XX大学电子综合基础考研考点精编(含历年真题解析).docx

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1、目 录 序言5 考前必知7一、历年报录情况7二、学费与奖学金7 复习方略9 考试分析11一、考试分析11二、考试题型11三、考点分布12四、试题分析15五、考试展望16 复习指南18模拟电路基础18数字逻辑电路30 核心考点解析40模拟电路基础40第一章 基础知识40第二章 PN结和二极管46第三章 双极结型晶体管56第四章 场效应晶体管68第五章 放大器的工作原理和分析方法77第六章 放大器的单元电路86第七章 放大器的频率特性98第八章 模拟集成电路中的单元电路106第九章 负反馈116第十章 集成运放放大器的应用128第十一章 整流与稳压145第十二章 通用电路模拟程序PSPICE简介1

2、53数字逻辑电路161第一章 逻辑代数基础161第二章 门电路171第三章 组合逻辑电路183第四章 触发器194第五章 时序逻辑电路的分析与设计207第六章 脉冲波形的产生和整形217第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件228第八章 数字系统设计239第九章 EDA及硬件描述语言初步247第十章 数/模和模/数转换258 往年真题试卷与答案解析266往年考研真题试卷266南开大学2007年硕士研究生入学考试试题266南开大学2008年硕士研究生入学考试试题271南开大学2009年硕士研究生入学考试试题277南开大学2010年硕士研究生入学考试试题281南开大学2011年硕士研究生入学考试试题

3、285南开大学2012年硕士研究生入学考试试题289往年真题试卷答案解析293南开大学2007年硕士研究生入学考试试题答案解析293南开大学2008年硕士研究生入学考试试题答案解析303南开大学2009年硕士研究生入学考试试题答案解析312南开大学2010年硕士研究生入学考试试题答案解析324南开大学2011年硕士研究生入学考试试题答案解析334南开大学2012年硕士研究生入学考试试题答案解析346 序言南开大学电子综合基础考研考点精编（含真题解析）（以下简称考点精编（含真题解析）是联合专业课老师根据学校指定教材精心研发和编写的考研全程备考教辅，既从宏观视角构建学科知识框架，又从微观层面对核心

4、考点、历年真题进行全面解析，可节省考生梳理教材的大量宝贵时间和精力，使考生复习取得事半功倍的效果。一、主要内容考前必知：包括历年报录情况、学费与奖学金、住宿情况、其他常见问题等，信息面全、可靠性高，考生可对专业课的考研情况了如指掌。复习方略：包括专业课、公共课，详细阐述考研各科目高分复习策略，推荐最有价值的相应复习参考书目，考生可根据自己的实际情况，制定属于自己的最佳复习方略。考试分析：包括考题难度分析、考试题型解析、考点章节分布、最新试题分析、考试展望等，使考生在复习之初即可对专业课有深度把握和宏观了解，迅速掌握复习重点、难点内容。复习指南：包括复习提示、知识框架图。复习提示揭示各章节复习要

5、点、总结各章节常见考查题型、提示各章节复习重难点与方法；知识框架图构建章节主要考点框架、梳理全章主体内容与结构，可达到高屋建瓴和提纲挈领的作用。有助于考生通晓各章节的主体内容和结构，快速形成学科体系、强化记忆。核心考点解析：去繁取精、高度浓缩初试参考书目各章节核心考点要点并进行详细展开解析、以星级多寡标注知识点重次要程度便于高效复习。该内容相当于笔记，但比笔记更系统、更全面、重难点也更分明。往年真题试卷与答案解析：反复研究往年真题，能洞悉考试出题难度和题型；了解常考章节与重次要章节，能有效指明复习方向，并且往年真题也常常反复再考。该内容包含往年考研真题与答案解析，每一个题目不但包括详细答案解析

