第2章89C51单片机单片机的硬件结构.ppt

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1、第2章 89C51单片机单片机的硬件结构,2.1 89C51单片机的片内结构片内结构如图2-1所示:,图2-1 89C51单片机的片内结构,由如下功能部件组成：对图2-1中的片内各部件做简单介绍。1.CPU（微处理器）2.数据存储器（RAM）片内为128个字节（52子系列的为256个字节）3.程序存储器（ROM/EPROM）8031:无此部件；8051:4K字节ROM；8751:4K字节EPROM；89C51/89C52/89C55:4K/8K/20K 字节闪存。4.4个并行可编程的8位I/O口 P1口、P2口、P3口、P0口5.串行口 1个全双工的异步串行口，具有四种工作方式。,6.定时器/

2、计数器7.中断系统8.特殊功能寄存器（SFR）共有21个，是一个具有特殊功能的RAM区。CPU对各种功能部件的控制是采用特殊功能寄存器（SFR，Special Function Register）的集中控制方式。,MCS-51系列单片机配置一览表,图2-2 89C51的引脚,2.2 89C51的引脚 40只引脚双列直插封装（DIP）。,从一片集成电路的角度去认识单片机,80C51：40个引脚双排直插DIP封装,大致可分为3类：电源及时钟、控制和I/O引脚。,80C51：40个引脚双排直插DIP封装,大致可分为3类：电源及时钟、控制和I/O引脚。,40只引脚按功能分为3类：（1）电源及时钟引脚:

3、Vcc、Vss；XTAL1、XTAL2。（2）控制引脚：PSEN*、EA*、ALE、RESET（即RST）。（3）I/O口引脚：P0、P1、P2、P3，为4个8位I/O口的外部引脚,1电源引脚（1）Vcc（40脚）：+5V电源；（2）Vss（20脚）：接地。2时钟引脚（1）XTAL1（19脚）：接外部晶体，如果采用外接振荡器时，振荡器的输出应接到此引脚上。（2）XTAL2（18脚）：接外部晶体的另一端或采用外接振荡器时悬空。,2.2.1 电源及时钟引脚,1545pfx2,112MHz（MCS-51）024MHz（Atmel-89C）,XTAL1,XTAL2,也可以由 XTAL1端接入外部时钟，

4、此时应将 XTAL2接地：,XTAL2,XTAL1,外部时钟,通常外接一个晶振两个电容,2.2.2 控制引脚 提供控制信号，有的引脚还具有复用功能。(1)RST/VPD(9脚)：复位与备用电源。(2)EA*/VPP(Enable Address/Voltage Pulse of ProgRaming，31脚)EA*：为内外程序存储器选择控制端。EA*=1，访问片内程序存储器，但在PC（程序计数器）值超过0FFFH（对于8051、8751）时，即超出片内程序存储器的4K字节地址范围时，将自动转向执行外部程序存储器内的程序。EA*=0，单片机则只访问外部程序存储器。不管芯片内有否内ROM。对80C

5、31芯片，片内无ROM，因此EA必须接地。VPP：本引脚的第二功能。用于施加编程电压（例如+21V或+12V）。对89C51，加在VPP脚的编程电压为+12V或+5V。,(3)ALE/PROG*（30脚）：地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲 第一功能:ALE为地址锁存允许，用来锁存P0口送出的低8位地址,可驱动8个LS型TTL负载。第二功能:PROG*为编程脉冲输入端,片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，此引脚输入编程脉冲。,(4)PSEN*（29脚）：外部程序存储器的读选通信号(外ROM读选通信号)。或称：寻址外部程序存储器时选通外部EPROM的读控制端（OE）低有效,可驱动8个

6、LS型TTL负载。,单片机,锁存器74LS373,P0.0-P0.7,ALE,PSEN,P2.0-P2.4,8D,8Q,OE,A8-A12,A0-A7,D0-D7,G,EA,OE,CE,EPROM,EPROM,89C51共有4个8位并行I/O端口：P0、P1、P2、P3口，共32个引脚。P3口还具有第二功能，用于特殊信号输入输出和控制信号（属控制总线）。,2.2.3 I/O口引脚,(1)P0口：当89C51扩展外部存储器及I/O接口芯片时，P0口作为地址总线（低8位）及数据总线的分时复用端口。为双向I/O口。也可作为通用的I/O口使用，但需加上拉电阻，这时为准双向口。当作为普通的I/O输入时，

