无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计.doc
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1、无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计系(部、中心) 材料科学与工程学院 姓 名 学 号 专 业 同组人员 课程名称 设计题目名称 起止时刻 成 绩 指导教师签名 北方民族大学教务处名目1 产品简介11.1 碳化硅陶瓷的进展情形11.1.1 碳化硅行业进展现状11.2 SiC结晶形状和晶体结构21.3 氮化硅陶瓷的用途21.4 本方案的目的及意义32 工艺概述32.1 SiC原料的制备32.1.1 原料配方32.1.2 浆料的制备过程42.1.3 喷雾造粒42.2 碳化硅陶瓷的成型42.2.1 钢模压制成型42.3 碳化硅陶瓷的烧结42.3.1 SiC陶瓷烧结特点52.3.2 添加剂的作用52.3
2、.3 SiC的烧结方法62.4 加工方法要求102.4.1 砂轮的选择102.4.2 磨削参数的选择102.4.3 冷却液的选择及加工113 生产技术要求113.1 SiC粉体的制备技术要求113.2 喷雾造粒的技术要求113.3 坯料的成型技术要求123.3.1 成型方法要求123.3.2 干压成型工艺参数操纵133.4烧结技术要求134 生产设备144.1 生产设备的选择144.2 设备详述144.2.1 三维混料机144.2.2 喷雾干燥机164.2.3 干压成形机184.2.5 抛光机204.2.6 HZ-Y150型周密卧轴矩台平面磨床214.2.7 显微硬度计225 SiC陶瓷性能检
3、测及结果分析245.1 SiC陶瓷原料245.1.1 粉料性能检测245.1.2 结果分析245.1.3 SiC陶瓷环的性能266 参考文献287 小结291 产品简介1.1 碳化硅陶瓷的进展情形1.1.1 碳化硅行业进展现状 中国是碳化硅(SiC)的生产大国和出口大国,2009年碳化硅总产量达53.5万吨左右,占全球总数的56.3%,居世界第一。我们估量,2010年截止9月份仅绿碳化硅产量就将达到80万吨。碳化硅行业产量大,但缺乏竞争力。尽管产量足够供应,中国制造的碳化硅产品大部分是低端和初步加工,关于某些需求供应高附加值的成品和深加工产品存在专门大的差距。专门是高性能工程陶瓷、用以高端的研
4、磨粉等产品的供应还远远没有满足,核心技术大多仍由日本操纵。要紧依旧靠进口补偿国内市场的不足。 随着传统矿物质能源日益枯竭,以太阳能电池为代表的光伏产业得到迅速进展。据我国正在制定的新兴能源产业进展规划显示,到2020年可再生能源消费占一次能源消费中的比例要达到15%,光伏产业进展趋势总体出现稳中有升。碳化硅是光伏产业链上游环节晶硅片生产过程中的专用材料,受光伏行业进展的带动,碳化硅行业通过产品结构升级和下游需求的扩展带来了一些机会。尽管如此,由于碳化硅生产属于高耗能、高污染,受到能源短缺的阻碍和国家能源节约的政策阻碍,还有一些具体审查和批准新项目受到闲置,比如低电价优待的有关政策差不多被取消;
5、目前国家严格操纵新项目,原有6300KVA以下规模的碳化硅冶炼要求强制关停。因此碳化硅行业的以后进展将面临专门多不确定性。1.1.2 碳化硅行业展望 碳化硅行业要解决进展中资源、环境等方面的压力,应该着眼于技术引领行业进步。在碳化硅生产中,关注生产制造的绿色、低碳化。依靠技术升级,提高生产规模,利用规模优势降低单位能耗;注重生产过程中如碳化硅回收、粉尘处理、水的循环再利用等,降低资源利用。依照我们推测,估量2010年,市场对绿碳化硅块需求量将突破120万吨。耐火材料和磨料磨具是碳化硅的传统低端应用领域,附加值低,碳化硅本身用途极为广泛,加强其新用途、新应用市场的开发,拓宽经营思路,是碳化硅行业