6、，而且对考查重点进行了分析说明。二、主要特色立足教材，夯实基础。以指定教材为依据，全面梳理知识，注意知识结构的重组与概括。让考生对基本概念、基本定理等学科基础知识有全面、扎实、系统的理解、把握。注重联系，强化记忆。复习指南分析各章节在考试中的地位和作用，并将各章节的知识体系框架化、网络化，帮助考生构建学科知识网络，串联零散的知识点，更好地实现对知识的存储，提取和应用。深入研究，洞悉规律。深入考研专业课考试命题思路，破解考研密码，为考生点拨答题技巧。三、使用说明1、全面了解，宏观把握。备考初期，考生需要对考点精编（含真题解析）中的考前必知列出的历年报录情况等考研信息进行全面了解，合理估量自身水平

7、，结合自身研究兴趣，科学选择适合自己的研究方向，为考研增加胜算。2、稳扎稳打，夯实基础。基础阶段，考生应借助考点精编（含真题解析）中的考试分析初步了解考试难度、考试题型、考点分布，并通过最新年份的试题分析以及考试展望初步明确考研命题变化的趋势；通过认真研读复习指南、核心考点解析等初步形成基础知识体系，并通过做习题来进一步熟悉和巩固知识点，达到夯实基础的目的。做好充分的知识准备，过好基础关。3、强化复习，抓住重点。强化阶段，考生应重点利用考点精编（含真题解析）中的复习指南（复习提示和知识点框架图）来梳理章节框架体系，强化背诵记忆；研读各章节的核心考点解析，既要纵向把握知识点，更应横向对比知识点，

8、做到灵活运用、高效准确。4、查缺补漏，以防万一。冲刺阶段，考生要通过巩固考点精编（含真题解析）中的核心考点解析，全面研究往年真题试卷与答案解析，通过分析，提炼出命题思路和要点，有效把握专业课往年出题方向、常考章节和重点章节，做到主次分明、有所侧重地复习，并加强应试技巧。5、临考前夕，加深记忆。临考前夕，应重点记忆核心考点解析中的五星级考点、浏览知识点框架图，避免考试时因紧张等心理问题而出现遗忘的现象，做到胸有成竹走向考场。 考前必知一、历年报录情况专业2014年2015年2016年2017年电子科学与技术报名人数录取人数报名人数录取人数报名人数录取人数报名人数录取人数1552713031972

9、18133二、学费与奖学金（一）奖学金：1、学业奖学金：学校设立学业奖学金，用于资助学术型研究生学费（1）全日制脱产就读的学术型硕士研究生，即应届生和人事档案、工资关系转入南开大学脱产就读的学术型硕士研究生（不包括已获硕士或博士学位再次报考就读的硕士研究生、专业学位研究生、硕士单独考试、强军计划、国防生、少数民族骨干计划等项目的招生），可以申请学业奖学金，经学校审核通过后可获得学业奖学金。（2）强军计划、国防生、少数民族骨干计划硕士研究生入学后免除学费。2、优秀新生奖学金：获得推荐免试资格入学的硕士（含学术型硕士和专业学位硕士）研究生新生，一次性奖励每人3000元。3、国家奖学金：硕士研究生每

10、人2万元，发放人数以2012年为例，共204人。4、学校奖学金：硕士研究生一等奖每人8000元，二等奖每人5000元，发放人数以2012年为例，硕士博士共约700人。5、社会捐赠奖学金：根据捐赠方的要求设立的用于奖励研究生个人或集体的奖学金，发放人数以2012年为例，硕士博士共约400人。（二）助1、助学金：（1）全日制脱产就读的硕士研究生，即应届生和人事档案、工资关系转入南开大学脱产就读的硕士研究生（不包括已获硕士或博士学位再次报考就读的硕士研究生、硕士单独考试、强军计划、国防生等项目的招生），可申请硕士研究生助学金，助学金标准为每人每年6000元，分12个月发放。（2）应届本科毕业及往届没

