电工学(秦曾煌版)电工电子学复习题.doc
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1、电子学复习题一、判断题:1. 晶体二极管的阳极电位是V,阴极电位是V,则该晶体二极管处于( A )。A反偏 B正偏 C零偏 D以上都不对2. 当晶体三极管的两个结都正偏时,则晶体三极管处于( C )。A截止状态 B放大状态 C饱和状态 D以上都不对3. 在单相半波整流电路中,如果电源变压器二次电压为,则负载电压将是( B )。A100 B45 C90 D1904. 当逻辑函数有n个变量时,共有( D )个变量取值组合。A. n B. 2n C. n2 D. 2n5. 在( D )输入情况下,“与非”运算的结果是逻辑0。A全部输入是0 B.任一输入是0 C.仅一输入是0 D.全部输入是16、三极
2、管处于放大区时,其发射结( B ),集电结( )。A. 正偏 正偏 B. 正偏 反偏 C. 反偏 正偏 D. 反偏 反偏7、硅管的死区电压是( C )。A. 0.2V B. 0.3V C. 0.5V D. 0.7V8、选用差分电路的原因是( A )。A. 减小温漂 B. 提高输入电阻 C. 稳定放大倍数 D. 减小失真9、单相桥式整流电路,负载上的电压平均值为( B )。A. 0.45U2 B. 0.9U2 C. 1U2 D. 1.2U210、已知逻辑函数,的是( D )A. , B. ,C. , D. ,11.某放大电路负载开路时的输出电压为4V,接入2k的负载后,输出电压为2.5V,则该放
3、大电路的输出电阻为(A )A,1.2k B,1.6k C,3.2k D,10k12.放大电路的输入信号频率为其下限频率f1时,增益比中频率下降分贝数为( C )。A,20 B,7 C,3 D,113,测得NPN型硅三极管三个电极电压分别为:UB=2.8v,UE=2.1V,UC=3.6V,则该管处于( C )状态。,饱和 ,截止 ,放大 ,击穿14. 已知逻辑函数,的是( B )A, , B, , C, , D, ,15.为了获得电压放大,同时又使得输出与输入电压同相,则应选用( C )。A,共发射极电路 B,共集电极电路 C,共基极电路 D,共漏极电路16、放大电路如图A.30所示,已知晶体管
4、的=100,则该电路中三极管工作在( B )A放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 无法确定17、图A.31所示交流通路中,三极管的rbe=3k,=100,则该电路的输入电阻R1为( D )。A.100 B.30 C.3.1 D.13.118、选用差分电路的原因是( A )。A.减小温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放大倍数 D.减小失真19、桥式整流电容滤波电路参数适合,当输入交流电压的有效值为10V,则直流输出电压值约为( C )。A、9V B、10V C、12V D、14V20.、二极管、门电路如图c.1所示,它是一个(B)。A正或门B正与门C负与门D与非门二、填空题晶体二极管按所用的
5、材料可分为 硅 和 锗 两类,杂质半导体按掺入的杂质不同可分为 型 和 型 两种。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、 Ie 和 Uce 。3. (101.01)2( 5.25 )10 (1101011.101)2 = ( 153.5 )8 = ( 6B.A )164、三极管的输出特性曲线上可以划分三个区域 饱和区 、 放大区 、 截止区 。5、稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性工作的。6、N型半导体中多数载流子是_ _自由电子_ _,P型半导体中多数载流子是_ _空穴_,PN结具有_单向导通_特性。7、集成运算放大器通常由 输入级 、 中间级 、 输出级 、 偏置电路
6、四个部分组成。8、完成下列进制之间的转换:(1011.01)2 = ( 11.25 )10 (29.25)10 = ( 11101. 01 )2 (1101011.101)2 = ( 153.5 )8 = ( 6B.A )169.发射结_正向_偏置,集电结_正向_偏置,则三极管处于饱和状态。10.两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为 40 dB,第二级电压增益为26dB ,则两级总电压增益为 66 dB。11.差分电路的两个输入端电压分别为Ui1 =2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为 0.02 V,共模输入电压Uic为 1.99 V。12.集成运算
7、放大器在比例运算电路中工作在 线性 区,在比较器中工作在 非线性 区。13.在放大电路中为了提高输出电阻应引入 电流 负反馈,为了降低输入电阻应引入并联 负反馈。14、P结的正向接法是型区接电源的 正 极,型区接电源的 负 极。15晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。16型半导体主要靠 电子 来导电,型半导体主要靠 空穴 来导电。17晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路18.本征半导体中掺入微量_三_价元素可形成P型半导体,其多数载流子为_空穴_。19.十进制数236对应的二进制数是_11101100_。20.温度升高时,三极管的穿透电流Iceo将_增大
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