单片机课程设计(论文)液晶显示电子万历.doc
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1、天津理工大学专业设计报告设计题目:液晶显示电子万历年设计人: 系别:电子信息工程系 专业:电子信息科学与技术指导老师:时间:2010年12月1日至2010年12月31日目 录关键词:时钟日历;AT89S52;LCD1602;DS12887;DS18B20;单片机第1章 设计要求与方案论证 1.1 设计要求1.2系统基本方案选择和论证1.2.1单片机芯片的选择方案和论证 21.2.2 显示模块选择方案和论证 21.2.3 时钟芯片的选择方案和论证 2第2章 系统的硬件设计与实现 2.1 电路设计框图 32.2 系统硬件 32.2.1系统硬件概述32.2.2元件叙述32.3 主要单元电路的设计 1
2、02.3.1单片机主控制模块的设计 102.3.2时钟电路模块的设计 102.3.3 LCD1602液晶显示模块的设计 112.3.4 电路原理及说明 12第3章 系统的软件设计3.1程序流程框图 143.2 子程序的设计 153.2.1读写日期、时间子程序153.2.2 各功能按键子程序16第4章 测试方案及结果4.1 测试仪器204.2硬件测试204.3软件测试204.测试结果分析与结论204.4.1 测试结果分析204.4.2 测试结论20参考文献21附录一:系统电路图22附录二:系统程序清单23附录三:系统使用说明书29第1章 设计概述1.1设计要求()基本要求 具有年、月、日、星期、
3、时、分、秒等功能; 具备年、月、日、星期、时、分、秒校准功能;( 2 ) 创新要求 具有设置闹钟功能; 具备闹铃功能;1.2 系统基本方案选择和论证1.2.1单片机芯片的选择方案和论证:方案一: 采用89C51芯片作为硬件核心,采用Flash ROM,内部具有4KB ROM 存储空间,能于3V的超低压工作,而且与MCS-51系列单片机完全兼容,但是运用于电路设计中时由于不具备ISP在线编程技术, 当在对电路进行调试时,由于程序的错误修改或对程序的新增功能需要烧入程序时,对芯片的多次拔插会对芯片造成一定的损坏。方案二: 采用AT89S52,片内ROM全都采用Flash ROM;能以3V的超底压工
4、作;同时也与MCS-51系列单片机完全该芯片内部存储器为8KB ROM 存储空间,同样具有89C51的功能,且具有在线编程可擦除技术,当在对电路进行调试时,由于程序的错误修改或对程序的新增功能需要烧入程序时,不需要对芯片多次拔插,所以不会对芯片造成损坏。所以选择采用AT89S52作为主控制系统.1.2.2 显示模块选择方案和论证:方案一:采用LED数码管动态扫描,LED数码管价格便宜,而且采用动态扫描法与单片机连接时,占用的单片机口线少,但是如果显示年月日、时分秒、星期、温度,要求的LED数码管数量比较多,而且接线麻烦,所以不采用LED数码管作为显示。方案二: 采用点阵式数码管显示,点阵式数码
5、管是由八行八列的发光二极管组成,对于显示文字比较适合,如采用在显示数字显得太浪费,且价格也相对较高,所以也不用此种作为显示。方案三: 采用LCD1602液晶显示屏,价格相对比较贵,但是液晶显示屏的显示功能强大,可显示大量文字,图形,显示多样,清晰可见,令作品效果更佳,所以在此设计中建议采用LCD1602液晶显示屏。1.2.3时钟芯片的选择方案和论证:方案一: 直接采用单片机定时计数器提供秒信号,使用程序实现年、月、日、星期、时、分、秒计数。采用此种方案虽然减少芯片的使用,节约成本,但是,实现的时间误差较大。所以不采用此方案。方案二: 采用DS12887时钟芯片实现时钟,DS12887芯片是一种
6、高性能的时钟芯片,可自动对秒、分、时、日、周、月、年以及闰年补偿的年进行计数,而且精度高,位的RAM做为数据暂存区,工作电压2.5V5.5V范围内,2.5V时耗电小于300nA. 1.3 电路设计最终方案决定综上各方案所述,对此次作品的方案选定: 采用AT89S52作为主控制系统; DS12887提供时钟; LCD1602液晶显示屏作为显示。第二章 系统硬件设计与实现2.1 电路设计框图AT89S52主控制模块键盘模块温度采集模块LCD1602液晶显示模块DS12887时钟模块2.2 系统硬件2.2.1系统硬件概述本电路是由AT89S52单片机为控制核心,具有在线编程功能,低功耗,能在3V超低
7、压工作;时钟电路由DS12887提供,它是一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路,它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时,具有闰年补偿功能,工作电压为2.5V5.5V。采用三线接口与CPU进行同步通信,并可采用突发方式一次传送多个字节的时钟信号或RAM数据。DS12887内部有一个31*8的用于临时性存放数据的RAM寄存器。可产生年、月、日、周日、时、分、秒,具有使用寿命长,精度高和低功耗等特点,同时具有掉电自动保存功能;温度的采集由DS18B20构成;显示部份由LCD1602液晶显示屏对数字、字母的显示。2.2.2元件叙述(1)AT89S52主要性能: 与MCS-51单片机产品兼容
