电子线路梁明理第五版全答案.doc
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1、第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N型和P型半导体。半导体中有两种载流子,自由电子和空穴,载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动,因电位差而产生的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体,在它们的交界面上,上述两种运动达到动态平衡,就形成了PN 结。其基本特性是单向导电性。2.半导体二极管一个PN结引出电极后就构成了二极管,加上正向偏压时形成扩散电流,电流与电压呈指数关系,加反向电压时,产生漂移电流,其数值很小。体现出单向导电性。3晶体管晶体管具有电流放大作用,对发射极正向偏置集电极反向偏置时,从射区流到基区的非平衡
2、少子中仅有很少部分与基区的多子复合,形成基极电流,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流,体现出对的控制,可将视为控制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。4.场效应管场效应管是电压控制器件,它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流,因输入回路的PN结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。场效应管局又夹断区(即截止区)、横流区(即线性区)和可比阿安电阻区三个工作区域。学完本章后应掌握:1.熟悉下列定义、概念和原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN结,耗尽层,导电沟道,二极管单向导电性,晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。2.掌握二极管、稳
3、压管、晶体管,场效应管的外特性,主要参数的物理意义。1.2习题与思考题详解1-1试简述PN结的形成过程。空间电荷压,阻挡层,耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。答:PN结的形成过程:当两块半导体结合在一起时,P区的空穴浓度高于N区,于是空穴将越过交界面由P区向N区扩散;同理,N区的电子浓度高于P区,电子越过交界面由N区向P区扩散。多子由一区扩散到另一区时,形成另一区的少子并与该区的多子复合,因此,在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子,另一侧留下带正电荷的施主离子。于是在交界面附近形成一个空间电压区,即PN结。空间电荷压:在PN结内无可移动的带电荷之缘故。势垒层:在PN结中,N区电位高于
4、P区电位,两区存在接触电位差之缘故。耗尽层:在PN结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。阻挡层:由于PN结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流IR(sat)的95%时,反向电压是多少?(2) 计算偏压为 0.1V时,相应的正向电流和反向电流的比值。(3)如果反向饱和电流为10nA,计算相应于电压为0.6时的正向电流,并说明这一结果与实际不符的原因。解:(1) 因为ID = IR(sat)( 1)所以VD = VTln = 26mvln0.95 = -1.33 mv(2)(3) 1-3在测量二极管
5、的正向电阻时,用表的“R10”档测出的阻值小而用“R100”档测出大,原因何在?答:因为万用表“R10”档的内阻小,测量二极管的正向阻值小,而“R100”档的内阻大,测量的二极管的正向阻值大。1-4怎样用万能表判断二极管的极性和好坏?答:判断二极管的极性与好坏,选择万用表“R1K” 电阻档,此时黑表棒为正极,红表棒为电源负极。用黑红表棒接待测二极管两极,观察阻值大小,再反过来相接,观察阻值大小,若两次测量均大,说明二极管断路,若第一次测量阻值大,第二次测量阻值小,则测量值小的连接时,黑表棒接二极管的阳极,红表棒接二极管的阴极;并说明二极管是好的;若两次测量阻值均小,说明二极管被击穿。1-5限幅
6、电路如图所示,设D为 理想二极管,输入电压vi为正弦波,其振幅大于,试给出输出电压为的波形。解:1-6双向限幅器如图所示,设为理想二极管,输入电压为正弦波,其振幅Vi=3,试给出输出电压的波形。1-7双向限幅器如图所示,设 为理想二极管,输入电压vi由0-100V作线性变化,给出相对于vi的输出电压 随时间变化的曲线。解:1-8求图所示各电路中的电流I和电压V(设电路中的二极管为理想二极管)解:对于管正向偏压,的偏压最大先导通,随之反偏截止。所以 =1V 均处于正向偏置状态,D1的偏置电压大先导通,则由于D1的导通反偏而截止。则1-9稳压管稳压电路如图示,已知稳压管稳定电压V=6V最大稳定电流
7、25mA 限流电阻R=500 求:.时,电路工作是否正常? .时,电路工作情况如何? .开路,电路可能出现什么情况?为什么?解:(1). 则 所以电路正常工作(2). 稳压管无法稳压(3)稳压管可能会热击穿。1-10将两个二极管如图连接起来,是否与晶体管一样具有电流放大作用,为什么?答:不含。因为这样连接不会形成基区,不会产生复合现象,形成小电流对大电流的控制。所以不具备电流放大效应。1-11为什么晶体管发射区掺杂浓度大,而基区掺杂程度小且做得很薄?答:发射区浓度大即多数载流子浓度大,便于发射进入基区,而基区掺杂浓度小,多数载流子少,复合后仍有大量的由发射区扩散到基区的多子到达集电区,即基压也
8、做得较窄。1-12将一个PNP型晶体管接成共发射极放大电路,(1)画出电路,标出电源极性。(2)如果管子的=0.98要得到10mA集电极电路,问基极电流多大?(3)试分析内部载流子的运动情况。解 (1)(2), (3)分析管内载流子运动情况(略)见书14页1-13一个晶体管的 IB=10A,IC=0.5mA ,在什么条件下,才能用这两个数据来计算这的交流电流放大倍数?答:在忽略 后,且输出特性曲线平行时,此时才可用IB, IC计算这的交流电流放大倍数。1-14若测得放大电路中晶体管三个电极对地的电压分别为V1= -6.2V,V2= - 6V,V3= - 9V,试判断晶体管的电极和类型。答:若晶
9、体管工作在放大区,发射结正偏,集电路反偏,再者各电路均为负值,所以该晶体管为PNP型,极性如图所示。1-15晶体管3DG8A的输出曲线 如图示,已知它的PCM=200mw,I=20mA, V(BR)CED=15V(1)定义安全工作区(2)定出放大区(3)当VCE=6V时,能否使IC工作在30mA,为什么?解:(1)阴影线外为过耗区,内为安全区。(2)VCESV(BR)CED之间为放大区,为饱和压降。(3)当VCE=6V时,不能使IC 工作在30mA 因为 ICM=20mA 第2章 放大器基础2.1 知识点归纳一、放大的概念放大实质上是将微弱的信号通过有源器件(晶体管或场效应管)对能量进行控制的
10、过程,是将直流电源提供的能量转化为负载所获得的虽信号变化的能量。放大的前提是信号不失真。二、放大电路的组成原则1.放大电路的核心元件是有源器件,即晶体管或场效应管。2.正确的直流电源电压数值、极性与其它电路参数应保证晶体管工作在放大区,场效应管工作在恒流区,即建立起合适的静态工作点。保证电路中的信号不失真。三、放大器的主要性能指标:1.放大倍数A2.输入电阻3.输出电阻4.最大不失真输出电压5.下限截止频率,上限截止频率及同频带6.最大输出功率和效率。四、放大电路的分析方法分析放大电路的方法有两种,即图解法和微变等效电路法。图解法用于确定静态工作点和分析打信号工作的动态情况,微变等效电路法只适
11、用于分析、计算低频小信号工作时电路的动态指标。分析电路应遵循“先静态,后动态”的原则,只有静态工作点合适,分析动态才有意义。五、晶体管和场效应管基本放大电路1.晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种组态。共射放大电路即有电流放大作用,又有电压放大作用,输入电阻居三种电路之中,输出电阻较大,适应于一般放大。共集放大电路之放大电流不放大电压,因输入电阻高而行作为多级放大器的输入端因疏忽电阻低而常作为多级放大器的输出级。又因电压放大倍数约等于1而用作信号的跟随。共基电路之放大电压而不放大电流输入电阻小,高频特性好适应于宽频带放大电路。 2.场效应管放大电路的共源接法,共漏接法与晶体管放大电路的共射
12、、共集接法相对应,但比晶体管电路输入阻抗高,噪声系数低,典雅放大倍数小适应于低电压放大电路的输入级。六、阻容耦合放大电路在中频段的放大倍数最大且为定值,当信号频率太高或太低时,放大倍数都要降低。七、多级放大器的耦合方式有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。直接耦合便于集成,既可放大交流又可放大直流信号,但必须解决好零点漂移问题。阻容耦合能克服零点漂移的问题,但低频响应差,不便于集成。变压器耦合有阻抗变换作用,但低频响应差,且体大笨重,只用于特殊场合。八、多级放大器的放大倍数为各级放大器放大倍数的乘积,通频带窄于单级放大器,级数越多,频带越窄。学完本章应达到下列要求:1.掌握以下基本概念和定义:放大
13、、静态工作点、非线性失真、直流通路和交流通路、交、直流负载线、放大倍数,输出动态范围等。2.掌握各种形式的基本放大电路的工作原理及特点,能根据要求选择电路的类型。3.掌握放大电路的分析方法,能计算静态和动态的各种。2.2习题与思考题详解2-1图示各电路中的电容对信号可视短路,试定性分析各电路能否正常放大,为什么? 答:(a)只要 取值适当使发射结正偏,集电结反偏,就可以放大信号。 (b)只要 取值适当使发射结正偏,集电结反偏,就可以放大信号 (c)使集电结反偏,不能正常放大。 (d) ,,故不能正常放大。2-2分别画出图示各电路的直流通路和交流通路。 解:(a)直流通路 交流通路 (b)直流通