11、有工作人员考入的少数民族骨干计划硕士研究生可申请助学金，助学金标准为每人每年6000元，分12个月发放；与工作单位签订定向协议的少数民族骨干计划硕士研究生不可申请助学金。2、生活困难补助金：按学校有关规定，家庭经济困难的硕士研究生可申请生活困难补助金。3、国家助学贷款：家庭经济困难的硕士研究生新生，按照国家和中国银行相关规定，可申请最高额度为每生每年6000元国家助学贷款。4、绿色通道：家庭经济困难，不能及时缴纳全部或部分费用的研究生新生可办理费用缓交手续，保证顺利入学。（三）酬1、助管：硕士研究生可申请助管岗位，薪酬为400-600元/月。2、助研：全日制脱产就读的学术型硕士研究生，即应届生

12、和人事档案、工资关系转入南开大学脱产就读的学术型硕士研究生（不包括已获硕士或博士学位再次报考就读的硕士研究生、专业学位研究生、硕士单独考试、强军计划、国防生、少数民族骨干计划等项目的招生）可申请助研津贴，硕士助研津贴按学科分为两大类，第一类学科助研津贴2400元；第二类学科助研津贴1200元。其中第一类学科为理学（数学和理论物理学除外）、工学、医学和农学门类各学科；第二类学科为经济学、管理学、法学、数学、理论物理学、教育学、文学、历史、哲学、艺术和军事学门类各学科。 复习方略南开大学802电子综合基础科目的考研试卷分为模拟电子和数字电子两部分，通过历年真题分析，我们可以知道，专业课考试偏难，但

13、是对准备充分、意志坚定的考生来说，会很有优势，想要考到高分，也会相对容易。不仅仅是专业课需要好的复习方略，整个考研的过程，专业课，公共基础课，时间安排等等，都需要精细的复习方法和安排，才能达到高效率取得好成绩。这里，我们着重谈谈专业课的复习方略。首先，专业课复习最重要的一步就是：坚持！坚持下来就是向成功迈出去的最大的一步。尤其是，模拟电子电路部分与数字电子电路部分的内容非常多，而且模电相对较难，掌握好需要时间和耐力。数电的很多题目需要很多步骤，完全答对同样需要时间和耐力，所以坚持是必须的。从历年的考题中我们可以看出，模电部分题目偏难，但是重点比较集中，每年考查的知识点比较固定；每年考的题目都类

14、似，但是考查的灵活性一直都存在。第一遍复习，也是最全面的复习，就是将课本认真的看一遍，不会的在书上做上标记，跟着课本的节奏，有针对性的独立完成一些例题和课后习题。第6章、第10章是每年都会出大题的章节，所以这两节的内容考生应该在首轮复习的时候多花时间，将所涉及的知识点结合起来，以能够做对题为检验自己的标准。当把课本都看完一遍之后，对模电的所有知识都会有个大概的印象，这时，考生可以仔细看一遍真题，把真题所考的题目在哪些章节，涉及的哪些知识点，自己全部弄清楚，然后分知识模块的认真做一遍真题。刚开始做一个模块的题目时，考生肯定会觉得很生疏，我们可以针对题目去看书，从而进一步了解知识，掌握考查的方式；

15、当一个模块的题目练习得多了一些以后，便可以逐步的脱离课本，就达到了考试的效果；再进一步，便能做到孰能生巧，对一个知识的方方面面都有所了解和能够解答了。真题的题目加上课后习题的一些题目就是我们了解这些知识模块的“道具”。当我们模块式的又复习完一遍之后，考生不仅已经做了大量针对重点考点的题（真题和课后习题），也同时把课本重新复习了一遍。如果这时候还有一些知识没有弄懂，由于时间的关系，考生可以请教相关老师，这是最有效的方法。模块化复习完成之后，就是记忆性的复习，自己对着课本，根据自己对考试的理解，参照往年真题，总结出一些概念性的东西并加强记忆。这个过程所需要的时间比较短。最后一步，就是再认真的做一遍

