压力管道元件制造单位安全注册与管理办法211408792.doc

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1、压力管道元件制造单位安全注册与管理办法&g3a/z,s6C P.&9第一章 总则2S!S.v7f1X$I(Kwww.2ic.tw 第一条 为了规范压力管道元件制造单位（以下简称制造单位）安全注册工作，加强对制造单位的安全监察，根据国务院赋予质量技术监督部门的职责和压力管道安全管理与监察规定（以下简称规定），制定本办法。m,sgK9y#z$K半导体技术天地 第二条 生产规定所属范围内的压力管道元件的制造单位，应按产品组别、品种和安全注册级别（见附件一），接受安全注册。+.R3L(l&|4U,O!r半导体技术天地 第三条 取得安全注册资格的制造单位，由质量技术监督行政部门颁发压力管道元件制造单 位

2、安全注册证书（以下简称证书，格式见附件二），并授权使用“安全标记”（样式见附件三）。-%!s0o/I5o*x7D 安全注册有效期为五年。有效期满前三个月内，制造单位应向颁发证书的质量技术监督行部门提出换证申请，办理换证手续。逾期不办或未批准换证的，撤消其安全注册资格，由发证机关收回原证书，停止使用安全标记。;t;s;Y;,(Q9d半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffu

3、stion,lithography,fab,fabless 安全注册的制造单位和撤消安全注册资格的制造单位由国家质量技术监督局统一向全国公布。3I9R5X5x!c 第四条 获得安全注册的制造单位应接受各级质量技术监督行政部门锅炉压力容器安全监察机构（以下简称国家质量技术监督局安全监察机构）的监督。/W8d5U/o*y 第二章制造单位条件*p+d/_5_%n4K)Hwww.2ic.tw 第五条 制造单位必须具备以下基本条件：;8v#i47K!D h7c7Q 1、具有企业法人资格；q7L*#z b,q-C+1X 2、拥有生产需要的技术力量；半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程

4、,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless$B:v,o4 u4N-h;D 3、拥有满足生产要求的生产装备；半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,

5、fabless:V(V/Y,X:HP*o 4、建立、健全适应生产需要的质量体系；.0t*Y!c+d+O,?-D 5、有一年以上生产（试生产）符合标准要求的安全注册范围内产品的经历。4j&G a-x1t#c&B0Owww.2ic.tw 第六条 制造单位应拥有适应生产和管理需要的技术力量。技术员职称以上的人员应占一定的比例，至少应占制造单位职工总数的8，且不少于3人。各类制造单位材料验收、焊入接、加工成型、无损检测、理化实验、热处理等工作，一般应由有关技术人员分工负责质量控制工作。其中无损检测人员、焊工应持有质量技术监督行政部门颁发的证书。)D+F&S*l5m-N0p6c*j*? 第七条 制造单位

6、有适应生产的厂房、场地、生产设备、检验设备，一般应满足下列要求：8A9b:tB&k4P!|.r-? 1、拥有的生产厂房应与产品制造加工的需要相适应，具有存放压力管道元件制造用原材料和成品元件的专用库房、场地，能满足防锈、防机械损伤、防混料和原材料区域标识的需要；!M(k6U1i+%s 2、产品有承压焊接接头的，应有适应生产需要的完好的焊接设备、配焊接辅助设备及烘干、保温设备和焊材专用库房；8n2m0Q7j:n半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,packag

7、e,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 3、应拥有适应生产需要的铸造、锻造、机械加工、冷热成型、热处理等设备和工装；87X)k.j4G4d6OA0x2uI 4、要求产品在厂内做耐压试验、气密性试验或其它安全性能试验的，应拥有相应的场地、设备、以及必要的安全防护设施；-q6_4U1B0T7J半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,R

8、A,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 5、由制造单位进行原村料、产品无损检测和理化试验的应，应拥有相应的场地、仪器设备；半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless#B#f1N8:_% 6、应有生产品质量技术档案长期保管的条件；)T:T4