7、应先向端口的输出锁存器写入1。P0口可驱动8个LS型TTL负载。(2)P1口：8位准双向I/O口，具有内部上拉电阻，可驱动4个LS型TTL负载。(3)P2口：8位准双向I/O口，与地址总线（高8位）复用，具有内部上拉电阻，可驱动4个LS型TTL负载。(4)P3口：8位准双向I/O口，双功能复用口，具有内部上拉电阻，可驱动4个LS型TTL负载。P3口还可提供第二功能，定义如表2-1所列，应熟记。注意:准双向口与双向三态口的差别。（1）当3个准双向I/O口作输入口使用时，要向该口先写“1”。（2）准双向I/O口无高阻“浮空”状态。,2.3 89C51的CPU 由运算器和控制器所构成2.3.1 运算

8、器 1算术逻辑运算单元ALU 进行算术、逻辑运算，还具有位操作功能,2累加器A 使用最频繁的寄存器，可写为Acc。累加器A的作用：（1）是ALU的输入之一，又是运算结果的存放单元。（2）数据传送大多都通过累加器A。MCS-51增加了一部分可以不经过累加器的传送指令，即可加快数据的传送速度，又减少A的“瓶颈堵塞”现象。A的进位标志Cy同时又是位处理机的位累加器。3程序状态字寄存器PSW PSW也称为标志寄存器，存放各有关标志。其结构和定义如图2-3：,（1）Cy（PSW.7）进位标志位，用于表示Acc.7有否 向更高位进位。（2）Ac(PSW.6)辅助进位标志位，用于BCD码的十 进制调整运算。

9、用于表示Acc.3有否 向Acc.4进位（3）F0（PSW.5）用户使用的状态标志位。,图2-3 程序状态字寄存器PSW,（4）RS1、RS0（PSW.4、PSW.3）：4组工作寄存器区选择控制位1和位0。如表2-2。RS1、RS0与4组工作寄存器区的对应关系 RS1 RS0 所选的4组寄存器 0 0 0区（内部RAM地址 00H07H）0 1 1区（内部RAM地址 08H0FH）1 0 2区（内部RAM地址 10H17H）1 1 3区（内部RAM地址 18H1FH）（5）OV（PSW.2）溢出标志位 指示运算是否溢出。注意各种算术运算指令对该位的影响（6）PSW.1位:保留位，未用（7）P(

10、PSW.0)奇偶标志位 P=1，A中“1”的个数为奇数P=0，A中“1”的个数为偶数,2.3.2 控制器 1程序计数器PC（Program Counter）存放下一条要执行的指令在程序存储器中的地址。基本工作方式有以下几种：（1）程序计数器自动加1（2）执行有条件转移或无条件转移指令时，PC将被置入新的数值，从而使程序的流向发生变化。（3）执行子程序调用或中断调用，完成下列操作：PC的现行值保护 将子程序入口地址或中断向量的地址送入PC。2指令寄存器IR、指令译码器及控制逻辑电路,2.4 89C51存储器的结构,89C51的存储器配置方式与其他常用的微机系统不同，属哈佛结构(注意:什么是哈佛结

11、构?)，它把程序存储器和数据存储器分开，各有自己的寻址系统、控制信号和功能。程序存储器用于存放程序和表格常数；数据存储器用于存放程序运行数据和结果。,89C51的存储器组织结构可以分为三个不同的存储空间，分别是：,64KB程序存储器(ROM),包括片内ROM和片外ROM；,256B内部数据存储器(内RAM)(包括特殊功能寄存器）。,64KB外部数据存储器（外RAM）；,89C51存储空间配置图,存储器空间可划分为5类：1.程序存储器空间 片内程序存储器为4KB 的 Flash 存储器 2.片内数据存储器空间：128B 3.特殊功能寄存器 SFR-Special Function Registe

12、r4.位地址空间:211个可寻址位。5.外部数据寄存器空间:片外可扩展64K字节RAM。,地址范围：0000HFFFFH，共64KB。其中:低段4KB：0000H0FFFH 89C51和87C51在片内，80C31在片外。高段60KB：1000HFFFFH。在片外。读写ROM用MOVC指令，控制信号是PSEN和EA。读ROM是以程序计数器PC作为16位地址指针，依次读相应地址ROM中的指令和数据，每读一个字节，PC+1PC，这是CPU自动形成的。但是有些指令有修改PC的功能，例如转移类指令和MOVC指令，CPU将按修改后PC的16位地址读ROM。,2.4.1 程序存储器,存放应用程序和表格之类

