开关电源的原理与设计毕业论文.doc
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1、1 绪论11.1 开关电源的概念和分类11.1.1开关电源的概念11.1.2开关电源的分类31.2 开关电源设计中存在的问题与未来发展41.2.1开关电源中存在的问题41.2.2开关电源的发展趋势52 开关电源元器件的选用62.1 开关晶体管62.1.1功率开关MOSFET62.1.2 绝缘栅双极型晶体管72.2 软磁铁氧体磁芯82.2.1磁性材料的基本特性92.2.2磁芯的结构与选用92.3 光电耦合器102.4 二极管122.4.1开关二极管132.4.2稳压二极管132.4.3快速恢复及超快速恢复二极管142.5 自动恢复开关142.6 热敏电阻153 开关电源的设计基础173.1 开关
2、电源的控制方式173.1.1脉宽调制的基本原理173.1.2脉冲频率调制的基本原理183.2 各类拓扑结构电源分析193.3 谐振式电源与软开关技术243.3.1电路的谐振现象243.3.2谐振式电源的基本原理253.3.3谐振开关的动态过程分析263.3.4软开关技术及常见软开关拓扑简介303.4 其它软开关技术应用及发展概况364 开关电源设计384.1 开关电源集成控制芯片384.1.1芯片管脚排列及说明384.1.2芯片基本特性394.1.3芯片工作原理分析404.2 开关电源电路分析474.2.1开关电源电路原理图474.2.2开关电源各单元电路具体分析49结 论55致 谢56参 考
3、 文 献- 57 -1 绪论开关电源是近年来应用非常广泛的一种新式电源,它具有体积小、重量轻、耗能低、使用方便等优点,在邮电通信、航空航天、仪器仪表、工业设备、医疗器械、家用电器等领域应用效果显著。1.1 开关电源的概念和分类电源是将各种能源转换成为用电设备所需电能的装置,是所有靠电能工作的装置的动力源泉。1.1.1开关电源的概念电是工业的动力,是人类生活的源泉。电源是产生电的装置,表示电源特性的参数有功率、电压、电流、频率等;在同一参数要求下,又有重量、体积、效率和可靠性等指标。我们用的电,一般都需要经过转换才能适合使用的需求,例如交流转换成直流,高电压变成低电压,大功率变换为小功率等。按照
4、电子理论,所谓AC/DC就是交流转换为直流;AC/AC称为交流转换为交流,即为改变频率;DC/AC称为逆变;DC/DC为直流变交流后再变直流。为了达到转换的目的,电源变换的方法是多样的。自20世纪60年代,人们研发出了二极管、三极管半导体器件后,就用半导体器件进行转换。所以,凡是用半导体功率器件作开关,将一种电源形态转换成另一种形态的电路,叫做开关变换电路。在转换时,以自动控制稳定输出并有各种保护环节的电路,称为开关电源(Switching Power Supply)1。开关电源在转换过程中,用高频变压器隔离称之为离线式开关变换器(Off-line Switching Cpnwerter),常
5、用的AC/DC变换器就是离线式变换器。开关电源通常由六大部分组成,如图1-1所示。 图1-1 开关电源工作原理框图第一部分是输入电路,它包含有低通滤波和一次整流环节。220V交流电直接经低通滤波和桥式整流后得到未稳压的直流电压Vi,此电压送到第二部分进行功率因数校正,其目的是提高功率因数,它的形式是保持输入电流与输入电压同相。功率因数校正的方法有无源功率因数校正和有源功率因数校正两种。所谓有源功率因数校正(Active Power Factor Correction,APFC),是指电源在校正过程中常采用三极管和集成电路。开关电源电路常采用有源功率因数校正。第三部分是功率转换,它是由电子开关和
6、高频方波脉冲电压。第四部分是输出电路,用于将高频方波脉冲电压经整流滤波后变成直流电压输出。第五部分是控制电路,输出电压经过分压、采样后于电路的基准电压进行比较、放大。第六部分是频率振荡发生器,它产生一种高频波段信号,该信号与控制信号叠加进行脉宽调制,达到脉冲宽度可调。有了高频振荡才有电源变换,所以说开关电源的实质是电源变换。高频电子开关是电能转换的主要手段和方法。在一个电子开关周期(T)内,电子开关的接通时间与一个电子周期所占时间之比,叫接通占空比(D),D=。断开时间所占T的比例称为断开占空比(D),。开关周期是开关频率的倒数,。例如:一个开关电源的工作频率是50kHz,它的周期(微秒)。很
7、明显,接通占空比(D)越大,负载上的电压越高,表明电子开关接通时间越长,此时负载感应电压较高,工作频率也较高。这对于开关电源的高频变压器实现小型化有帮助,同时,能量传递的速度也快。但是,开关电源中断开关功率管、高频变压器、控制集成电路以及输入整流二极管的发热量高、损耗大。对于不同的变换器形式,所选用的占空比大小是不一样的。开关电源与铁芯变压器电源以及其他形式的电源比较起来具有较多的优点:(1) 节能。绿色电源是开关电源中用途最为广泛的电源,它的效率一般可以达到85%,质量好的可以达到95%甚至更高,而铁芯变压器的效率只有70%或者更低。最近欧盟和美国消费者协会统计,美国一般家用电器和工业电气设
8、备的单机能源消耗指数大于92%。美国的“能源之星”对电子镇流器、开关电源以及家用电器的效率都制定有很仔细的、非常严格的规章条款。(2) 体积小,重量轻。据统计,100W的铁芯变压器的重量为1200g左右,体积达350cm3,而100W的开关电源的重量只有250g,而且敞开式的电源更轻,体积不到铁芯变压器的1/4。(3) 开关电源具有各种保护功能,不易损坏。而其他的电源由于本身原因或使用不当,发生短路或断路的事故较多。(4) 改变输出电流、电压比较容易,且稳定、可控。(5) 根据人们的要求,可设计出各种具有特殊功能的电源,以满足人们的需要。1.1.2开关电源的分类目前开关电源的种类很多,从工作性
9、质来分,大体上可分为“硬开关”和“软开关”两种。所谓硬开关,是指电子脉冲、外加控制信号强行对电子开关进行“开”和“关”,而与电子开关自身流过的电流以及两端施加的电压无关。显然,开关是接通和关断期间是有电流、电压存在的,因此,这种工作方式是有损耗的。但是它比其他变换电源的形式简单的多,所以,硬开关在很多地方仍然在应用,如脉宽调制(Pulse Width Modulation,PWM)器就属于硬开关。目前,很多开关电源都用PWM来控制。另一类叫做软开关,电子开关在零电压下导通,在零电流下关断。可见,电子开关是在“零状态”下工作的,所以,理论上它的损耗为零,对浪涌电压、脉冲尖峰电压的抑制能力很大,其
10、工作频率可以提高到5MHz以上,开关电源的重量和体积则可进行更大的改变。为了实现零电压“开”和零电流“关”,我们常采用谐振的方法。从电子理论可知道,谐振就是容抗等于感抗,总的电抗为零,电路中的电流无穷大。如果正弦波电压加到并联的电感回路上,这时电感上的电压就无穷大。利用谐振电路可实现正弦波振荡,当振荡倒零时,电子开关导通,称之为零电压导通(Zero Voltage Switching)。同样,流过电子开关的电流振荡到零时,电子开关关断,称之为零电流关断(Zero Current Switching)。总之,电子开关具有零电压导通、零电流关断的外部条件,这种变换器称为准谐振变换器。它是在脉宽调制
11、器上附加谐振网络而形成的,固定电子开关导通时间,通过调整振荡频率,最终使电路产生谐振,从而获得准谐振变换器的模式。准谐振变换器开关电源的输出电压不随输入电压的变化而变化,它的输出电流也不随用电负载的变化而变化,这种开关电源的主变换器依靠开关频率来稳定输出参数,我们称之为调频开关电源。调频开关电源没有脉冲调制开关电源那么容易控制,再加上准谐振电路电压峰值高,开关所受到的应力大,目前还没有得到广泛应用。DC/DC变换类型是开关电源变换的基本类型,它通过控制开关通、断时间的比例,用电抗器与电容器上蓄积的能量对开关波形进行微分平滑处理,从而更有效地调整脉冲的宽度及频率。从输入、输出有无变压器隔离来说,
12、DC/DC变换分为有变压器隔离和没有变压器隔离两类。每一类有6种拓扑,即降压式(Buck)、升压式(Boost)、升压降压式(Buck-Boost)、串联式(Cuk)、并联式(Sepic)以及赛达式(Zata)。按激励方式分,有自激式和他激式两种。自激式包括单管式和推挽式,他激式包括调频式(PWF)、调宽式(PWM)、调幅式(PAM)和谐振式(RSM)4种,我们用得最多的是调宽式变换器。调宽式变换器有以下几种:正激式(Forward Converter)、反激式(Feedback Converter Mode)、半桥式(Half Bridge Converter)、全桥式(Overall Br
13、idge Mode)、推挽式(Push Draw Mode)和阻塞式(Ringing Choke Converter,RCC)等6种。按谐振方式分,有串联谐振式、并联谐振式和串并联谐振式;按能量传递方式分,有连续模式和不连续模式两种。凡是以脉冲宽度来调制的电子开关变换器都叫PWM变换器。1.2 开关电源设计中存在的问题与未来发展1.2.1开关电源中存在的问题客观上讲,开关电源的发展是非常快的,这时因为它具有其他电源所无法比拟的优势。材料之新、用途之广,是它快速发展的主要动力。但是,它离人们的要求、应用的价值还差得很远,体积、重量、效率、抗干扰能力、电磁兼容性以及使用的安全性都不能说是十分完美。
14、目前要解决的问题有:(1) 器件问题。电源控制集成度不高,这就影响了电源的稳定性和可靠性,同时对电源的体积和效率来说也是一个大问题。(2) 材料问题。开关电源使用的磁芯、电解电容及整流二极管灯都很笨重,也是耗能的主要根源。(3) 能源变换问题。按照习惯,变换有这样几种形式:AC/DC变换、DC/AC变换以及DC/DC变换等。实现这些变换都是以频率为基础,以改变电压为目的,工艺复杂,控制难度大,始终难以形成大规模生产。(4) 软件问题。开关电源的软件开发目前只是刚刚起步,例如软开关,虽然它的损耗低,但难以实现高频化和小型化。要做到“软开关”并实行程序化,更是有一定的困难。要真正做到功率转换、功率
15、因数改善、全程自动检测控制实现软件操作,目前还存在很大的差距。(5) 生产工艺问题。往往在试验室中能达到相关的技术标准,但在生产上会出现各种问题。这些问题大多是焊接问题和元器件技术性能问题,还有生产工艺上的检测、老化、粘结、环境等方面的因素。1.2.2开关电源的发展趋势未来的开关电源像一只茶杯的盖子:它的工作频高达210MHz,效率达到95%,功率密度为36W/cm2,功率因数高达0.99,长期使用完好,寿命在80000h以上。这就是开关电源的发展趋势。所谓高标准就是对未来开关电源的挑战:第一,能不能全面通容电磁兼容性的各项技术标准;第二,在企业里能不能大规模地、稳定地生产,或快捷地进行单项生
16、产;第三,按照人们的需要,能不能组装或拼装大容量、高效率的电源;第四,能否使新的开关电源具有比运行中的电气额定值更高的功率因数、更低的输出电压(13V)、更大的输出电流(数百安);第五,能不能实现更小的电源模块2。2 开关电源元器件的选用2.1 开关晶体管无论那一种变换器,用的是那一种结构形式的开关电源,所使用的元器件都是开关晶体管、电阻、电容、电感及磁性材料等。选用好元器件,是决定开关电源质量的关键。往往设计的开关电源在试验室中式成功的,一到生产线上进行规模生产时,就会出现各种问题。当然,有设计方面的,有工艺方面的,还有焊接方面的,但多数是元器件选用问题。元器件本身质量的差异是影响开关电源质
17、量的一个重要原因。2.1.1功率开关MOSFETMOSFET分P沟道耗尽型、P沟道增强型、N沟道耗尽型和N沟道增强型4种类型。增强型MOSFET具有应用方便的“常闭”特性(即驱动信号为零时,输出电流等于零)。在开关电源中,用作开关功率管的MOSFET几乎全部都是N沟道增强型器件。这时因为MOSFET是一种依靠多数载流子工作的单极型器件,不存在二次击穿和少数载流子的储存时间问题,所以具有较大的安全工作区、良好的散热稳定性和非常快的开关速度。MOSFET在大功率开关电源中用作开关,比双极型功率晶体管具有明显的优势。所有类型的有源功率因数校正器都是为驱动功率MOSFET而设计的,所以说,用作开关的M
18、OSFET是任何双极型功率晶体管所不能替代的4。 (1) MOSFET的主要特点MOSFET是一种依靠多数载流子工作的典型场控制器件。由于它没有少数载流子的存储效应,所以它适用于100200MHz的高频场合,从而可以采用小型化和超小型化的磁性元件和电容器。MOSFET具有负的电流温度系数,可以避免热不稳定性和二次击穿,适合在大功率和大电流条件下应用。MOSFET从驱动模式上来分,属于电压控制器件,驱动电路设计比较简单,驱动功率甚微,在启动或稳定工作条件下的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。MOSFET中大多数集成有阻尼二极管,而双极型功率晶体管中大多没有内装阻尼二极管。MOSFET对系数
19、的可靠性与安全性的影响并不像双极型晶体管那样重要。MOSFET的主要缺点是导通电阻(RDS(ON))较大,而且具有正温度系数,用在大电流开关状态时,导通损耗较大,开启门限电压VGS(th)较高(一般为24V),要求驱动变压器绕组的匝数比采用双极型晶体管多1倍以上。 (2) MOSFET的驱动电路MOSFET的驱动电路如图2-1和图2-2所示。图2-1 加速TR关断驱动电路在图2-1中,NS为脉冲变压器次级驱动绕组,R是MOSFET的栅极限流电阻。齐纳二极管DW1,DW2反向串接在一起,用于对VT的栅漏极进行钳位,放置驱动电压VGS过高而使VT几串。R的阻值一般为60200。尽管MOSFET的输
20、入阻抗很高,但仍会产生充电电流。R值小,则开关速度高,只要栅极的驱动电压一撤销,就会立刻截止。图2-2 功率驱动电路图2-2所示是加速漏极电流跌落时间、有利于零功率控制的电路。当MOSFET的栅极驱动电压突然降到门限电压时,MOSFET由导通突变为截止,三极管BC557加速了ID的跌落,为MOSFET起到加速作用。2.1.2 绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的场控制器件,是高压、高速新型大功率器件。它的耐压能力为6001800V,电流容量为100400A,关断时间低至0.2s,在开关电源中作功率开关用,具有MOSFET与之不可比拟的优点。IGBT的主
21、要特点是: 电流密度大,是MOSFET的10倍以上。 输入阻抗高,栅极驱动功率小,驱动电路简单。 低导通电阻。IGBT的导通电阻只有MOSFET的10%。 击穿电压高,安全工作区大,在受到较大瞬态功率冲击时不会损坏。 开关速度快,关断时间短。耐压为1kV的IGBT的关断时间为1.2s,600V的产品的关断时间仅为0.2s。上述这些特征克服了MOSFET的一些缺陷,即在大功率、高电压、大电流条件下工作时导通电阻大、器件发热严重、输出功率下降、电源效率低下的弊病。有关MOSFET和IGBT的图形符号见图2-3和图2-4。图2-3 MOSFET的图形符号图2-4 IGBT的图形符号 2.2 软磁铁氧
22、体磁芯软磁铁氧体材料常用在高频变压器、电感整流器、脉冲变压器以及PFC中的升压电感等电路中,在开关电源中时一种非常重要的元件。但是,我们不能十分有把握地掌握磁性材料的特性,以及这种特性与温度、频率、气隙等的依赖性和不易测量性。在选择铁氧体时,它不像电子元件那样可以测量,它的具体的参数、特性曲线在显示测量仪器上也不时一目了然。由于高频变压器、电感器所涉及的参数太多,例如电压、电流、温度、频率、电感量、变比、漏感、磁性材料参数、铜损、铁损、交流磁场强度、交流磁感应强度、真空导磁率等十几种参量。设计开发人员对高频变压器的设计制作,时开关电源设计制作的头等重要任务。铁氧体受到的影响因素多、元器件选用以
23、及电路板上元器件的布置和走线的方式等对此都有影响。对于一个产品,我们不看它的电路布置如何漂亮,而是要看各元器件布局是否合理,铁氧体磁芯的颜色、线圈的屏蔽是否合适,散热处理是否得当等等。2.2.1磁性材料的基本特性(1) 磁场强度(H)与磁感应强度(B)。磁场强度时表示磁场强弱与方向的一个物理量,用安/米(A/m)表示。磁感应强度是指磁场作用于磁性物质上的作用力的大小,用(Gs)表示。温度越高,磁感应强度越低。(2) 居里温度TC。磁芯的磁状态由铁磁性转变成顺磁性时,在T曲线上,80%max与20%max的连线跟导磁率等于1的直线的交点相对应的温度称为居里温度。温度越高,出事导磁率也越高,当超过
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