9、v+E%!j5J0H;G 7、生产特种管道元件的，应有所需的专用设备。90x6b#R.n2c#D 第八条 制造单位应完成产品的主要生产工序，并负责进行影响安全质量的主要项目的检验工作。需要外协的零部件、生产工序或检验工作应与协作单位签定协作合同，在协作合同中提出质量控制要求及验收要求（必须有提供符合制造单位质量控制要求的质量证明文件的要求）。在签定外协合同前，应对协作单位进行评价和认可，保存好评价与认可记录。制造单位应建并保持外协单位名录，并将该名录纳入质量手册。在生产中，要对外协单位定期评价。外协单位的工作质量及产品质量由制造单位对用户负责。半导体技术天地#M1g6e4F5k-D3z.j0j

10、)_5O 第九条 制造单位除应具备上述基本条件外，还应具备专项条件。专项条件在安全注册实施细则中规定。:Z#b)w!H5R+L半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 第十条 制造单位应做好元件制造质量管理工作，结合本单位的实际情况，按照压力管道元件制造安全技术的安全管理的要求，参照、GB/T19000IS090

11、00系列标准选择适合本单位的质量体系模式。制造单位的元件制造质量管理必须由最高管理者授权的管理者代表负责建立、实施和保持质量体系。管理者代表及其他从事与安全质量有关的管理、执行和验证工作的人员必须在制造单位安全注册审查过程中接受考核。2V.K9M;M:D/n8l4p半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 制造单位必须编写质量手册、质

12、量体系程序、作业指导书、表格报告等 质量体系文件，规定有关人员的职责和权限，明确各项工作的标准。7_4E!|(y&s9n6?:i 第十一条 制造单位应对影响产品安全性能的制造和检验过程制定制措施。3G6B:O|,C3T&P)f+m半导体技术天地 第三章注册程序&L53B3t&Q 第十二条 安全注册工作程序包括：申请、受理、初审、产品型式试验、联审、审核批准、发证及通告。%J&J$A8$k#1!Q 第十三条 制造单位安全注册分为A级和B级（级别划分方法见附件个）。需进行A级安全注册的制造单位应向国家质量技术监督局安全监察机构或其授权的省级质量技术监督行政部门字全监察机构提出安全注册申请，填报压力

13、管道元件制造单位安全注册申请书（格式见附件国四）和企业情况表（格式见附件五），同时抄送省、地（市）级质量技术监督行政部门安全监察机构。&F64a:Q/f+CP9fwww.2ic.tw 需进行B级安全注册的制造单位应向当地省级或省级授权的地（市）级质量技术监督行政部门安全监察机构提出安全注册申请，填报压力管道元件制造单位安全注册申请书和企业情况表。向省级质量技术监督行政部门安全监察机构申请，同时抄送当地地（市）质量技行政部门安全监察机构。半导体技术天地9lK)F#Q(Q%g 第十四条 质量技术监督行政部门锅炉压力容器安全监察机构（以下称受理机构 ）收到申请书后，应在四十五天内向基本符合本办法第二

14、章要求的制造单位发出受理通知书（格式见附件六）。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless6b1e*W3j+F+B 属于下列情况之个的单位或机构，不予以受理：p9Q:j#$C#p%V-半导体技术天地 不符合本办法第五条规定的；2z9*v N4W-l(z/K半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,

15、封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 学会、协会、咨询公司等单位；(g& s#i3v 从事压力管道检验的单位；3r(c7Ll8r2T$!/i&D-R!T半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA

16、,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 从事压力管道元件制造单位安全注册及压力管道安装许可证评审工作的评审机构；+C!h7G+b+Y9Y8U$F 其它不符合规定和本办法要求的单位。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless&o6:%l-S(1e