6、今后健康进展的必由之路。1.2 SiC结晶形状和晶体结构碳化硅是共价键专门强的化合无,其晶体结构的差不多结构单元是SiC4和SiC4配位四面体,通过定向的强四面体SP键结合在一起,并有一定程度的极化。Si的电负性1.8,C的电负性为2.6,由此能够确定Si-C键的离子键性仅占12%左右。四面体共边形成平面层,并以定点与下一叠层四面体相连形成三维结构,由于四面体的堆积次序的不同,能够形成不同的结构,至今已发觉几百种变体,常见的晶型有六方晶系的Si和立方晶系SiC。Si有上百种变体,其中最要紧的是4H、6H、15R、等。4H、6H属于六方晶系,在2100和2100以上是稳固的;15R-SIC为菱面
7、(斜方六面)晶系,在2000以上是稳固的。(H和R代表六方和斜方六面型)。SiC只有一种,属立方晶系,密度为3.215g/cm3 。SiC在2100以下是稳固的,高于2100时,SiC开始转变为Si,转变速率专门慢,到2400转变速率迅速,这种转变在一样情形下是不可逆的,在2000以下合成的SIC要紧是SiC,在2200以上合成的要紧是Si,而且以6H为主。1.3 氮化硅陶瓷的用途 表1-1 碳化硅陶瓷的要紧用途工业领域使用领域要紧用途性能特点石油高温液高压摩擦喷嘴、轴承、阀片、密闭件耐磨损抗腐蚀化学强酸强碱氧化高温密封件、轴承、泵套筒管道耐磨损、抗腐蚀宇航高温燃烧室部件、涡轮转子燃气机叶片、
8、火箭喷嘴、火箭燃烧室内衬低摩擦、高强度、耐热冲击、高热稳固性耐腐蚀汽车油摩擦阀系列元件低摩擦、耐磨损钢铁高温空气燃烧嘴耐高温、耐腐蚀造纸纸浆废液纸浆密封件、轴承、套筒低摩擦、耐磨损耐腐蚀电子散热集成电路基板、封装材料高热导、高绝缘机械研磨滑动旋转内衬泵零件、喷砂嘴、轴承阀耐磨损、耐腐蚀、高硬度、低摩擦激光高温反射屏高刚度、高稳固性核能含硼高压水密闭件、轴套耐辐射加工成型过程拉丝模耐磨损、耐腐蚀硅酸盐高温电炉发热体高热稳固性冶金高温热交换器耐高温1.4 本方案的目的及意义 碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、强度高、硬度高,耐磨性能好、摩擦系数小,且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的
9、。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的碳化硅材料,其高温强度可一直坚持到1600,是陶瓷材料中高温强度最好的材料。因而是制造密封环的理想材料。它与石墨材料组合配对时,其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小,因而可用于高PV值,专门是输送强酸、强碱的工况中使用。本方案通过以下制备工艺,制备出满足以上要求的碳化硅陶瓷密封环。2 工艺概述2.1 SiC原料的制备2.1.1 原料配方98%的亚微米-SiC 粉,其平均粒径为0.6m SiC粉:385.6g,酚醛树脂:24.03 g,HT树脂:38.57 g (用20ml水溶解),油酸:4ml ,B4C:4.04g,聚胺脂球磨介:800.96g,乙醇:140m
10、l,Darayn-c 1ml,蒸馏水240ml(PH10)+20 ml。2.1.2 浆料的制备过程 将按配比称好的亚微米级 SiC 粉、蒸馏水(加240 ml, 留20ml溶解HT)B4C、无水乙醇(由于酚醛的粘度专门大,专门容易粘在器壁上,最好用乙醇溶解酚醛树脂后再一起加入)、聚胺脂球放入硬质塑料罐,然后分别将作为粘结剂、增塑剂和润滑剂的有机添加剂酚醛树脂、Darayn-c 油酸按比例加入后放到三维混料机初混2h。2.1.3 喷雾造粒将初混好的料浆进行喷雾造粒,喷雾造粒时, 为了保持浆料的平均性, 利用磁力搅拌器边搅拌边进料。浆料通过低喷式压力喷嘴雾化, 按混流方式与热空气混合并被干燥形成颗
