线性集成电路的应用 .ppt
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1、http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,第五章 线性集成电路的应用,5.1 放大电路的频率特性5.2集成运算放大器小信号交流放大电路 5.3有源滤波电路 5.4集成功率放大器及其应用,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,5.1 放大电路的频率特性,为什么Au与f有关呢?什么是频率响应?,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,放大电路的频率特性包括两部分:幅度频率特性 相位频率特性,幅频特性是描绘输入信号幅度固定,输出信号的幅度随频率变化而变化的规律。即=,相频特性是描绘输出信号与输入信号之间相位差随频率变化而变化的规律。即,http:/电子发烧友 http:
2、/电子技术论坛,这些统称放大电路的频率响应。,幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真;相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。,放大电路的幅频特性和相频特性,也称为频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅度频率失真,简称幅频失真。放大电路对不同频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。幅频失真和相频失真是线性失真。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,产生频率失真的原因是:1.放大电路中存在电抗性元件,例如 耦合电容、旁路电容、分布电容、变压 器、PN结电容、分布电感等;,2.三极管的()是频率的函
3、数。在研究频率特性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要采用高频小信号模型。,电路中存在着电抗器件是影响频响的主要因素,研究频响实际上是研究电抗元件的存在,对放大器放大倍数的影响。当f低时,主要是耦合电容、旁路电容起作用。当f高时,主要是PN结电容起作用。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,5.1.1 RC低通电路和RC高通电路,RC低通电路:如图51所示。,图51RC低通电路,其电压放大倍数(传递函数)为,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由以上公式可做出如图52所示的RC低通电路的近似频率特性曲线:,图52 RC低通电路的频率特性曲线,http:/电子发烧
4、友 http:/电子技术论坛,幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标,称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。在 处的误差最大,有3dB。,当 时,相频特性将滞后45,并具有-45/dec的斜率。在0.1 和10 处与实际的相频特性有最大的误差,其值分别为+5.7和5.7。这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是分析放大电路频率响应的重要手段。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,其电压放大倍数 为:,式中 下限截止频率、模和相角分别为,RC高通电路:如图53所示。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由此可做出如图
5、54所示的RC高通电路的近似频率特性曲线。,图54 RC高通电路的近似频率特性曲线,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,混合型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的,三极管的物理结构如图55所示。,-发射结电容,也用C这一符号,-集电结电阻,-集电结电容,也用C这一符号,rbb-基区的体电阻,b是假想的基区内的一个点。,图55 双极型三极管 物理模型,(1)物理模型,5.1.2 晶体管及其单级放大电路的高频特性,一、晶体三极管的高频特性,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,根据这一物理模型可以画出混合型高频小信号模型,如图56所示。,图56高频混合型小信号模型
6、电路,这一模型中用 代替,这是因为本身就与频率有关,而gm与频率无关。推导如下:,(2)用 代替,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由此可见gm是与频率无关的0和rbe的比,因此gm与频率无关。若IE=1mA,gm=1mA/26mV38mS。,gm称为跨导,还可写成,0反映了三极管内部,对流经rbe的电流 的放大作用。是真正具有电流放大作用的部分,0 即低频时的。而,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,在型小信号模型中,因存在Cbc 和rbc,对求解不便,可通过单向化处理加以变换。首先因rbc很大,可以忽略,只剩下Cbc。可以用输入侧的C和输出侧的C两个电容去分别
