第七章光电式传感器教材课件.ppt
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1、第七章:光电式传感器,主讲人:贾鹤萍,光电式传感器是采用光电元件做为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。,光电传感器一般由光路、电路和光电元件三部分组成。,光电元件是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,它是把光信号(红外、可见光及紫外光辐射)转变成为电信号的器件。,实验,锌板,铜网,弧光灯,紫外光照射时电流计指针发生偏转,灵敏电流计,1、光电效应,光的粒子学说:光可以认为是由具有一定能量的粒子所组成,而每个光子所具有的能量E与其频率大小成正比。,光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为E的粒子轰击在物体上。,E=hf,h
2、普朗克常数,6.62610-34Js;f光的频率(s-1),光电效应:物体吸收能量为E的光后,转换为该物体中某些电子的能力,从而产生的电效应。,光电子:向外发射的电子。,1)外光电效应,在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。,基于外光电效应的光电器件:光电管、光电倍增管等,爱因斯坦假设:一个光子的能量只能给一个电子,结论:一个电子要从物体中逸出表面,必须是光子能量E大于表面逸出功A0。逸出表面的电子就具有动能Ek,光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该物体的电子表面逸出功。这意味着每种物体都有一个对应的光频阈值,称为红限频率。,入射光的频谱成分不变时,产生的
3、光电流与光强成正比,光强越强意味着入射的管子数目越多,逸出的电子数目就越多。,光电子逸出物体表面具有初始动能。,1)外光电效应,光照射在物体上,使物体的电阻率发生变化,或产生光生电动势的现象称为内光电效应。,a)光电导效应,某些半导体,在黑暗环境中电阻值很高;当光照射在物体上,在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,从而加强了导电性能,使电阻值降低。,基于这种效应的光电器件有光敏电阻。,2)内光电效应,b)光生伏特效应,在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。,光线照射PN结时,产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激
4、发的空穴移向P区外侧,从而使P区带正电,N区带负电,形成光电动势。,基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管,2)内光电效应,构造,光电管有真空光电管和充气光电管或称电子光电管和离子,2、光电元件及其特性,1)光电管与光电倍增管,图7-2 光电管的结构图,光电管两类。两者结构相似,如图。它们由一个阴极和一个阳极构成,并且密封在一只真空玻璃管内。阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻璃管的中央。,图7-3 光电倍增管的结构图,光电倍增管的玻璃泡内除装有光电阴极和光电阳极外,还装有若干个光电倍增管极,且在光电倍增管极涂有在电子轰击下可发射更多次
5、级电子的材料。,1)光电管与光电倍增管,构造,特性-光电管,a)光电特性 阳极电流与入射在阴极上光通量之间的关系。,1)光电管与光电倍增管,b)伏安特性 当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之间的电压同光电流的关系。,当阳极电压比较低时,阴极所发射的电子只有一部分到达阳极,其余部分受光电子在真空中运动时所形成的负电场作用,回到阴极。,随阳极电压的增强,光电流随之增大。,当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到饱和状态,特性-光电管,1)光电管与光电倍增管,光电管的光谱特性,c)光谱特性 保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与波长之间的关系。,铯氧银锑化铯人眼的视觉特征,红限频率,特性-光
6、电管,1)光电管与光电倍增管,光电阴极的灵敏度:一个光子射在阴极上所能激发的电子数。,特性-光电倍增管,倍增系数M:,暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流。,光电倍增管的灵敏度:一个光子射后,阳极所得到的总电子数。,本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全屏蔽光的情况下,出现的电流。,1)光电管与光电倍增管,光敏电阻用半导体材料制成,没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压,构造,图7-5 光敏电阻的结构及表示符号,光敏电阻优点:灵敏度高,体积小,重量轻,光谱响应范围宽,机械强度高,耐冲击和振动,寿命长。缺点:
7、使用时需要有外部电源,同时当有电流通过它时,会产生热的问题。,2)光敏电阻,光敏电阻演示,当光敏电阻受到光照时,光生电子空穴对增加,阻值减小,电流增大。,光敏电阻,光电池是基于光生伏特效应制成的,是自发电式有源器件。它有较大面积的PN结,当光照射在PN结上时,在结的两端出现电动势。,构造,3)光电池,硅光电池的制造原理:在N型衬底上制造一薄层P型层作为光照敏感面,就构成最简单的光电池。当入射光子的能量足够大时,P型区每吸收一个光子就产生一对光生电子空穴对,光生电子空穴对的的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到N型区,空穴留在P区,所以,N区带负电,P区带正电。如果光照是连续的,经短暂的时间,PN结
8、两侧就有一个稳定的光生电动势输出。,3)光电池,光电池外形,光敏面,3)光电池,图7-6 光敏二极管,光敏二极管的基本结构也是一个PN结,与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中,其PN结装在管顶,可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态,如图所示。,构造,4)光敏二极管及光敏三极管,当光不照射时:光敏二极管处于载止状态,这时只有少数载流子在反向偏压的作用下,渡越阻挡层形成微小的反向电流即暗电流;,受光照射时:PN结附近受光子轰击,吸收其能量而产生电子-空穴对,从而使P区和N区的少数载流子浓度大大增加,因此在外加反向偏压和内电场的作用下,P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区,N区
9、的少数载流子渡越阻挡层进入P区,从而使通过PN结的反向电流大为增加,这就形成了光电流。,4)光敏二极管及光敏三极管,光敏二极管的反向偏置接线及光电特性演示,在没有光照时,由于二极管反向偏置,反向电流(暗电流)很小。,当光照增加时,光电流I与光照度成正比关系。,光敏二极管的反向偏置接法,UO,+,光照,图7-7 光敏三极管,4)光敏二极管及光敏三极管,a)光电特性,开路电压,短路电流,硅光电池,指半导体光电元件产生的光电流与光照之间的关系。,光敏晶体管,5)半导体光电元件的特性,硒光敏电阻,b)伏安特性,光敏电阻,硅光电池,指光电元件的端电压与电流之间的关系。,光敏三极管,5)半导体光电元件的特
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