17、B.I&X+b3x# 第十五条 制造单位接到受理机构发出的受理通知后，应约请一个经国家质量技术监督局认可的压力管道元件制造单位安全注册评审机构，对制造单位进行初审。初审前，评审机构应向受理机构备案。制造单位应按规定、本办法和评审细则进行自查，自我评价合格后，进行初审。/U#H(p S,a1m 初审由评审机构组织进行，审查组由经国家质量技术注册的评审员组成，审查组人员应根据制造音位实际情况派出，不得超过4人。审查组长应由具有五年以上评审经历的人员担任。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layo

18、ut,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless,F(l x _5U 初审时要全面审查制造单位应具备的基本条件、专项条件。重点是对管理者代表的考核、质量体系的建立及运转情况的检查、有关专业人员技术水平和对质量工作的掌握情况的考核、产品质量情况的检查。评审机构应将初审情况及发现的问题写成书面报告，交给申请单位，同时报送受理机构。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,packa

19、ge,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless;I$m8z.b0In 第十六条 产品型式试验地初审结束后进行，需要进行型式试验的产品，制造单位应约请一个经国家质量技术监督局批准的产品型式验机构进行型式试验。制造单位有型式试验条件的，可由型式试验机构在制造单位进行型式试验。型式试验机构应在收到型式试验申请后15天内安排型式试验。型式试验应按国家有关规定及产品标准进行，非标准产品的型式试验项目和试验方法由型式试验机构确定。型式试验结束后，应及时出具型式试验报告。型式试验报告内容包括：设计资 料审查结果和

20、型式试验结果。型式试验报告一式四份，一份给委托单位，一份给评审机构，一份报受理机构，一份留型式试验机构存档。$z*|$_6S%S/.e(?#D 安全注册前，产品已经型式试验合格的（由国家质量技术监督局认可的国家级质检中心或已获认可的型式试验机构进行的型式试验，且有符合要求的型式试验报告），可认可原有型式试验报告，免做相应的型式试验。6f.c50p*v:Z,|半导体技术天地 第十七条 联审应在初审通过和型式试验合格后进行，由评审机构协助受理机构组织，审查组由受理机构代表、评审机构的评审人员和特邀专家（必要时）组成，审查组人数不得超过5人，审查组组长由受理机构代表担任。制造单位所在地质量技术监督行

21、政部门安全监察机构应派1名代表参加审查工作。4a2P _%$K7BE半导体技术天地 联审应重点审查初审时发现的问是的整改情况，对初审情况进行复查并考核评审机构的评审工作情况。联审结束时，审查组应出具审查报告。3x0B,S*j0Y)N#f/w+k:M 审查报告包括：审查工作概况、审查内容、专业小组审查意见、审查的品种范围、审查组评定意见、审查组成员名单（注明工作单位、技术职称、职务）等 。.V2M1h P:w1 审查组评定意见分为具备条件、基本具备件和不具备条件三种：www.2ic.tw0t)v I-z0q 1、具备条件7+D2s#S8n:h)g半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工

22、艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 符合所申请的组别、品种所需要的制造单位条件，可评为具备条件。*!b(n&O!S,s7J 2、基本具备条件,B- T(W)K9i,r 对建立了质量体系，管理者代表考核合格，具备应有技术力量，拥有必要的生产设备，但质量体系运转中尚存不足的单位，可评为基本具备条件。/P8R#f;I7m!Q-O 3、对不符合（一）或（二）的单位

23、应评为不具备条件。#Y0(&c,J-X9w3jwww.2ic.tw 第十八条 对具有全国工业产品生产许可证或锅炉压力容器制造许可证，且制造单位向受理机构申请简化审查并经同意的，可简化工厂审查工作。*y5VW5Y-r3_半导体技术天地 第十九条 评审机构应及时汇总工厂审查的初审报告、型式试验报告、联审报告、整改确认报告等形成综合材料，经评审机构负责人审核后，报送受理机构，同时抄送申请单位。www.2ic.tw*c8H6U-G*h&f 3U 第二十条 对具备条件的及型式试验合格的单位，受理机构打达收到综合材料后45天内，经审核，报质量技术政部门（以下简称注册机构）批准，颁发安全注册证书。*?#t7