13、的固定常数。分为片内和片外两部分，由EA*引脚上所接的电平确定。程序存储器中的0000H地址是系统程序的启动地址,读外ROM的过程：,CPU从PC(程序计数器)中取出当前ROM的16位地址，分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外ROM 16位地址输入端，当PSEN信号有效时，外ROM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入指定单元。,需要指出的是:64KB中有一小段范围是89C51系统专用单元，0003H0023H是5个中断源中断服务程序入口

14、地址，用户不能安排其他内容。89C51复位后，PC=0000H，CPU从地址为0000H的ROM单元中读取指令和数据。从0000H到0003H只有3B，根本不可能安排一个完整的系统程序，而89C51又是依次读ROM字节的。因此，这3B只能用来安排一条跳转指令，跳转到其他合适的地址范围去执行真正的主程序。,5个专用单元具有特殊用途。为5个中断源的中断入口地址，表2-3 5种中断源的中断入口地址外中断0 0003H定时器T0 000BH外中断1 0013H 定时器T1 001BH 串行口 0023H,从广义上讲，89C51内RAM（128B）和特殊功能寄存器（128B）均属于片内RAM空间，读写指

15、令均用MOV指令。但为加以区别，内RAM通常指00H7FH的低128B空间。,2.4.2 内部数据存储器 128个，字节地址为00H7FH。,89C51内RAM又可分成三个物理空间：工作寄存器区、位寻址区和数据缓冲区。,00H1FH：32个单元，是4组通用工作寄存器区20H2FH：16个单元，可进行128位的位寻址30H7FH：用户RAM区，只能字节寻址，用作数据缓冲区以及堆栈区。,作用：,工作寄存器区,工作寄存器区分为4个区：0区、1区、2区、3区。每区有8个寄存器：R0R7，寄存器名称相同。但是，当前工作的寄存器区只能有一个，由PSW中的D4、D3位决定。,有专用于工作寄存器操作的指令，读

16、写速度比一般内RAM要快，指令字节比一般直接寻址指令要短，还具有间址功能，能给编程和应用带来方便。,位寻址区 地址:从20H2FH共16字节（Byte，缩写为英文大写字母B）。每B有8位（bit，缩写为小写b），共128位，每一位均有一个位地址，可位寻址、位操作。即按位地址对该位进行置1、清0、求反或判转。用途：存放各种标志位信息和位数据。注意事项:位地址与字节地址编址相同，容易混淆。区分方法:位操作指令中的地址是位地址;字节操作指令中的地址是字节地址。,数据缓冲区,内RAM中30H7FH为数据缓冲区，用于存放各种数据和中间结果，起到数据缓冲的作用。,2.4.3 特殊功能寄存器（SFR）CPU

17、对片内各种功能部件的控制采用特殊功能寄存器集中控制方式，共21个。有的SFR可进行位寻址。表2-4是SFR的名称及其分布。其字节地址的末位是0H或8H可位寻址。下面介绍SFR块中的某些寄存器。,表2-4 SFR的名称及其分布,共21个,特殊功能寄存器（SFR）地址映象表（一）,特殊功能寄存器地址映象表（二）,特殊功能寄存器地址映象表（三）,注：带括号的字节地址表示每位有位地址可位操作。,1堆栈指针SP 指示堆栈顶部在内部RAM块中的位置 复位后，SP中的内容为07H。（1）保护断点（2）现场保护堆栈向上生长,2.数据指针DPTR 16位，由两个8位寄存器DPH、DPL组成。主要用于存放一个16

18、位地址，作为访问外部存储器（外RAM和ROM）的地址指针。高位字节寄存器用DPH表示，低位字节寄存器用DPL表示。3.寄存器B 为执行乘法和除法操作设置的。在不执行乘、除的情况下，可当作一个普通寄存器来使用。,执行调用子程序或发生中断时，CPU会自动将当前PC值压入堆栈，将子程序入口地址或中断入口地址装入PC；子程序返回或中断返回时，恢复原有被压入堆栈的PC值，继续执行原顺序程序指令。,4.程序计数器PC,PC不属于特殊功能寄存器，不可访问，在物理结构上是独立的。PC是一个16位的地址寄存器，用于存放将要从ROM中读出的下一字节指令码的地址，因此也称为地址指针。PC的基本工作方式有：,自动加1