16、真题，考前训练，练习自己做题的速度，考试的心态等。简单来说，模电复习为四步：第一步，看完一遍课本；第二步，模块化复习；第三步，总结记忆；第四步，重做真题。数电的复习可以参照模电的复习方略，但是有几个不同的细节需要强调：第一，分析往年试卷可以看出，数电考试的难度系数相对模电来说偏低，基础性题目比较多，所以在专业课时间分配上，模电的时间应该占整个专业课复习时间的60%左右，数电40%左右。第二，数电考查的题型没有模电的固定，所以对知识掌握程度来说更加要到位。复习的时候，我们要学会一种方法，即变换思维。比如，考生复习到组合逻辑电路的设计，可以在按要求完成题目之后，选择其他的方法解答，或者改变一些有本

17、质影响的条件再进行解答。第三，对几个部分要尤其重视。每年数电考题75分，有一半多的分值都会集中在组合逻辑电路的分析与设计和时序逻辑电路的分析与设计上面，所以这两部分内容是考生必须重点掌握锻炼的地方。组合逻辑电路的设计的出题风格一般都是结合现实中的问题，要求或者规定电路使用的结构等；时序电路的分析有同步时序电路和异步时序电路，先掌握同步时序电路的分析，这是重点，然后再掌握异步时序的分析，这是难点。同时，针对这两方面的知识，考生应该有意识的多做题，做的题多，遇到的问题就会多，懂的也就会多。考研使用教材：802电子综合基础科目考研参考书目：数字逻辑电路，杨文霞、孙青林编著，科学出版社 模拟电路基础，

18、秦世才、贾香鸾编，南开大学出版社 考试分析一、考试分析1.考试难度南开大学802电子综合基础科目的试卷难度适中。从历年考研真题试卷来看，试卷结构主要分为两大部分，即模拟电子电路部分和数字电子电路部分。对于模电部分，从历年试卷看出，大的题型只有两种简答题和计算题。简答题所考知识点分布比较分散，有记忆性的概念、逻辑的推理、电路的描述等等，每年所考的知识点都有不一样的分布，难度偏难。对于数电部分，小题比较多，题型较为丰富，分为填空、选择、简答等，大题题目有计算、电路分析、电路设计等。总体来说，数电部分比模电部分要简单些。结合历年考题的研究分析，可以发现802电子综合基础科目的历年真题的命题主要存在以

19、下规律：（1）分值固定。模拟电子电路部分为75分，数字电子电路部分为75分，总分150分。模电部分，小题、简答题所占分值大概为15分，计算题所占分值大概为60分；数电部分类似于模电部分。（2）题型比较固定。模电部分，一般是两类题型，即简答题与计算题。简答题为3到5题，包括概念的记忆、电路的描述、逻辑的推理等出题方式；计算题一般是根据所给电路图按要求分析计算。数电部分，小题题型比较丰富，包括填空题、选择题、简答题等，主要考点为电路的分析和设计、逻辑函数的化简、化波形图等。（3）考点重复性高。每年考试的重点都是相同或者相似的考点，这就提醒了考生，这些知识点是重要内容，也是考生必须掌握的知识。（4）

20、个别题目区分度大。历年真题中发现，有小部分题目考点分布比较偏，或者难度比较大。对于掌握这部分知识点的考生来说，题目容易解答；对于没有掌握这部分知识点的考生来说，会感觉题目无从下手。2.出题风格从802电子综合基础科目的历年真题中可以发现，每年的考点都是基础性的知识。考试重视考查考生对基础知识的掌握程度，而且在基础知识之上，更加强调对知识的理解和扩展。所以考研真题的题型固定，但是所考的内容较为灵活，所考知识点固定，考查考生灵活地分析比较能力。二、考试题型1.模拟电子电路部分题型模电题型部分近两、三年的真题，都很固定。分别为简答题和计算题。简答题（3-5题）这部分考点比较分散，侧重点在于考查考生对

21、一些基础知识的记忆以及理解。答案一般都比较简单，课本上都可以找到。有些是逻辑分析题，根据题目所给的具体情况进行分析，只要考生对所考知识掌握了，就很容易解答。计算题（4题）计算题都是大题，基本都是根据题目所给的数据和电路图，按要求作答，或者是按要求设计。这4道题分值比较高，也包含了模电部分的主要考查内容及重点核心内容。侧重于考查考生对知识的掌握程度以及综合分析的能力。每道题都有几小问，从易到难，区分度大。2.数字电子电路部分题型数电题型大致可以分为小题和大题两大类。小题（数目不确定，分值大约15分）每年数电部分的小题题型都不是很固定，有填空题、选择题、简答题等考查形式。考查的都是最基础的知识。大

