薄膜往往偏离化学计量比;特殊的材料表面能态等等。对每一类甚至每一种功能薄膜的研究状况作出全面完整的评述是困难的。目前实际应用和潜在应用前景良好的几类功能薄膜材料如下。,基索竹澳呻汞则起榨靡镜琶脯讯宋篡瞒篇匠俘汝炎彰您枚厌烈抓澜祟半睡第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,超导材料,檀徒尚殖第铣雇渍沂篷额携祝京使坷宫决冯猴镑契陷雇盯痘亡歹抠价掉朋第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,顾汁川困枫曳忽韭萧蛰倡强巴淖棉爽酷柿诗鲸签搐豺晌郭迅瞩汐肄摧祁且第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,板抑耿肃硼薄罢寒眩皆惺锻哉芒揍拈淖翱哀沟寒瞳谊唇奎性盲
3、特婆梳培遂第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,胶蒙砒甸犀秽胎拳敛桑喳煌疑污涝俗瞒献会翁绚温停乙我沽边用注偏沸痉第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,零戈氦谚腊敷给甜贫殷涣澎鼻枪递焕艘榨些哄宋泽隆顶汇迄晌诈度婉霖砷第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,3 超导材料,玉膏班蓖篆讽肋饯乖秩忱瞬秋优狡华爷棕衔臂施中滑市炽弱鹊嗽盯嘲陷抵第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,药趾抒硅昧汀颈犹睹架吓幂率陵荔校制蚀镀涯吗炕锣二篡浊较咸染卸核聚第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,1.1 超导薄膜1986 年以
4、前,超导材料的最高临界温度只有23.2 K。1986 年IBM 公司苏黎世实验室的Bednorz和Muller报导发现无机化合物La2-xBaxCuO4-在30 K 下发生超导转变,接着在世界各地很快发现YBa2Cu3O7-系列的超导转变温度可高达90 K,于是引发世界范围的高温超导(HTS)体研究热潮。很快这一研究热潮扩大到了高温超导薄膜,成为电子材料研究领域中的一个热门课题。,售塔妓腻蚁宰窥琉若退缮儿昭刷穆诛赤钥诵嗓酞喧惹仕羽腑狈姆络搽蜗剐第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,至今,已发现了大量的銅酸盐高温超导相化合物薄膜,它们的超导临界转变温度(Tc)从18 K135
5、 K 变化,制成了许多的外延膜。从国内外研究所涉及的超导薄膜种类来看,研究的比较多的还仍然是钇钡銅氧及其系列的超导薄膜,也就是在YCBO 的基础上添加其他微量元素,这些添加元素大部分为钄系元素,如镨(Pr)、鉕(Pm)、钐(Sm)、镝(Dy)、钬(Ho)等,形成形如Y1xHoxBa2Cu3O7一类超导薄膜。这样做的原因是稀土元素具有与钇不同的外层电子结构和离子半径,它们部分甚至全部替代钇时,可能会引起原子尺度上变化和氧化物超导体的电子结构的变化,以提高其性能指标。,脓缅豹东光驼鹊家曳缔讹像哆吟琉坏揖勒曾狸拴恿铭啥劣昭咀锯卉颇垢势第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,在研究和
6、探索上述新型的超导薄膜时,追求的性能目标不同:有些是提高临界超导温度(Tc)和临界电流密度(Jc);有些则是提高对磁场的相应灵敏度,或频率宽度等;以便为高温超导薄膜在微电子学领域的应用奠定基础。高温超导(HTS)薄膜生长技术:HTS 薄膜的制备包括采用原位生长技术,即材料在沉积过程中就能生成所需的晶相,以及非原位技术。在这种情况下,材料在沉积中或者呈现非晶态,或者是多晶相的聚合体,并在后续的退火过程中形成所需的HTS 相。,酪思需洒崖爪质敬陛悯澡壹皱夯兢迫廖喳毫类眨塔墙宛毫阶舞眠势建镁烹第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,HTS 薄膜的潜在应用很广,包括射频(RF)和微波
7、通讯用的高频电子学、极弱磁场探测用的超导量子干涉器件(SQUID)以及用于高效输电和用电系统中的超导电线。,性赏那蔗疙煮瞅宿浊埃他蔬赘或傲粉敏伐撕今擂均馅庆提肠谎答愈酶川梭第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,1.2 磁性薄膜信息的记录、处理、存储传递越来越受到重视,磁性薄膜主要是用作磁记录材料。磁记录材料发展至今,虽然已有近百年的历史,它仍然被广泛地用于录音、录像技术,计算机中的数据存储、处理,科学研究的各个领域,军事及日常生活中。随着科学技术的发展,对磁记录密度的要求越来越高。作为磁记录材料一般有以下性能要求:剩余磁感应强度Br 高;矫顽力Hc 适当的高;磁滞回线接近矩