19、。CPU从ROM中每读一个字节，自动执行PC+1PC；,执行转移指令时，PC会根据该指令要求修改下一次读ROM新的地址；,2.4.4 位地址空间 211个（128个+83个）寻址位。位地址范围为：00HFFH。内部RAM的可寻址位128个(字节地址20H2FH)见表2-5（P24）。特殊功能寄存器SFR为83个可寻址位，见表2-6。,表2-5 内部RAM的可寻址位及位地址,表2-6 SFR中的位地址分布,2.4.5 外部数据存储器最多可外扩64K字节的RAM或I/O。,地址范围：0000HFFFFH 共64KB。,读写外RAM用MOVX指令，控制信号是P3口中的RD和WR。,一般情况下，只有在

20、内RAM不能满足应用要求时，才外接RAM。,外RAM 16位地址分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端，当RD信号有效时，外RAM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入指定单元。,读外RAM的过程：,写外RAM的过程：,写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制信号不同，信号换成WR信号。当WR信号有效时，外RAM将数据总线（P0口分时传送）上的数据写入相应地址存储单元中。,使用各类存储器，注意几点：(1)地址

21、的重叠性 程序存储器（ROM）与数据存储器（RAM）全部64K字节地址空间重叠)。(2)程序存储器（ROM）与数据存储器（RAM）在使用上是严格区分的。(3)位地址空间共有两个区域。(4)片外数据存储区中，RAM与I/O端口统一编址。所有外围I/O端口的地址均占用RAM单元地址，使用与访问外部数据存储器相同的传送指令。,图2-5为各类存储器在存储器空间的位置的总结。,图2-5,2.5 并行I/O端口,有4个8位并行I/O口,共32条端线：P0、P1、P2和P3口。每一个I/O口都能用作输入或输出。,用作输入时，均须先写入“1”；用作输出时，P0口应外接上拉电阻。,P0口的负载能力为8个LSTT

22、L门电路；P1P3口的负载能力为4个LSTTL门电路。,在并行扩展外存储器或I/O口情况下，P0口用于低8位地址总线和数据总线(分时传送)P2口用于高8位地址总线，P3口常用于第二功能，用户能使用的I/O口只有P1口和未用作第二功能的部分P3口端线。,2.5.1 P0端口,图2-6,1.位电路结构P0口某一位的电路包括：(1)一个数据输出锁存器，用于数据位的锁存(2)两个三态的数据输入缓冲器。(3)一个多路转接开关MUX，使P0口可作通用I/O口，或地址/数据线口。(4)数据输出的驱动和控制电路，由两只场效应管（FET）组成，上面的场效应管构成上拉电路。,2.工作过程分析（1）P0口作为地址或

23、数据总线使用 CPU发出控制信号为高电平，打开上面的与门，使MUX打向上边，使内部地址/数据线与下面的场效应管反相接通。此时由于上下两个FET处于反相，形成推拉式电路结构，大大提高负载能力。（2）P0口作通用的I/O口使用 CPU发来的“控制”信号为低电平，上拉场效应管截止，MUX打向下边，与D锁存器的Q*端接通。a.P0作输出口使用 来自CPU的“写入”脉冲加在D锁存器的CP端，内部总线上的数据写入D锁存器，并向端口引脚P0.x输出。注意：由于输出电路是漏极开路（因为这时上拉场效应管截止），必须外接上拉电阻才能有高电平输出（这时就不为双向口）。,b.P0作输入口使用 区分“读引脚”和“读锁存

24、器”。“读引脚”信号把下方缓冲器打开，引脚上的状态经缓冲器读入内部总线；“读锁存器”信号打开上面的缓冲器把锁存器Q端的状态读入内部总线。3P0口的特点 P0口具有如下特点：P0口为双功能口地址/数据复用口和通用I/O口。（1）当P0口用作地址/数据复用口时，为一个真正的双向口，用作外扩存储器，输出低8位地址和输出/输入8位数据。（2）当P0口用作通用I/O口时，由于需要在片外接上拉电阻，端口不存在高阻抗（悬浮）状态，因此为一个准双向口。一般情况下，如果P0口已作为地址/数据复用口，就不能再作为通用I/O口使用。,补充：单片机的引脚（P0口）,P0.0P0.7:双向I/O（内置场效应管上拉）寻址