8、 、8K字节在系统可编程Flash存储器、1000次擦写周期、 全静态操作:0Hz33Hz 、三级加密程序存储器、32个可编程I/O口线、三个16位定时器/计数器 八个中断源 、全双工UART串行通道、 低功耗空闲和掉电模式 、掉电后中断可唤醒 、看门狗定时器 、双数据指针 、掉电标识符 。 功能特性描述 At89s52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有 8K 在系统可编程Flash 存储器。使用Atmel 公司高密度非 易失性存储器技术制造,与工业80C51 产品指令和引脚完 全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程,亦适于 常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8 位CPU
9、 和在系统 可编程Flash,使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提 供高灵活、超有效的解决方案。 AT89S52具有以下标准功能: 8k字节Flash,256字节RAM, 32 位I/O 口线,看门狗定时器,2 个数据指针,三个16 位 定时器/计数器,一个6向量2级中断结构,全双工串行口, 片内晶振及时钟电路。另外,AT89S52 可降至0Hz 静态逻 辑操作,支持2种软件可选择节电模式。空闲模式下,CPU 停止工作,允许RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工 作。掉电保护方式下,RAM内容被保存,振荡器被冻结, 单片机一切工作停止,直到下一个中断或硬件复位为止。8 位微控制器 8
10、K 字节在系统可编程 Flash AT89S52 P0 口:P0口是一个8位漏极开路的双向I/O口。作为输出口,每位能驱动8个TTL逻 辑电平。对P0端口写“1”时,引脚用作高阻抗输入。 当访问外部程序和数据存储器时,P0口也被作为低8位地址/数据复用。在这种模式下, P0具有内部上拉电阻。 在flash编程时,P0口也用来接收指令字节;在程序校验时,输出指令字节。程序校验 时,需要外部上拉电阻。 P1 口:P1 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,p1 输出缓冲器能驱动4 个 TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入 口使用。作为输入使用
11、时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。 此外,P1.0和P1.2分别作定时器/计数器2的外部计数输入(P1.0/T2)和时器/计数器2 的触发输入(P1.1/T2EX),具体如下表所示。 在flash编程和校验时,P1口接收低8位地址字节。 引脚号第二功能 P1.0 T2(定时器/计数器T2的外部计数输入),时钟输出 P1.1 T2EX(定时器/计数器T2的捕捉/重载触发信号和方向控制) P1.5 MOSI(在系统编程用) P1.6 MISO(在系统编程用) P1.7 SCK(在系统编程用) P2 口:P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,P2 输出缓冲
12、器能驱动4 个 TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入 口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。 在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器(例如执行MOVX DPTR) 时,P2 口送出高八位地址。在这种应用中,P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用 8位地址(如MOVX RI)访问外部数据存储器时,P2口输出P2锁存器的内容。 在flash编程和校验时,P2口也接收高8位地址字节和一些控制信号。 P3 口:P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口,p2 输出缓冲器能驱动4 个 TT
13、L 逻辑电平。对P3 端口写“1”时,内部上拉电阻把端口拉高,此时可以作为输入 口使用。作为输入使用时,被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因,将输出电流(IIL)。 P3口亦作为AT89S52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。 在flash编程和校验时,P3口也接收一些控制信号。(2)1602字符型LCD简介字符型液晶显示模块是一种专门用于显示字母、数字、符号等点阵式LCD,目前常用16*1,16*2,20*2和40*2行等的模块。下面以长沙太阳人电子有限公司的1602字符型液晶显示器为例,介绍其用法。一般1602字符型液晶显示器实物如图:图1602字符型液晶显示器实物图1602LCD的基本