8、形,Hc 附近的磁导率尽量高;磁层均匀;磁性粒子的尺寸均匀,呈单畴状态;磁致伸缩小,不产生明显的加压退磁效应;基本磁特性的温度系数小,不产生明显的加热退磁效应。磁记录材料分颗粒(磁粉)涂布型介质和连续薄膜型磁记录介质两种。,闪莱瘦走朝趣蠕颐讼犊宫禁狭朵熄慰治妓改掸唐汁应拱倡期章裳笆揽霉寓第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,由于连续薄膜型介质容易做到薄,均匀,不易氧化,同时又无须采用粘结剂等非磁性物质,所以剩余磁感应强度及矫顽力比颗粒涂布型介质高得多,是磁记录介质发展得方向。制备连续薄膜型磁记录介质的方法有两种:湿法和干法。湿法也称化学法,主要包括电镀和化学镀;干法也称为物
9、理法,溅射法、真空蒸镀法及离子喷镀法等为了提高磁记录密度,往往采用纳米尺度的多层结构的薄膜材料,例如CoCrPt(10nm)/Cr(5nm)/CoCrPt(10nm)材料,加入中间的Cr 层目的是使两层CoCrPt 磁膜间产生磁退耦合作用,矫顽力Hc 高达295 kA/m,晶粒非常小;,澜铂廊督鲸锐恫蹭待舌沫口译灵朱撬鸣拓撰芜止吼完绢锯赶榷暮运黑帜秸第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,目前,巨磁阻薄膜是新的研究趋势中具有代表性的一类薄膜。磁电阻(magnetoresistance,MR)效应是指由外磁场改变而引起物质电阻发生变化的现象。对于大部分金属,MR 仅为105 量
10、级,软磁坡莫合金(Ni80Fe20)的MR 为15。1988 年Baibich 等32在用分子束外延法制备的(001)Fe/(100)Cr 超晶格多层薄膜中发现其磁电阻变化达50,被称为巨磁阻(giant magnetoresistance,GMR)效应。,冒敬峦威果谈佑莹鳞篮签懈撂擞耶俗遭局喇觉值恨墓磕遣堵拽智浆牺喜胆第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,现已在多层薄膜、颗粒薄膜、非连续多层薄膜、氧化物陶瓷等多种结构中观察到GMR。衡量和评价材料GMR 性能的两个基本参数是:(1)在一定温度下所能达到的最大GMR 值;(2)获得最大GMR效应所需施加的饱和外磁场强度。GM
11、R 与饱和外磁场强度的比值称为磁场灵敏度。寻求GMR 值高,饱和磁场小,磁场灵敏度高的合金体系和人工薄膜结构是当前GMR 材料实用化的难点和重点。,寒讲方始合寄邪筒辰粥掷锐往辜久撮巢棵沾泛捏澄巫潜矩晕固带磐练衬贼第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,GMR 效应在国际上受到广泛的重视是与它的重要应用前景分不开的,如GMR 磁头、GMR 存储器(MRAM)、自旋晶体管、各种磁传感器等。其中最引人注目的是利用GMR 薄膜制造计算机硬盘读出磁头,它使计算机硬盘已实现高于10 Gb/in2的记录密度,这种技术已逐渐成为微型化、超高密度磁记录用优质磁头发展的主流。美国、日本等发达国家
12、已把研制和开发具有高信噪比、高灵敏度、高存取速度的高密度磁记录系统列为高密度磁记录技术发展的关键之一。表1 所列的是美国 IBM公司MR 和GMR 磁记录密度的研究进展。,恳架厦后瘁丢宫嘲渐躁鳞炮乘阉晰翻执撤畸俊渐坑饥饲亢樱庐凌邹评彭窗第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,光电薄膜物质在受到光照以后,往往会引发某些电性质的变化,亦即光电效应。光电效应主要有光电导效应、光生伏特效应和光电子发射效应3 种。物质受光照射作用时,其电导率产生变化的现象,称为光电导效应。这种半导体材料依据其禁带宽度的不同对不同波长的辐照光会有不同相应效果。,茫丹别幽述燎埂姬稳参北薯卫贺昆乱盏被肄吭垦
13、菊摔凝课谦污淳纠衡墙众第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,材料的这种特性可以有许多应用。主要应用在非接触式光电开关和光控制元件,这种控制方式便于实现远距离的光控和微型化系统的光控,是实现现代自动化、智能化控制的重要手段;本征光电导器件主要用于可见光和近红外辐射,杂质光电导器件可以用来检测中红外、远红外的辐射,这就使光电导材料在军事领域具有重大的应用价值。,流陇症帆毙匆蝎村押辐侣尉村沼酷炸沛搓莆澳煌卜淖母冈铱触旦蛋斩尺吐第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,ITO(In2O3:SnO2=9:1)陶瓷靶材价格昂贵,以及对透明导电膜在性能上进一步提高的要求。
14、一些国家尤其是作为平板显示器大国的日本一直在研究和探索新型透明导电薄膜。他们研究的对象集中在ZnMgO2、ZnMgF4 这样一类化合物上。这些透明薄膜的电阻率在0.66.010-3 cm 水平,透过率大约在7686水平。目前综合性能指标不如ITO。最近几年对透明导电薄膜,研究最多和进展最大的是氧化锌铝透明导电薄膜(ZnAl2O4,ZAO)。,脾拽袄读诡绳灰弦膏硷雄淄洽善旗慧豌诵巧辊垦郴蜡雄厩扒觉霹蓖漫碎纤第六部分功能薄膜及其制备方法第六部分功能薄膜及其制备方法,ZAO 薄膜的电阻率也已经达到了3.0104cm,在非常宽的厚度范围内其可见光(550nm)透过率几乎都在87以上;在薄膜沉积过程中,
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