最新:有机结构分析中科大核磁共振碳谱CNMR文档资料.ppt
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1、3.1.2 提高碳谱灵敏度的方法(1)对被测化合物的13C富集。(2)增加样品的浓度。(3)降低样品温度,增加磁场的强度。(4)采用多次扫描。(5)采用去偶和脉冲傅立叶变换(Pulse Fourier Transform,PFT)技术。,难点:灵敏度低、信噪比差 13C天然丰度:1.1%;13C的磁旋比C为/H的1/4 S/N 3,C3/H3 1/64(在同等实验条件下是氢谱的1/5800),3.2 13C NMR的实验方法3.2.1 脉冲傅立叶变换核磁共振技术PFT-NMR(Pulsed Fourier Transform NMR),同时激发所需频率范围内的所有核的共振,各种核通过各种方式弛
2、豫,产生一个随时间逐步衰减的信号(Free Induced Decay FID),通过傅立叶变换的数学方法转变成核磁共振信号。,优点:(1)在脉冲作用下,所有的13C同时发生共振。(2)脉冲作用时间短(10-50ms),大大节约了时间。(3)PFT-NMR灵敏度高,需要样品量少。(4)可实现多脉冲序列实验。,3.2.2 13C NMR 化学位移参照标准和样品准备,内标:四甲基硅烷(TMS),d=0 氘代溶剂:CDCl3,d=77.0 DMSO,d=39.0 CD3OD,d=49.0,样品:10-30 mg,3.2.3 氘锁和溶剂,PFT-NMR仪采用氘锁的方法来稳定磁场,氘代溶剂:13C的核被
3、D裂分为2nI+1条谱线。CDCl3,d=77.0,三重峰 CD3OCD3,d=29.8,七重峰,3.3 13C NMR去偶技术,质子宽带去偶法(Proton Broad Band Decoupling)质子偏共振去偶法(Off-resonance decoupling)质子选择性去偶法(Proton Selective Decoupling)门控去偶法(Gated Decoupling)反门控去偶法(Inversed Gated Decoupling),3.3.1 质子宽带去偶法(Proton Broad Band Decoupling)是一种双共振技术,记作13C1H。在测碳谱(n1)时,
4、如以一相当宽的频带(覆盖样品中所有氢核的共振频率,相当于自旋去偶的2)照射样品使所有的质子达到饱和,则13C和1H之间的偶合被全部去除,每个碳原子仅出一条共振谱线。,质子宽带去偶优点:使碳谱大大简化;2.灵敏度增大。,NOE效应:分子中两类自旋核可以通过波动磁场传动能量。在质子宽带去偶实验中,由于干扰场B2作用非常强,同核驰豫过程不足以使其恢复到平衡状态。经过异核之间的偶合作用,1H核将能量传给13C核,13C核吸收能量而发生驰豫,共振信号增强称为NOE效应。,信号增强因数f13C(1H):,(a)质子宽带去偶谱(b)门控去偶谱3-1 巴豆酸的13C NMR谱,3.3.2 质子偏共振去偶法(O
5、ff-resonance decoupling)采用一个频率范围很小,比质子宽带去偶弱很多的射频场B2,使1H与13C一定程度上去偶,消除2J4J的弱偶合。偏共振去偶的目的是降低1J,改善因偶合产生的谱线重叠而又保留了偶合信息,从而确定碳原子级数。,偏共振去偶的频率v2选在氢谱高场一侧,处于高场的峰裂分距越小,反之亦然。,v偏共振去偶的频率v2与质子共振频率v0之差B2 去偶场的强度,1J减弱到Jr(表观偶合常数),3.3.3 质子选择性去偶法(Proton Selective Decoupling),当去偶频率(n2)正好等于某质子的共振吸收频率,且B2场功率足够小(低于宽带去偶时的功率)时
6、,与该质子相连的碳全部去偶而变成单峰,并因NOE使谱线强度增大。,v2,3.3.4 门控去偶法(Gated Decoupling),采用特殊脉冲技术,测得的13C NMR谱既保留13C与1H之间的偶合信息,又有NOE增强效应,可节省测试时间。,实验方法:在13C观测脉冲之前,先加去偶脉冲;13C脉冲和取FID信号时,去偶脉冲关闭。,3.3.5 反门控去偶法(Inversed Gated Decoupling),又称抑制NOE的门控去偶法。对发射场和去偶场的脉冲发射时间关系稍加变动,即可得NOE消除的宽带去偶谱。,实验方法:关闭13C观测脉冲的同时,开启去偶脉冲场B2和接受FID信号同时进行,并