24、R;jy18I&Q+i6O半导体技术天地 对基本具备条件的，在规定的期限内由原评审机构组织复查，复查时，当地地（市）级质量技术监督行政部门安全监察机构派代表参加，整改合格后由评审机构出具整改确认报告。;s;P1r v2l9c8Twww.2ic.tw 对不具备条件和基本具备条件但整改不合格的，由受理机构将审查结论通知申请单位。该单位可在两年之后重新申请安全注册资格。*p4j;2R%h(k(R2LG 安全注册证书一式六份（正本一份，副本五份），正本及一份副本发给制造单位，其余副本分别由中家、省、地（市）质量技术监督局安全监察机构和评审机构存档。5u9H:A+R&B&a半导体,芯片,集成电路,设计,

25、版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 第二十一条 省级注册机构应在每年十二月三十一日前将取得安全注册证书的制造单位名单及批准范围，报送国家质量技术监督局安全监察机构。国家质量技术监督局定期 统一公布取得安全注册证书的单位名单及批准范围。(y8I5l(a7kD2e;M 第四章管理与监督&B2D5C9:r半导体技术天地 第二十二条 属于下列情况之一的，应进行型式试

26、验：(q X-1K5r半导体技术天地 新产品投产前或老产品转厂生产时；#X)F, l-D:?)y95awww.2ic.tw 正式投产后，产品的结构、材料、工艺、检验等方面有影响安全质量的重大改变时；4w4l*p#t&R%N5P6r,mwww.2ic.tw 停止生产一年以上又重新生产时；;F/?+ws&i0-j.E 2Jwww.2ic.tw 安全注册评审或换证审查要求时；;R(5S)h:s2O5K(rO半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,te

27、st,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 产品安全质量有问题，有关安全监察机构或用户要求时；:L :F6D,g+j半导体技术天地 第二十三条 经安全注册的制造单位，若因新产品开发其生产的产品超出原批准范围时，应在试生产前向相应的受理机构提出增项申请报告。受理机构应按第三章规定的程序予以受理，评审按第三章初审的方式进行。评审时，受理机构或当地质量技术监督行政部门安全监察机构可派代表参加。需要进行型式试验的，评审之前应由型式试验单位进行设计审查并按标准要求做产品型式试验。评审内容重点为：审查质量体系是否覆盖新

28、产品，审查补充的程序文件和作业指导书，检查实施情况等。半导体技术天地$U;q.s-s0g5j 评审机构在评审后应出具评审报告，报受理机构。对审查合格的，注册机构按第十七条和第十八条的要求予以注册及通告。&X,j/Th1N$Q#M&_!W 第二十四条 在有效期满前三个月，经安全注册的制造单位应向原注册机构申请办理换证手续。 h a-Q?*?-h o 1、制造单位应向原受理机构递交换证申请。受理机构应在收到换证申请之日起45天内发出换证受理通知。制造单位收到换证受理通知后，约请一个评审机构对换证工作进行评审。!c/f-f2c3n%U半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,

29、测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 2、换证审查的组织及审查组人员组成应按联审的要求进行。换证审查内容主要为：主要典型产品型式试验报告、评审机构年度评审报告、典型产品技术档案、质量体系运转情况、生产设施变化情况及产品质量信息反馈情况等。半导体技术天地6s5 B+z2s1U#N 3、换证审查组应出具审查报告，评审机构应形成综合材料，报受理机构。对审查合格的，注册机构按第十七条和第十八条的要求注册

30、和通告。1oM hS,nHw%? 第二十五条 对经安全注册的制造单位，每年由当地地（市）级质量技术监督行政部门安全监察机构与原评审机构共同进行一次抽查，由评审机构出具抽查报告。抽查主要内容为：质量体系的实施情况、用户安全质量反馈情况以及执行本办法的情况等。报告一式四份或五份，一份交制造单位，一份交当地地（市）级质量技术监督行部门安全监督机构存档，一份交评审机构存档，一份报送注册机构。当注册机构为国家质量技术监督局时，另报一份给省级质量技术监督行政部门安全监察机构。#J;B0_2x2g%*g%jwww.2ic.tw 出现下列情况之一的，经原注册机构批准，立即按联审的要求重新组织批审：半导体,芯片