22、多侧重于第1章的内容和一些重要的概念。大题（3-5题）数电部分的大题大概有以下几种题型：逻辑函数化简题型、逻辑电路分析和设计题型、画波形曲线或者电路连接问题、画逻辑电路图问题等。题目难度不等，但是只要考生对所考知识点有足够的掌握，数电部分的大题相对模电部分来说更容易些。三、考点分布模拟电路基础第一章 基础知识 一般不涉及单独的考点。第二章 PN结和二极管年份考点分布2007二极管大信号模型2011PN结的伏安特性第三章 双极结型晶体管年份考点分布2008晶体管的工作区2012h参数等效电路，型参数等效电路第四章 场效应晶体管年份考点分布2007MOS管直流大信号模型（萨氏方程）2008，201

23、2结型场效应管、MOS管的工作原理（工作区间的判断）2009MOS管阈值电压2010场效应晶体管的类型2011MOS管增强型和耗尽型的区别第五章 放大器的基本概念和主要参数年份考点分布2011提高放大电路输入阻抗的好处第六章 放大器的单元电路年份考点分布2007，2008，2009，2012静态工作点的计算2007，2008，2010，2012直、交流负载线2007，2008，2010，2012放大器的参数计算（电压增益，输出电压，最大输出幅度）2010乙类功率放大器的特点2012交越失真第七章 放大器的频率特性年份考点分布2011上、下限截止频率2012线性失真的产生原因和消除方法第八章 模

24、拟集成电路中的单元电路年份考点分布2008，2011电流镜的结构和计算2009差动放大级的计算第九章 负反馈年份考点分布2007，2010，2012反馈类型的判断2008负反馈网络的作用2009理想反馈的概念2011各种负反馈的应用第十章 集成运算放大器的应用年份考点分布2007比较运算放大器电路2007，2008，2009，2010，2011，2012运算放大器电路的分析和计算2008理想运算放大器的概念2009积分电路2012运算放大器的失调电压2012运算放大电路的设计第十一章 整流与稳压年份考点分布2009桥式整流滤波电路2011开关电源中续流二极管的作用第十二章 通用电路模拟程序PS

25、PICE概述：本章没有考点，考试不作要求。数字逻辑电路第一章 逻辑代数基础年份考点分布2007，2009，2010，2011公式法化简逻辑函数2007，2008反演定理，反函数2008，2009，2010，2011卡诺图法化简逻辑函数2010，2012逻辑函数的最大项、最小项2011格雷码与二进制码转换2012进制之间的转换2012逻辑函数的对偶式第二章 门电路年份考点分布2010CMOS集成电路2010三态门2011CMOS门电路2012线与的概念第三章 组合逻辑电路年份考点分布2009，2010，2011，2012组合逻辑电路的设计2009竞争冒险2011显示译码器的使用第四章 触发器年份

26、考点分布2007D触发器的应用2009寄存器概念2010触发器的空翻2011JK触发器应用2012JK触发器的一次变化问题第五章 时序逻辑电路的分析与设计年份考点分布2007，2009，2012时序逻辑电路的分析2007计数器的设计2008，2011计数器的预置值与模值2009，2011，2012时序逻辑电路的设计2010同步、异步时序电路的比较第六章 脉冲波形的产生与整形：本章不涉及考点第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件年份考点分布2008写LA电路表达式2009，2010，2011PROM、PAL、GAL、RAM等相关知识2012画PLA电路第八章 数字系统设计 本章考试不要求，没有考点

27、第九章 EDA及硬件描述语言初步 本章考试不要求，没有考点第十章 数/模和模/数转换年份考点分布2008AD转换器的积分型和逐次逼近型的抽样频率2009抽样频率的条件2011ADC的分辨率四、试题分析：以2012年为例整体来说，2012年南开大学802电子综合基础科目的考试题目偏难，尤其是模拟电子电路部分。考查的知识点和历年大致相同，灵活性相对较高，有很大的区分程度。但是相对于2011年来说，难度有所减小，2011年是近年来难度最大的一年。首先，从题量来说，与近几年基本一样，题型也和前几年保持一致。模电部分，简答题5小题，共15分，然后是四道大题，每题15分，共60分，三道电路计算题，一道电路

28、设计题；数电部分，5道选择题，共15分，四道大题，考查的分别是组合逻辑电路的设计和画电路图，PLA电路设计和画波形图，时序逻辑电路的分析，计数器逻辑电路的设计这四方面。具体分析各个题目的考查重点：模电部分，简略回答有5小题，第1题是h参数等效电路和型等效电路的主要区别，往年的真题中有出现画h参数等效电路图的题目，而今年是区分两者的不同，考查的范围更广，难度更大。第2题和第3题是失真问题，只要掌握线性失真和交越失真的概念，并且理解到位，这两题就是记忆性的问题。第4题是一个实际的问题，所考查的知识点比较隐蔽，容易让人无从下手，难度大。第5题是N沟道增强型MOS管的工作状态的条件判断，历年考试中，对

29、三极管，场效应管的考查都是重点。计算题的第一道大题难度偏大，电路比较复杂，分析困难，结合了第9章的反馈知识和第10章的运算放大电路的知识。第一小问考查对反馈的判断，第二小问考查对电路分析之后的参数计算。本题对所考知识的掌握要求较高，电路图和书本上的基本电路图差距比较大，很难归为哪类，电路图中加入的两个二极管使得题目难度大，不利于解答。第二道大题是第6章的放大电路的问题，分为四问，难度依次递进，解答步骤相对较大，数据计算比较繁杂，考查了学生对基本电路的分析能力，知识掌握全面的判断以及计算能力，难度适中，但区分度大，很好地考查了考生的综合能力。第三道大题是运算放大电路的具体计算问题，其中第二问在历

30、年考题中没有出现，考查的失调电压很容易被考生忽略，从而对第二小题无从下手。电路相对复杂，本题难度较大。第四道大题是运放电路的设计问题，往年考题中也没有出现对运放电路的设计考题，本题对考生掌握运算电路要求很高，难度较大。综合看2012年的模电试题，难度偏大，对基本知识的考查更加全面而具体，且有深度。对电路的分析提出了更高的要求，尤其是第10章的运算放大电路的知识，考查的比较多，且知识范围比较全，难度比较大，考生必须很好地掌握这章的知识，才能比较轻松的解答此类问题。数字电子电路部分。第一题选择填空，有五个小题，其中，第一题、第三题、第五题都是数电课本上第一章的知识点，都是最基础的知识，进制转换问题

31、，逻辑函数问题，相对很容易。第二题考查“线与”这个概念，考生如果复习到这个知识点，题目则很容易做出。第五题是触发器一次性问题，也是一个概念的问题，考生复习到应该很容易大题。综合分析可知，数电前面的小题都是侧重最基础的知识点和最基本的概念，相对容易，往年也都是这样。第一道大题是根据题目所给的数据选择器来产生逻辑函数，并画逻辑电路图。本题主要考查考生对组合逻辑电路的掌握程度，历年考题中也出现过类型题型的题目，题目比较熟悉，相对简单。第二道大题有两小题，第一小题考查用PLA实现题目要求的电路目的。本题的主要考点集中在PLA电路的结构，它的“与”阵列和“或”阵列都是可编程的，利用与或阵列可编程，实现题