25、外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口；不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制,引脚P0.X,3,4,Vcc,V1,V2,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚=1,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制,引脚P0.X,3,4,0,0,1,0,0,截止,截止,=0,Vcc,单片机的引脚（P0口）,P0用作通用I/O时，控制=0：（1）此脚作输入口（事先必须对它写“1”）,V2,V1,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制,引脚P0

26、.X,3,4,0,0,1,0,0,截止,截止,=0,Vcc,单片机的引脚（P0口）,P0用作通用I/O时，控制=0：（2）此脚作输出口时，当P0口用作输出口时，因输出级处于开漏状态，必须外接上拉电阻。当“写锁存器”信号加在锁存器的时钟端CLK上，此时D触发器将“内部总线”上的信号反相后输出到Q端，若D端信号为0，Q=1，v2导通，P0 x引脚输出“0”；若D端信号为1，Q=0，v2截止，虽然V1截止，因P0 x引脚已外接上拉电阻，P0 x引脚输出“1”。,V2,V1,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚=0,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制=1,引脚P0.X,3,4,1,0,1,1

27、,=0,导通,截止,=0,Vcc,单片机的引脚（P0口）,P0口用作地址/数据复用口，控制=1（1）作地址/数据输出：输出地址/数据=0 时,V1,V2,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚=0,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制=1,引脚P0.X,3,4,1,1,0,0,=1,截止,导通,=1,Vcc,单片机的引脚（P0口）,P0口用作地址/数据复用口，控制=1（2）作地址/数据输出：输出地址/数据=1 时,V1,V2,2,1,D,Q,CK,/Q,读引脚=1,读锁存器,写锁存器,内部总线,地址/数据,控制=0,引脚P0.X,3,4,Vcc,单片机的引脚（P0口）,P0口用作地址/数

28、据复用口（3）作地址/数据输入：与P0用作通用I/O时输入时情况相同，CPU使V1、V2均截止，从引脚上输入的外部数据经缓冲器U2进入内部数据总线。,V1,V2,2.5.2 P1端口 字节地址90H，位地址90H97H。P1口某一位的位电路结构如图2-7所示。,图2-7,1位电路结构P1口位电路结构由三部分组成：（1）一个数据输出锁存器，用于输出数据位的锁存。（2）两个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2，分别用于锁存器数据和引脚数据的输入缓冲。（3）数据输出驱动电路，由一个场效应管（FET）和一个片内上拉电阻组成。2工作过程分析P1口只能作为通用的I/O口使用。（1）P1口作为输出口时，若

29、CPU输出1，Q=1，Q*=0，场效应管截止，P1口引脚的输出为1；若CPU输出0，Q=0，Q*=1，场效应管导通，P1口引脚的输出为0。,（2）P1口作为输入口时，分为“读锁存器”和“读引脚”两种方式。“读锁存器”时，锁存器的输出端Q的状态经输入缓冲器BUF1进入内部总线；“读引脚”时，先向锁存器写1，使场效应管截止，P1.x引脚上的电平经输入缓冲器BUF2进入内部总线。3P1口的特点 P1口由于有内部上拉电阻，没有高阻抗输入状态，称为准双向口。作为输出口时，不需要在片外接上拉电阻。P1口“读引脚”输入时，必须先向锁存器写1。,2.5.3 P2口 字节地址为A0H，位地址A0HA7H。P2口

30、是一个双功能口，P2口某一位的位电路结构如图2-8所示。,图2-8,1位电路结构P2口某一位的电路包括：（1）一个数据输出锁存器，用于输出数据位的锁存。（2）两个三态数据输入缓冲器BUF1和BUF2，分别用于锁存器数据和引脚数据的输入缓冲。（3）一个多路转接开关MUX，它的一个输入是锁存器的Q端，另一个输入是内部地址的高8位。（4）输出驱动电路，由场效应管（FET）和内部上拉电阻组成。,2工作过程分析（1）P2口用作地址总线在内部控制信号作用下，MUX与“地址”接通。当“地址”线为0时，场效应管导通，P2口引脚输出0；当“地址”线为1时，场效应管截止，P2口引脚输出1。（2）P2口用作通用I/