31、,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless4z L7+MX/a 1、有生你安全质量不合格产品投诉的；半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,impl

32、ant,diffustion,lithography,fab,fabless1pL-Uc8d:m-w#p4d 2、制造单位生产车间地址改变的；+L%c6L,4Z5fl2Z9l 3、生产场地、生产设备有重大改变的；8R5T%h;M(O;|%Y(x半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 4、安全监察机构要求的。www.2ic.tw.w!

33、B9U6C2oY+ 第二十六条 各级质量技术监督行政部门安全监察机构对经安全注册和制造单位进行监督检查，对发现的问题要及时提出安全监察意见，责令改正。属于下列情况（一）、（二）、（三）的，经国家质量技术监督局安全监察机构批准，可提请原注册机构撤消其安全注册资格，属于下列情况（四）、（五）的，视情节的轻重，可提请原评审机构对其进行重新评或提请原注册机构撤消其安全注册资格：半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,imp

34、lant,metal,cmp,lithography,fab,fabless6l-h.f#U-g0V+H,n-p2A 1、超出批准范围使用安全标记的；半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless L1|7x)r#L0M8W 2、将安全注册证书或安全标记扩散给其它单位的；-O:L/o2s*K&v0M1,m0nwww.2

35、ic.tw 3、质量管理不严，售出的注册产品造成重大质量事故或重大经济损失的；+P2K6R1c;X 4、企业领导违反质量体系文件规定，强令不合格注册范围内产品出厂的；22b/F)5#h6H 5、管理者代表玩忽职守，致使质量体系严重失控的。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless)g,d$X;Z&U s#-C 第二

36、十七条 经安全注册的单位，应严格执行本办法及压力管道的有关法规、规章和技术标准，不断完善质量体系，提高产品质量，保证为用户提供符合安全要求的产品以及产品技术文件和资料，在生产经营中严禁从事下列活动：6&F2v9c:8P1m$i8&q: 1、涂改、转让或出卖压力管道元件制造单位安全注册证书和“安全标记”半导体技术天地.I9n73Q$e/ 2、向未经安全注册的单位提供注册产品质量说明书、合格证或产品铭牌。k*t3B.-p&t.S半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA

37、,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 当出现下列情况之一时，应在十五天内原注册机构、当地地（市）级质量技术监督行政部门安全监察机构和评审机构 备案：/N-tJ g$f2i/2 1、更换法定代表人或管理者代珍；b:F7U*n;Q7i;S 2、质量手册改版；2W8%P:U4I2q/n)U0C 3、工厂名称、地址改变。(h n/QR5x$q4b*半导体技术天地 第二十八条 质量技术监督行政部门没有严格按照本办法规定考核发证的，上级质量技术监督行政部门应当及时纠正，并通报批评；情节严重的，暂停发证资格，并对

38、外公布。被停止发证资 格和质量技术监督行政部门应当在敌我矛盾定期间内对发证=考核 工作进行整顿。停止发证期 间，相关发证、考核、管理工作由上一级质量技术监督行政部门承担。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless2w3j9ud+J-n$,g,j1-l 第五章附则www.2ic.tw*K3;j/o&4ho c 第二十

39、九条 本办法用语：/E4f6y;h$n8f!$B$l半导体技术天地 1、压力管道元件系指连接或装配成压力管道系统的组成件。包括管子、管件、法兰、阀门、补偿器、阻火器、密封件和支吊架等；)a6q8Z,s;N*W 2、型式试验对于标准产品系产品标准中规定的型式检验。对于非标准产品系指产品安全性能检验和试验，具体项目由具有相应资格的型式试验机构确定；;X6H3L!y5W&U#k4N# 3、安全注册系指产品符合安全质量要求的制造单位向规定的质量技术监督行政部门登记备案。经审查，对符合条件的单位发给注册证书和授权使用安全标记的过程；半导体技术天地2R(v.P0m!M_: 4、产品技术度文件及资料指有关安