14、路 交流通路2-3电路及晶体管特性如图示 (1)作负载线,找出静态工作点Q和放大器的动态范围。若要获得尽可能大的动态范围,应取多大数值? (2)电路其他参数不变,由变为,Q点移到何处? (3)电路其他参数不变,由变成,Q点移到何处? (4)电路其他参数不变,由减到,Q点移到何处? 解:(1)Q点: 直流负载线MN,M(0,4.5) N(9,0) 交曲线与Q(5.4,1.8). 动态范围:. 由图分析可得最大动态范围,可得Q点(4.35,2.4)。则 (2) Q点沿曲线左移得(1.0,1.6). (3) ,Q点沿负载线下移至(7.2,1.0). (4) ,Q点移至(2,1.8).2-4放大电路和
15、晶体管特性如2-3题图 (1)求静态工作附近的和. (2)画出简化h参数等效电路,计算,. 解:(1). (2) h参数电路 2-5放大电路如图示,求: (1)计算不带负载时点,画出h参数等效电路,计算,. (2)计算带上负载后静态点,画出h参数等效电路,计算和. 解:(1)= 交流通路:h等效电路 (2) .则 2-6图示电路输入正弦信号时,若输出波形如(b)(c),试问他们为何种失真?如何调节才可能使输出不失真?若改变滑变RB1的大小仍得不到完好正弦波输出,为什么?解:(1)由波形分析可知(b)为截止失真;减小有可能使输出不失真。(c)为饱和失真,增大有可能使输出不失真 (2)改变值仍不能
16、得到完好正弦输出,可能是取值不当之故。2-7电路如图,已知,电容容抗可忽略 求:(1)计算静态工作点,(2)画出h参数等效电路,计算,和 解:(1)(2)h参数电路 2-8阻容耦合射极输出器如图,已知(1)计算静态工作点。(2)画出简化h参数电路,计算,和解:(1) (2)h参数等效电路2-9电路如图示,电容的容抗均可忽略(1) 画出简化的h参数等效电路,计算,和,(2) 当时,两个转出电压,在振幅和相位上有何关系? 解:(1)h参数等效电路(2)当时,,幅度基本相等,相位相差2-10电路如图,已知=50,电容的容抗均可忽略 (1)计算静态工作点 (2)画出简化的h参数等效电路,计算,和解:(
17、1) (2)h参数等效电路 2-11集电极-基极偏置放大电路如图示。 T为硅管。(1)计算静态工作点。(2)如果要求的值应为多大?(3)画出简化为h参数等效电路,并用密 勒定理作进一步简化。(4)推导的表达式,并算出它的数值。解:(3)h参数等效电路,并密勒定理简化。密勒定理指出:具有N个独立接点的任意网络,如图,N为参数接点,若接点1、2间接有阻抗E。并已知节点电压和之比(),断开阻抗E在节点1与N之间接,节点2与N之间接,新网络与原网络等效。密勒定理简化后:其中 (4)2-12图示源极输出器,设gm=1ms,rd可略不计,是推导电压放大倍数Av,和输入电阻的表达式,并算出其数值。解:等效电
18、路如图2-13 MOS管放大电路如图所示(a),放大管输出特性如图(b),所示(1) 用图解法确定静态工作点Q,并求出工作点处的跨导gm(2) 画出交流等效电路,求电压放大倍数Av解:(1) 画负载线,时Q点,8V,2mA(2)2-15图示-一恒流源电路,试证: 证:由图可得2-16放大电路如图,已知晶体管系数gm=60ms,设的容抗很小,可视短路。(1) 画出低频混合等效电路,不考虑,推导出放大电路的下线效率,的表达式,并算出其值(2) 不考虑,下线效率=?(3) 同时考虑,画出这一放大电路的低频对数幅频特性和相频特性(4) 计算电路的上限频率,并画出高频段的对数幅频特性和相频特性。解:略(
19、1)低频混合等效电路,不计作用:2-17两极放大电路如图,设(1) 计算的静态工作点和(2) 计算放大器的中能电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解(1)(2) 两极放大器的微变等效电路如图示第一级放大倍数其中第二级是射极输出器,放大倍数总电压放大倍数放大器的输入电阻是第一节输入电阻:放大器的输出电阻 2-18两级直耦放大器如图所示试分析这一放大器结构特点以及偏置的提供方法设,试计算Av,答:(1)该电路是两极直接耦合电路,管分别为NPN,PNP型管,采用12电源供电,Q点相互牵连。(2) 交流等效电路第3章 集成运算放大器3.1知识点归纳本章讲述了集成运放的结构特点,电路组成,主要性能参数、种
20、类及使用方法。1.集成运放实际上是一种好性能的直接耦合放大电路。通常由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四部分组成,双极型管组成的集成运放,输入级多用差分放大电路,中间级为共射电路,输出级多用互补输出级,偏置电路是多路电流源电路。2.电流源电路不仅可为各级放大电路提供合适的静态电流,又可作为有源负载,从而大大提高了运放的增益。3使用集成运放应注意调零、频率补偿及必要的电路保护。学完本章应达能到下列要求1.熟悉集成运放的组成及性能,正确理解主要指标参数的物理意义及其使用注意事项。2.了解电流源电路的工作原理。3.能读懂集成运放5G23,5G24的工作原理。3.2 习题与思考题详解3-1差分放大电
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