11、粒粉料。干燥过程中要紧操纵的工艺参数有浆料的固含量、 粘结剂的含量、 进出口温度、 压力及进料速率等。喷雾造粒终止后,测量其流淌性和松装密度。2.2 碳化硅陶瓷的成型2.2.1 钢模压制成型称取上一步喷雾造粒好的SiC 粉体30g,并将其放入预先润滑过的瓷环金属模内,敲匀落实后,放在压机上受压,所加压力为16t,保压时刻45s,使之密实成型,取出脱模。此法最大优势在于易于实现自动化,因此在工业生产中得到较大的应用。2.3 碳化硅陶瓷的烧结 先将压制好的碳化硅陶瓷片放在真空烧结炉中烧结,通过8 h的烧结,取出样品放置至室温。2.3.1 SiC陶瓷烧结特点SiC是一种共价键专门强的化合物,加上它的
12、扩散系数专门低(即在2100,C和Si在-Si单晶中扩散系数分别为DC =1.510-10 cm2/s,Dsi=2.510-13 cm2/s,在SiC多晶中自扩散系数分别为DC =1.010-10 cm2/s,Dsi=8.910-13 cm2/s,,SiC晶体晶面扩散系数为DC =1.010-5 cm2/s),所有专门难烧结。像其它共价结合化合物,没有专门添加剂的SiC是不能烧结的,这种行为源于相对弱的体积扩散由于强的单向键合以及气相迁移机理(蒸发-在凝聚)。在相邻粒子间只形成颈部,不发生收缩(Popper和Davies1962)。2.3.2 添加剂的作用(1)硼(B)和碳(C)的作用 通过晶
13、界或体积扩散致密化的一个前提是用六方型或立方型的亚微米粉末。烧结添加物量相对碳化硼要求较少,大致在0.2%-3.0wt%之间,Prochazaka指出,0.3 wt%B和 0.2wt%C同时加入到细的-SIC粉末中,采纳2040、在He气流中烧结可获得95%-99%理论密度,只用C加入则没有收缩,除碳以外没有发觉第二相。导出的结论是:致密化发生是由于固态扩散,通常B取代C,但它也能够进入SI位置,一种可能的缺陷反应由Prochazka提出: BBL1-+h0+Vc,si即B三价地进入亚晶格中,要求一电子来完成键对和分别在其它C或Si亚晶格中产生一中性空穴h0和一空位V,另一种反应并不要求形成一
14、空位是:B+CBsi+Cc+ h0,此处B占有一硅位置产生一空穴,而C进入C位置。 碳化硅的无压烧结可分成固相烧结和液相烧结两种。固相烧结是美国科学家Prochazka于1974年第一发明的。他在亚微米级得SiC中添加少量的B和C,实现了SIC无压烧结,制得接近理论密度95%的致密烧结体。Prochazka认为,扩散烧结的难易与G晶界能和S表面能的比例大小有关,G /s)时,专门难烧结。然而,在SiC中加B和B的化合物,B在晶界选择性偏析,部分B和SiC形成固溶体,降低了SIC的晶界表面能G,使G /s减小,增大了烧结驱动力,促进了烧结。由于SiC表面常有一薄层SiO2,在1700左右,SiO
15、2融融分布在晶界处,使SiC颗粒之间接触机会减少,抑制了烧结。加入C可与表面SiO2发生SiO2+3CSiC+2CO的反应,使表面能由2.510-5J/cm2提高到1.810-4 J/cm2,从而使G /s减小,有利于烧结。而日本的铃木弘茂认为,SIC难以烧结是由于SiC的表面扩散在低温下专门快,导致粒子粗大化,不利于烧结,研究发觉的C和B的左右机理与Prochazka的大不相同,他认为,B和C共同对粒子成长起了有效的抑制作用;各自单独使用时,不能导致充分的致密化,即仅抑制表面扩散是不够的,要通过两者的相互作用并使晶界生成第二相(B-C化合物)才能致密化,这是因为B和C生成B4C(直截了当添加
16、B4C),能够固溶在SIC中,从而降低晶界能,促进烧结。固相烧结的SIC,晶界较为“洁净”,差不多无液相生成,晶粒在高温下专门容易长大,因此它的强度和韧性一样都不高,分别为300-450MPa与3.5-4.5MPa.m1/2,但晶界“洁净”高温强度并不随温度的升高而变化,一样用到1600时强度仍不发生变化。另外,AL和AL的化合物(AL2O3、ALN)均可与SIC形成固溶体而促进烧结。(2) Y2O3-AL2O3的作用碳化硅的液相烧结是美国科学家Mulla MA于20世纪90年代初实现的,它的要紧添加剂是Y2O3-AL2O3。依照相图可知,存在三个低共熔化合物:YAG(Y3AL5O15,熔点1
17、760),YAP(YALO3,熔点1850),YAM(Y4AL2O9,熔点1940)。为了降低烧结温度一样采纳YAG为SIC的烧结添加剂。当YAG的组成达到6%(质量分数)时,碳化硅已差不多达到致密。无压烧结SIC的力学性能随添加剂、烧结温度、显微结构的不同而有差异。2.3.3 SiC的烧结方法碳化硅陶瓷, 常用的方法有无压烧结法、 反应烧结法、热压烧结法等。本实验选用无压烧结的方法,该法烧结的SiC陶瓷产品相对密度可达96%以上,而且烧结前后制品不发生过量的塑性变形,制备工艺可控性高。(1) 无压烧结1974年美国GE公司通过在高纯度SiC细粉中同时加入少量的B和C,采纳无压烧结工艺,于20
18、20成功地获得高密度SiC陶瓷。目前,该工艺已成为制备SiC陶瓷的要紧方法。无压烧结碳化硅简写为PLSSiC或SSiC,。其特点是无需外加压力使碳化硅实现致密化(致密化有两中途径:固相烧结和液相烧结),因此对制品的形状没有限制,能够与各种成型方法配合,是最为经济有用的的制备碳化硅的方法。无压烧结实现实现碳化硅的致密化关键在原料颗粒应在亚微米级,同时选择适当的烧结助剂。(本方案选择的SiC粉为亚微米级、烧结助剂为B4C).关于在空气中难于烧结的陶瓷制品(如透光体或非氧化物)常用气氛烧结法。本方案采纳这种方法,此法是在炉内通入一定惰性气体,使制品在特定的气氛下烧结(依照不同材料可选用氧、氢、氮、氩
19、或真空等不同气氛),为防止SiC高温下氧化,我们选择氩气作为爱护气,在一定温度范畴(21002200)内,1atm(101325Pa)下完成烧结。 (2) 反应烧结SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下(14501750)与液态Si接触,坯体中的C与渗入的Si反应,生成SiC,并与SiC相结合,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8-20%的游离Si。因此,为保证渗Si的完全,素坯应具有足够的孔隙度。一样通过调整最初混合料中SiC和C的含量,SiC的粒度级配
20、,C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。反应烧结碳化硅对原料要求相对较低,颗粒级配的碳化硅粒径在1-20微米范畴内,无需专门处理,C粉、粘结剂等差不多上市场成熟供应的原料。反应烧结法制备温度低,工艺过程和设备要求相对较低在烧结过程中体积收缩一样在3%以内,能够对制品尺寸进行比较精确操纵,实现“近尺寸”烧结,适于制备相对复杂的产品。同时,反应烧结工艺能够将制品的加工余量操纵在最小范畴,使的加工成本大为降低。较低的原料成本、较低的烧结成本、较低的加工成本三者结合,使反应烧结碳化硅在价格上具有专门强的竞争优势。但反应烧结碳化硅往往含有8%-20%的游离硅,使用温度不宜过高。硅的熔点为
21、1410,当使用温度高于1350,材料性能急剧下降;在1400以上是,则由于硅的熔化而完全丧失强度。因此,反应烧结碳化硅的使用温度限制在1350。同时,由于游离硅的存在,反应烧结碳化硅也不适宜在强氧化或较强腐蚀条件下使用。(3) 热压烧结SiC陶瓷为获得更致密、强度更高的制品,可采纳热压工艺。现在仍需加入B4C或B、C等烧结助剂,粉料或生坯在模具内升温(20002100)的同时加压(一样25-40MPa),使材料加速流淌、重排和致密化的烧结工艺,可得理论密度为99.5%的制品。热压烧结时刻短、烧结温度相对较低;烧结助剂量少,可制得高密度产品;生产效率低,只能生产形状简单的制品。(4) 热等静压
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