40、全技术规程和有关标准规定的或用户在合同中规定的技术文件及资料。-/j K(jZ半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless 第三十条 压力管道元件制造单位安全注册证书由国家质量技术监督局统一印制。安全标记由注册机构授权制造单位按附件三规定的样式制作。安全标记的使用方法，由制造单位与评审机构在初审时确定，并形成文件上报

41、注册机构。#b5Ll:L(e%m+N 第三十一条 制造单位应向注册机构、评审机构及型式试验机构交纳有关费用。具体办法由国家质量技术监督局会同有关部门制订。/U-G+J;Y#xwww.2ic.tw 第三十二条 压力管道元件制造单位安全注册评审细则由有关评审机构提出，国家质量技术监督局锅炉压力容器安全监督机构批准实施。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,li

42、thography,fab,fabless:J*6S*w2T1m:j 第三十三条 本办法由国家质时技术监督局解释。&?/?)eH4URN2W&E 第三十四条 本办法自颁布之日起施行。在用工业管道定期检验规程(送的)在用工业管道定期检验规程（试行，03.4版）半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless $_o3n:l

43、7R)e在用工业管道定期检验规程(试行)半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless:6*S,_0p#I6Jb 国家质量监督检验检疫总局关于印发)J4p1q#V)D9i3w&J 在用工业管道定期检验规程(试行)的通知3k!S0p6j,y!Z+Twww.2ic.tw （2003年4月17日 国质检锅2003108号）7

44、d(*x6K5.O-C8Y*o 各省、自治区、直辖市质量技术监督局，各有关单位：半导体技术天地)E&M3o4V6P9P 为了加强压力管道使用安全监督管理，规范在用工业管道定期检验工作，总局制定了在用工业管道定期检验规程(试行)，自2003年6月1日起实施。现印发你们，请认真贯彻执行。执行中如遇问题，请及时报总局锅炉压力容器安全监察局。 X(k4U-&l-G:P-| 附件：在用工业管道定期检验规程(试行)4T9m9Y&F5m6www.2ic.tw 在用工业管道定期检验规程(试行),4n$X1p7v,w 第一章 总则.p U7N*,ywww.2ic.tw 第一条 为了加强压力管道安全监察，规范在用

45、工业管道检验工作，确保在用工业管道的安全运行，保障公民生命和财产的安全，根据压力管道安全管理与监察规定的有关规定，制定本规程。9m%!|.t+N,N8D!B0U5v 第二条 本规程是在用工业管道检验、安全状况等级(划分方法见附一)评定和缺陷处理的基本要求，有关单位制定的实施细则，应满足本规程的要求。;u;E0+m#o%J8x半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithogra

46、phy,fab,fabless 第三条 本规程适用于压力管道安全管理与监察规定适用范围的在用工业管道及附属设施，但不包括下列管道：)_)y3H&K:Cp7J#P:X:O (一)公称直径25mm的管道；;q8!O6N8|$b7r/G半导体技术天地 (二)非金属管道；www.2ic.tw.b1P;w1+T6T:_ (三)最高工作压力42MPa或01MPa的管道。www.2ic.tw:_5F/Y+kG1T0K:&k1 第四条 本规程适用范围内的在用工业管道的级别划分如下：)b,Q!Z(o;J8c2?,Ewww.2ic.tw (一)符合下列条件之一的工业管道为GC1级：.c)f*q8B L1_ 1输送

47、现行国家标准职业接触毒物危害程度分级GB5044中规定的毒性程度为极度危害介质的管道；%$k#n_,*K-M6?半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless 2输送现行国家标准石油化工企业设计防火规范GB50160及建筑防火规范GBJ16中规定的火灾危险性为甲、乙类可燃气体或甲类可燃液体，并且设计压力40MPa的管道；m)Y+C8S;g ,v)L,G半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithograp