霍尔位移传感器的设计.doc
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1、 霍尔位移传感器的设计学院(系):电气信息工程学院 年级专业: 电自09102 学 号: 40309201 学生姓名: 黄晶晶 摘要:霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。霍尔元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇,并且得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器,用它可以检测磁场及其变化,可以在各种与磁有关的场合中使用。霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。本文主要研究霍尔位移传感器的设计。如图所示,被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时,会产生变化的磁通量,会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差,即UH(霍尔电压)。本文主
2、要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。关键字:霍尔传感器 位移 霍尔电压霍尔效应原理图正文:一霍尔传感器的工作原理1、霍尔效应如霍尔效应原理图所示,在半导体薄片两端通以恒定电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压,它们之间的关系为UH=KHIBCOSA,式中KH称为霍尔系数,它的大小与薄片的材料有关。上述效应称为霍尔效应,它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。I为所加的电流(一般为恒流源),B为均匀磁场,A为磁场与法线的夹角。EH为电场(图中所示)2、霍尔元件霍尔元件是半导
3、体四端薄片,一般做成正方形,在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线(一对称激励电流端,另一对称霍尔电势输出端),如下图所示。霍尔元件结构3、霍尔元件的主要特性及材料1)霍尔元件的主要特性参数灵敏度KH:表示元件在单位的磁感应强度和单位控制电流所得到的开路霍尔电动势霍尔输入电阻:霍尔控制及间的电阻值霍尔最大允许激励电流:以霍尔元件允许的最大温度为限所对应的激励电流不等位电势:当霍尔元件的控制电流为额定值时,若元件所处位置的磁感应强度为零,测得的空载霍尔电势。(不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的, r 0称不等位电阻)寄生直流电势 (霍尔元件零位误差的一部分):当没有外加磁场,霍尔元件用
4、交流控制电流时,霍尔电极的输出有一个直流电势控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时,会产生整流效应。两个霍尔电极焊点的不一致,引起两电极温度不同产生温差电势 霍尔电势温度系数:在一定磁感应强度和控制电流下,温度每变化1度时,霍尔电势变化的百分率。 基本应用电路2)霍尔元件的材料目前最常用的霍尔元件材料是锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In(AsyP1-y)型固熔体(其中y表示百分比)等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗,但其电子迁移率比较
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