31、O口在内部控制信号作用下，MUX与 锁存器的Q端接通。CPU输出1时，Q=1，场效应管截止，P2.x引脚输出1；CPU输出0时，Q=0，场效应管导通，P2.x引脚输出0。输入时，分为“读锁存器”和“读引脚”两种方式。“读锁存器”时，Q端信号经上方的输入缓冲器进入内部总线；“读引脚”时，先向锁存器写1，使场效应管截止，P2.x引脚上的电平经下方的输入缓冲器进入内部总线。,3P2口的特点 作为地址输出线使用时，P2口可以输出外存储器的高8位地址，与P0口输出的低8位地址一起构成16位地址线。作为通用I/O口使用时，P2口为一个准双向口。功能与P1口一样。,2.5.4 P3口 由于89C51的引脚有

32、限，因此在P3口电路中增加了引脚的第二功能。P3的每一位都可以分别定义为第二功能。P3口的第二功能定义，见表2-1，应熟记。P3口的字节地址为B0H，位地址为B0HB7H。P3口某一位的位电路结构如图2-8所示。,图2-8,表2-1 P3口的第二功能定义（复习）口引脚 第二功能 P3.0 RXD（串行输入口）-输入 P3.1 TXD（串行输出口）-输出 P3.2 INT0*（外部中断0）-输入 P3.3 INT1*（外部中断1）-输入 P3.4 T0（定时器0外部计数输入）P3.5 T1（定时器1外部计数输入）P3.6 WR*（外部数据存储器写选通）-输出 P3.7 RD*（外部数据存储器读选

33、通）-输出,1位电路结构 P3口某一位的电路包括：（1）一个数据输出锁存器，用于输出数据位的锁存。（2）3个三态数据输入缓冲器BUF1、BUF2和BUF3，分别用于读锁存器、读引脚数据和第二功能数据的输入缓冲。（3）输出驱动电路，由“与非门”、场效应管（FET）和内部上拉电阻组成。2工作过程分析（1）P3口用作第二输入/输出功能 当选择第二输出功能时，该位的锁存器需要置“1”，使“与非门”为开启状态。当第二输出为1时，场效应管截止，P3.x引脚输出为1；当第二输出为0时，场效应管导通，P3.x引脚输出为0。当选择第二输入功能时，该位的锁存器和第二输出功能端均应置1，保证场效应管截止，P3.x引

34、脚的信息由输入缓冲器BUF3的输出获得。,（2）P3口用作第一功能通用I/O口 当P3口用作第一功能通用输出时，第二输出功能端应保持高电平，“与非门”为开启状态。CPU输出1时，Q=1，场效应管截止，P3.x引脚输出为1；CPU输出0时，Q=0，场效应管导通，P3.x引脚输出为0。当P3口用作第一功能通用输入时，P3.x位的输出锁存器和第二输出功能均应置1，场效应管截止，P3.x引脚信息通过输入BUF3和BUF2进入内部总线，完成“读引脚”操作。当P3口实现第一功能通用输入时，也可以执行“读锁存器”操作，此时Q端信息经过缓冲器BUF1进入内部总线。,3P3口的特点P3口内部有上拉电阻，不存在高

35、阻抗输入状态，为准双向口。P3口作为第二功能的输出/输入，或第一功能通用输入，均须将相应位的锁存器置1。实际应用中，由于复位后P3口锁存器自动置1，满足第二功能条件，所以不需要任何设置工作，就可以进入第二功能操作。当某位不作为第二功能使用时，可作为第一功能通用I/O使用。引脚输入部分有两个缓冲器，第二功能的输入信号取自缓冲器BUF3的输出端，第一功能的输入信号取自缓冲器BUF2的输出端。P3口的第二功能定义（表2-1），读者应熟记。,2.6 时钟电路与时序 时钟电路用于产生89C51单片机工作所必需的时钟控制信号。,CPU总是按照一定的时钟节拍与时序工作,2.6.1 时钟电路 时钟频率直接影响