7、且延长发射脉冲的时间间隔T,满足TT1(T1为测试样品中13C中最长纵向弛豫时间)。,反门控去偶法在图谱中能反映碳原子数目正常比例,可用于定量实验。,3.4 13C化学位移的影响因素,3.4.1 屏蔽原理,si=sdia+spara+sn+smed,屏蔽常数si:,sdia:核外局部电子环流产生的抗磁屏蔽。与核和环流电子间的平均距离成反比,所以s电子产生比p电子强的抗磁屏蔽。sdia 对13C核不是主要因素。,spara:非球形各向异性的电子(如p电子)环流产生的顺磁屏蔽,它与sdia方向相反。是13C核屏蔽常数的主要决定因素。,1)平均激发能E 大,para负值小,去屏蔽弱,其共振位置在高场
8、;例:饱和烷烃*,E 大,共振位置在高场 羰基 n*,E 小,共振位置在低场,2)2p电子与核间距离的影响:2p轨道扩大,r-3减小,para负值亦减小,去屏蔽弱,其共振位置在高场。,sn:邻近原子和基团的屏蔽作用。,smed:介质的屏蔽作用。,3)2p轨道电子云密度(QNN)和键序矩阵元QNB,3.4.2 影响化学位移的因素,1.碳原子的杂化轨道,sp3 060ppmsp2 100200ppm sp 6090ppm,2.碳原子的电子云密度,核外电子云密度增大,屏蔽作用增强,化学位移向高场移动。,(CH3)3C+(CH3)3CH(CH3)3CLi,d(ppm),330 24 10.7,共轭效应
9、:由于共轭作用引起的电子云分布不均匀。,共轭羰基化合物的d移向高场,当共轭作用破坏时,d移向低场。,共轭双键化合物,中间碳原子因共轭作用移向高场。,诱导效应:与电负性取代基相连,使碳核外围电子云降低,d向低场移动,d值增大。,CH3I CH3Br CH3Cl CH3F(ppm)20.7 20.0 24.9 80,电负性取代基数目增加,d向低场移动,d值增大。,重原子效应:重原子(碘)外围有丰富的电子,对其相邻的碳核产生抗磁性屏蔽作用,足够与其电负性作用抵消,并引起d向高场位移。,CH4 CH3X CH2X2 CHX3 CX4(ppm)2.3 27.8 52.8 77.2 95.5(XCl)21
10、.8 55.1 141.0 292.5(XI),诱导效应随着与取代基距离的增大而减弱,a-CH2最强,b-CH2次之,但是g-CH2移向高场,显示了空间效应对d的影响。,3.立体效应,(1)取代烷基的密集性:当碳原子上的氢被烷基取代后,d值增大。取代烷基越大、分支越多,也越大;例:伯碳 仲碳 叔碳 季碳,CH3R CH2R2 CHR3 CR4(R=CH3)(ppm)5.7 15.4 24.3 31.4,(2)-旁位效应(-gauche effect):各种取代基团均使-碳原子的d稍移向高场。,对构象确定的六元环,g-旁位效应更加显著。,其他顺反异构体也有类似情况。,4.其他因素对d的影响。,(
11、1)氢键 其影响作用主要表现在羰基化合物上,C=O中碳核的电子云密度降低,使dC=O值增大。,(2)溶剂,(3)温度,(4)同位素效应,3.5 各类碳核的化学位移,表3-4 13C的化学位移变化范围,1.链状烷烃,dC=-2.660ppm,dC的经验估算:dC(i)=-2.6+9.1na+9.4nb-2.5ng+0.3nd na、nb、ng、nd为第i个碳的a、b、g、d位碳的数目。,CH3CH2CH2CH2 CH2 CH3 1 2 3,1.链状烷烃,dC1=-2.6+9.1+9.4+(-2.5)+0.3=13.7(13.7),dC2=-2.6+9.1x2+9.4+(-2.5)+0.3=22.
12、8(22.8),dC3=-2.6+9.1x2+9.4x2+(-2.5)=31.9(31.9),对于支链烷烃的dC计算,需加校正项S,dC=-2.6+9.1na+9.4nb-2.5ng+0.3nd+S,C1=2.6+9.1 1+9.4 2+(2.5)+(1.10)=21.7(21.9),C2=2.6+9.1 3+9.4 1+(3.7)=30.4(29.7),C3=2.6+9.1 2+9.4 2+(2.5)=31.9(31.7),C4=2.6+9.1 1+9.4 1+(2.5)2=10.9(11.4),2.取代链状烷烃,dC(k)=dC(k,RH)+Zki(Ri),dC(k,RH):未取代的烷烃中
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