14、参数及引脚功能1602LCD分为带背光和不带背光两种,基控制器大部分为HD44780,带背光的比不带背光的厚,是否带背光在应用中并无差别,两者尺寸差别如下图10-54所示:引脚功能说明1602LCD采用标准的14脚(无背光)或16脚(带背光)接口,各引脚接口说明如表1所示:编号符号引脚说明编号符号引脚说明1VSS电源地9D2数据2VDD电源正极10D3数据3VL液晶显示偏压11D4数据4RS数据/命令选择12D5数据5R/W读/写选择13D6数据6E使能信号14D7数据7D0数据15BLA背光源正极8D1数据16BLK背光源负极表1:引脚接口说明表第1脚:VSS为地电源。第2脚:VDD接5V正
15、电源。第3脚:VL为液晶显示器对比度调整端,接正电源时对比度最弱,接地时对比度最高,对比度过高时会产生“鬼影”,使用时可以通过一个10K的电位器调整对比度。第4脚:RS为寄存器选择,高电平时选择数据寄存器、低电平时选择指令寄存器。第5脚:R/W为读写信号线,高电平时进行读操作,低电平时进行写操作。当RS和R/W共同为低电平时可以写入指令或者显示地址,当RS为低电平R/W为高电平时可以读忙信号,当RS为高电平R/W为低电平时可以写入数据。第6脚:E端为使能端,当E端由高电平跳变成低电平时,液晶模块执行命令。第714脚:D0D7为8位双向数据线。第15脚:背光源正极。第16脚:背光源负极。 160
16、2LCD的指令说明及时序1602液晶模块内部的控制器共有11条控制指令,如表2所示:序号指令RSR/WD7D6D5D4D3D2D1D01清显示00000000012光标返回000000001*3置输入模式00000001I/DS4显示开/关控制0000001DCB5光标或字符移位000001S/CR/L*6置功能00001DLNF*7置字符发生存贮器地址0001字符发生存贮器地址8置数据存贮器地址001显示数据存贮器地址9读忙标志或地址01BF计数器地址10写数到CGRAM或DDRAM)10要写的数据内容11从CGRAM或DDRAM读数11读出的数据内容表2:控制命令表1602液晶模块的读写操
17、作、屏幕和光标的操作都是通过指令编程来实现的。(说明:1为高电平、0为低电平)指令1:清显示,指令码01H,光标复位到地址00H位置。指令2:光标复位,光标返回到地址00H。指令3:光标和显示模式设置 I/D:光标移动方向,高电平右移,低电平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。高电平表示有效,低电平则无效。指令4:显示开关控制。 D:控制整体显示的开与关,高电平表示开显示,低电平表示关显示 C:控制光标的开与关,高电平表示有光标,低电平表示无光标 B:控制光标是否闪烁,高电平闪烁,低电平不闪烁。指令5:光标或显示移位 S/C:高电平时移动显示的文字,低电平时移动光标。指令6:功能设置命令
18、 DL:高电平时为4位总线,低电平时为8位总线 N:低电平时为单行显示,高电平时双行显示 F: 低电平时显示5x7的点阵字符,高电平时显示5x10的点阵字符。指令7:字符发生器RAM地址设置。指令8:DDRAM地址设置。指令9:读忙信号和光标地址 BF:为忙标志位,高电平表示忙,此时模块不能接收命令或者数据,如果为低电平表示不忙。指令10:写数据。指令11:读数据。与HD44780相兼容的芯片时序表如下:读状态输入RS=L,R/W=H,E=H输出D0D7=状态字写指令输入RS=L,R/W=L,D0D7=指令码,E=高脉冲输出无读数据输入RS=H,R/W=H,E=H输出D0D7=数据写数据输入R
19、S=H,R/W=L,D0D7=数据,E=高脉冲输出无表3:基本操作时序表读写操作时序如图2.1和2.2所示:图2.1 读操作时序图2.2 写操作时序1602LCD的RAM地址映射及标准字库表液晶显示模块是一个慢显示器件,所以在执行每条指令之前一定要确认模块的忙标志为低电平,表示不忙,否则此指令失效。要显示字符时要先输入显示字符地址,也就是告诉模块在哪里显示字符,图2.3是1602的内部显示地址。图2.3 1602LCD内部显示地址例如第二行第一个字符的地址是40H,那么是否直接写入40H就可以将光标定位在第二行第一个字符的位置呢?这样不行,因为写入显示地址时要求最高位D7恒定为高电平1所以实际
20、写入的数据应该是01000000B(40H)+10000000B(80H)=11000000B(C0H)。在对液晶模块的初始化中要先设置其显示模式,在液晶模块显示字符时光标是自动右移的,无需人工干预。每次输入指令前都要判断液晶模块是否处于忙的状态。1602液晶模块内部的字符发生存储器(CGROM)已经存储了160个不同的点阵字符图形,如图2.4所示,这些字符有:阿拉伯数字、英文字母的大小写、常用的符号、和日文假名等,每一个字符都有一个固定的代码,比如大写的英文字母“A”的代码是01000001B(41H),显示时模块把地址41H中的点阵字符图形显示出来,我们就能看到字母“A”图2.4 字符代码
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