微电子专业实习报告.doc
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1、目录 1 讲座篇.1 1.1凯虹讲座.1 1.2诺得卡讲座.2 1.3 CMOS讲座.4 2 参观篇.6 2.1上海新康电子有限公司.6 2.2 宏茂微电子上海有限公司.8 2.3上海蓝宝光电材料有限公司.10 2.4 台湾积体电路(上海)制造股份有限公司.12 2.5上海凯虹科技电子有限公司.13 2.6上海工程技术大学材料工程学院实验室.15 3 小结.15 4 参考文献.16一、 讲座篇 1.1凯虹讲座 在讲座中张老师为我们介绍了以平板显示、集成电路和太阳能光伏为支柱,中国“大半导体产业(泛半导体产业)”包括半导体、平板显示、光伏、印制电路等在内的中国大半导体产业.年中国集成电路市场规模
2、达亿元,同比增长 .半导体市场的驱动力主要来自于新兴技术和产业。除了像我们介绍了集成电路的发展,张老师还为我们介绍了许多半导体领域中新的封装技术。如3D封装。3D封装本质上是通过TSV硅通孔技术在内存芯片之间打孔,然后以导体材料填充这些孔,以产生垂直互连效果。 三星的3D封装技术W SP其中3D设计替代单芯片封装缩小了器件尺寸、减轻了重量。在速度方面,3D技术节约的功率可使3D元件以每秒更快的转换速度运转而不增加能耗、寄生性电容。3D封装更有效的利用了硅片的有效区域,与2D封装技术相比,3D技术的硅片效率超过100%;6 键合工艺比较图1在讲座中,张老师对于封装技术相关的各工作岗位也为我们做了
3、一个系统的介绍:在我看来,了解封装的相关各岗位对于我们封装专业的大三学生们是非常有用的,知道了每个岗位的工作和职能,才会让我们在以后找工作时有一个明确的就业方向。1.2 诺得卡讲座 在讲座中,周老师为我们讲解了微波晶体管的芯片焊接一、 技术背景1.约束着芯片焊接技术的发展的因素,主要有以下两个: Vces饱和压降。在焊接中,饱和压降越小越好; 热损。热损越少,焊接质量越好。2.在焊接中遇到的瓶颈问题有: 高温下性能的衰减; 银浆(导电环氧)烧结技术。二、 介绍金硅二相金属的相图1410 1063硅2.85%金三、 基本装置 加热 焊头在焊接过程中,对芯片施加向下的压力,使芯片与衬底焊在一起。注
4、:芯片的背面不平整,因为有氧化物和水汽。四、 相关参数 1.金层参数 2.芯片面积 3.超声波功率/震动幅度 4.衬底温度 5.焊头温度 6.焊接压力 7.焊接时间五、接下来,周老师还介绍了 公司的各个部门:技术部( 设备维修制程制定工艺规范manager)质量部(检验员QC工程师 incoming check ;process;QA Gate失效分析manager)生产部(计划、VPH) 物流(仓库、采购) 行政 人力资源 财务 R&D 安全/工厂1.3 CMOS讲座CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一
5、种放大器件。它的优点在于: 抗噪声 省能耗。1.CMOS集成电路工艺分类:2.CMOS步骤: 光刻(photo-lithography) 刻蚀(ETCH) 薄膜(Thin film) 炉管(Diffusion) 化学机械研磨(CMP)3.整合 1. Module integration 2. Transistor Layer 3. Gate Oxide Formation 4. Poly growth 5. Poly Oxide Formation 6. LDD(Light Dope Drain) Implant 7. Spacer Formation 8. S/D Plus Implant
6、9. Salicide Formation 10. ILD Passivation 11. Contact Plug Formation 12. IMD Deposition 13. MVIA Plug Formation二、参观篇2.1上海新康电子有限公司在新康的参观过程中,王老师用自己做的PPT为我们非常详细的讲解了他们公司封装的过程,让我把平时老师上课时学到的知识有了个系统的概念和认识,加深并拓宽了我对封装方面的知识的了解。 在参观的过程中,王老师还问到了如何通过包装上的编号来辨别芯片的型号,虽然我们没有学,但是回家后我找了相关的资料,发现芯片的编号是非常有讲究的。下面我举一个生活中大家
7、都比较熟悉的内存条的芯片编号来做分析。例:HYNIX DDR SDRAM芯片编号: HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 1 HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。 2 内存芯片类型 3 处理工艺及供电4 芯片容量密度和刷新速度 5 内存条芯片结构 6 内存bank(储蓄位) 7 接口类型 8 内核代号 9 能源消耗10封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;FFBGA;FCFBGA(UTC:8x13mm) 11封装堆栈 12封装原料 13速度 14工作温度 整个DDR SDR
8、AM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。 2.2宏茂微电子上海有限公司 在参观中,我了解到了宏茂微电子公司主要是进行内存条的封装,封装的类型为BGA封装。所谓的BGA技术(Ball Grid Array Package)即球栅阵列封装技术。晶圆针测(Chip Probing;CP)之目的在于针对晶片作电性功能上的测试(Test),使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的晶片,以避免对不良品增加制造成本。半导体制程中,针测制程只要换上不同的测试配件,便可与测试制程共用相同的测试机台(Tester) 所以一般测试厂为提高
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