7、代替Cbc,但要求变换前后应保证相关电流不变,如图57所示。,(3)单向化,图57高频混合型小信号电路,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,电流放大系数的频响,从物理概念可以解释随着频率的增高,将下降。因为,图59 的等效电路,是指在VCE一定的条件下,在等效电路中可将CE间交流短路,于是可作出图59的等效电路。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。,可由下式推出,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由此可做出的幅频特性和相频特性曲线,如510图所示。图510 三极管的幅频特性和相频特性曲线,当=1时对应的频率称
8、为特征频率fT,且有fT0f,当20lg下降3dB时,频率f称为共发射极接法的截止频率,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,fT0 f可由下式推出,当 f=fT 时,有,因fT f,所以,fT 0 f,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,全频段小信号模型高频段小信号微变等效电路低频段小信号微变等效电路,频响的基本分析方法(频率特性的描写方法):1、分段描写(高、中、低)根据影响各区段Au 的主要因素进行分析。2、频响特性用对数描写,幅度以分贝为单位,相 位以度为单位。,二、晶体管单级放大电路的高频特性,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,全频段小信号模
9、型,对于图511所示的共发射极接法的基本放大电路,分析其频率响应,需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型,如图512所示。然后分低、中、高三个频段加以研究。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,显然这是一个RC低通环节,其时间常数 H=(Rs/Rb)+rbb/rbeC于是上限截止频率fH=1/2H。,高频段小信号微变等效电路,将全频段小信号模型中的C1、C2和Ce短路,即可获得高频段小信号模型微变等效电路,如图513所示。,设放大电路的中频电压放大倍数为AvsM,其频率特性曲线与RC低通电路相似。只不过其幅频特性在Y轴方向上上移了20lg AvsM(dB)。相频特性则在Y轴
10、方向上向下移180,以反映单级放大电路倒相的关系。,(动画5-3),图513 高频段微变等效电路,高频电压放大倍数:其中 Aum为中频电压放大倍数.,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,低频段小信号微变等效电路,低频段的微变等效电路如图514所示,C1、C2和Ce被保留,C被忽略。显然,该电路有 三个RC电路环节。当信号频率提高时,它们的作用相同,都有利于放大倍数的提高,相当于高通环节,有下限截止频率。,L1=(Rb/rbe)+RSC1 L2=(Rc+RL)C2 L3=Re/(RS+rbe)/1+Ce 式中RS=RS/Rb,图514 低频段微变等效电路,http:/电子发烧友 h
11、ttp:/电子技术论坛,如果 L在数值上较小的一个与其它两个相差较大,有45倍之多,可将最大的fL作为下限截止频率,然后做波特图。,低频电压放大倍数:其中:Aum为中频放大倍数 为下限截止频率,=1/2L,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,完整的频率响应及波特图:,频率响应表达式:,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,由以上分析,可知作波特图的步骤:,(1)先求出中频电压放大倍数,方法通前;(2)确定分别在高频和低频时影响Au的电容器的个数;(3)分别求出各电容器回路的时间常数;(4)比较各时间常数,低频时取时间常数小的转化为fL,高频时取时间常数大的转化为fH,
12、转化式 f=1/2,如相差很近,一般小于4倍,则有:,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,下面讨论频率响应的改善和增益带宽积:频率响应的改善主要是通频带变宽,即是高频时性能的改善,其高频等效电路如图所示:,1、通频带 fbw=fH-fL(要使fbw加宽有两种方法)(1)fL下降(即是使耦合电容C所在回路的时间常数取值大)亦是R或C增大,改善有限。(2)fH增大(。)就会使Au下降。于是形成了带宽和增益的矛盾,合理的解决的办法是综合考虑。,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,2、增益带宽积,设(1+gmRL)CC,则有:C=(1+gmRL)C=gmRLC 所以:当晶体
13、管选定后rbb,C就确定,因此放大倍数与带宽积就确定了。,因为:,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,*5.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响,要改善放大电路的高频性能,应选小rbb,Cob的管子,且Rb要尽量小。,(略),*5.2 集成运算放大器小信号交流放大电路,(略),http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,5.3 有源滤波电路,5.3.1 有源低通滤波电路,图5 15 低通滤波电路,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,输出电压为,而,所以传递函数为,http:/电子发烧友 http:/电子技术论坛,低通滤波器的通带电压放大倍数是当工作频率趋近于
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