36、单片机的速度，电路的质量直接影响系统的稳定性。常用的时钟电路有两种方式：内部时钟方式和外部时钟方式。1.内部时钟方式 片内一个用于构成振荡器的高增益反相放大器，反相放大器的输入端为芯片引脚XTAL1，输出端为引脚XTAL2。见图2-10。,图2-10,按图2-10连接即可构成自激振荡电路，振荡频率取决于石英晶体的振荡频率.C1和C2典型值通常选择为30pF左右。晶体的振荡频率在1.2MHz12MHz之间。某些高速单片机芯片的时钟频率已达40MHz（如89S52）。,2.外部时钟方式 常用于多片89C51单片机同时工作。外部时钟源直接接到XTAL1端，XTAL2端悬空，其电路见图2-11。,图2

37、-11,3.时钟信号的输出为应用系统中的其它芯片提供时钟，但需增加驱动能力。,图2-12,2.6.2 机器周期、指令周期与指令时序 单片机执行的指令的各种时序均与时钟周期有关1.时钟周期 单片机的基本时间单位。若时钟的晶体的振荡频率为fosc，则时钟周期Tosc=1/fosc。；例如：fosc=6MHz，Tosc=166.7ns。2.机器周期 CPU完成一个基本操作所需的时间称为机器周期。执行一条指令分为几个机器周期。每个机器周期完成一个基本操作。MCS-51单片机每12个时钟周期为1个机器周期，一个机器周期又分为6个状态：S1S6。每个状态又分为两拍：P1和P2。,因此，一个机器周期中的12

38、个时钟周期表示为：S1P1、S1P2、S2P1、S2P2、S6P2。,图2-13,机器周期是6个状态周期、12个时钟周期。当时钟频率为12MHz时，机器周期为1S；当时钟频率为6MHz时，机器周期为2S。,3、指令周期 指CPU执行一条指令占用的时间(用机器周期表示)。89C51单片机中按字节可分为单字节、双字节、三字节指令。因此执行一条指令的时间也不同。对于简单的单字节指令，取出指令立即执行，只需一个机器周期的时间。而有些复杂的指令，如转移、乘、除指令则需两个或多个机器周期。从指令的执行时间看，单字节和双字节指令一般为单机器周期和和双机器周期，三字节指令都是双机器周期，只有乘、除指令占用4个

39、机器周期。,图:89C51的取指执行时序 a)单字节单周期指令，例：INC A b)双字节单周期指令，例：ADD A，#data c)单字节双周期指令，例 INC DPTR d)双字节双周期指令：例 PHSH direct,牢牢记住：振荡周期(时钟周期)=晶振频率fosc的倒数；1个机器周期=6个状态周期1个机器周期=12个时钟周期；1个指令周期=1、2、4个机器周期,2.7 复位操作和复位电路2.7.1 复位操作 单片机的初始化操作，摆脱死锁状态。引脚RST加上大于2个机器周期的高电平就可使MCS-51复位。例如，若时钟频率为12MHz，每机周为1 S，则只需持续2 S以上时间的高电平；若时

40、钟频率为6MHz，每个机器周期为2S，则需要持续4S以上时间的高电平。复位时，PC初始化为0000H，使MCS-51单片机从0000H单元开始执行程序。除PC之外，复位操作还对其它一些寄存器有影响：SP=07H，P0-P3的引脚均为1（高电平）。见表2-7。在复位有效期间，ALE脚和PSEN*脚均为高电平，内部RAM的状态不受复位的影响。,2.7.2 复位电路 片内复位结构：,图2-14,复位电路通常采用上电自动复位和按钮复位两种方式。最简单的上电自动复位电路:,图2-15,按键手动复位，有电平方式和脉冲方式两种。电平方式（按键电平复位是通过使RST端经电阻与Vcc电源接通而实现的）,图2-16,脉冲方式：,图2-17,按键复位电路。该电路除具有上电复位功能外，若要复位，只需按下图中RESET键，R1C2仍构成微分电路，使RST端产生一个微分脉冲复位，复位完毕C2经R2放电，等待下一次按下复位按键。,两种实用的兼有上电复位与按钮复位的电路。,图2-18,图2-18中（b）的电路能输出高、低两种电平的复位控制信号，以适应外围I/O接口芯片所要求的不同复位电平信号。74LS122为单稳电路，实验表明，电容C的选择约为0.1F较好。,OVER!,