32、目要求。PLA实现逻辑电路在往年都没有考过，这是第一次考查，对很多考生而言，由于对PLA电路的结构不熟悉，不能画出PLA电路，所以无从下手。但本题如果掌握PLA电路的画法，则相对简单，所以本题区分度很大，也侧面告诉考生对知识一定要掌握全面。第二小问考查的是主从JK触发器的一次翻转问题，一次翻转问题在课本中有详细讲述，考生如果完全理解明白，则本题相对较易。一次翻转问题当做一个大题来考试，反映出数电试题的一个特点，即没有像模电大题那样，大题计算题所考查的知识点比较固定，数电只要全面理解要求掌握的知识点，则题目解答都比较容易。第三道大题是时序逻辑电路的分析问题，这种题型在课本上都有详细的例题，考生只

33、要分析时序逻辑电路的基本步骤和注意事项，则这种类型的题目都是偏简单的。最后一道大题和往年真题一样，是一道时序逻辑电路的设计问题，今年是设计9进制减法计数器，相对往年的序列检测器，信号发生器，相对偏简单，但是时序逻辑电路设计题，考查的内容多，解答题目的步骤也比较多，用到的数电知识特别丰富，考生必须对所学的数电知识掌握很好，才能从头到尾完全解答正确，所以这类题最能考查出学生的综合能力，所以每年几乎都会有一道这样的题型。综合上面分析可以看出，2012年试题和往年试题存在很多相似的地方，所考查的重要知识也基本相同，并且着重进一步考查了学生对这些知识的掌握程度问题。五、考试展望今年，我们认为南开大学80

34、2电子综合基础科目的真题会呈现出下面几个趋势：（一）题型题量固定。和近三年一样，今年的题量基本相同，考查的知识点也基本相同，题型也基本固定，但是考查学生知识的某些方面不确定，所以考生应该对一个知识点掌握全面，不要有些许疏忽。（二）试卷难易保持平稳。试卷难度，模电部分应该会稍微比数电部分难，总的试卷会略有难度，对知识掌握全面，概念熟悉的考生来说，考试会相对得心应手。（三）题目考查知识点的灵活性。每年考试都会出现重复考点，但是所采取的考查形式和考查方面都没有雷同，题目都很有区分度。所以今年也会出现考点重复但是题目新颖，考查的灵活性存在很大的空间。（四）从涉及的重要考点来看，今年基本与前几年考题相同

35、，主要有以下考点：涉及考点模拟电路基础双极结型晶体管工作区的分类，大信号模型，h参数、T型、型等效电路，场效应晶体管工作原理，工作区的判断，分类及各种之间的比较，场效应晶体管与双极晶体管的比较，放大电路共射、共集放大电路，静态工作点的计算，交、直流负载线，电压增益、输入输出电阻、输出电压幅度等电路参数的计算，功率输出级的分类及各自种类的特点比较，电流源和电流镜电流镜组成的电路的电流计算，差动放大级电路的参数计算反馈反馈的判断，写出反馈电阻，对电路的作用集成运算放大器含放大器电路的参数计算，典型运算放大电路的计算，如比较器、反相、同相、求和比例电路等。数字逻辑电路逻辑代数进制之间的转换，公式法、

36、卡诺图法化简逻辑函数，逻辑代数的基本定律应用，逻辑函数式的两种标准形式门电路OC门线与功能，分立元件门电路组合逻辑电路组合逻辑电路的分析，组合逻辑电路的设计，（编码器，译码器，数据选择器），竞争冒险概念及消除触发器D、JK、T等触发器的工作原理，同步、主从、边沿触发器的优缺点时序电路时序逻辑电路的分析，时序逻辑电路的设计，包括计数器分析与设计，序列信号发生器的设计，序列检测器的设计等脉冲多谐振荡器，石英晶体振荡器，施密特触发器半导体存储器和可编程逻辑器件RAM、ROM概念，PROM、PAL、PLA、GAL结构，FPGA、CPLD结构及应用模/数和数/模转换模/数和数/模的技术指标 复习指南模拟

37、电路基础第一章 基础知识一、本章复习提示本章首先介绍组成等效电路的元素（或元件），再阐明分析线性电路时常用的一些定理。在历年的考题中，本章出现单独的考题不多，本章主要是模拟电子电路的基础知识，重在深刻掌握。在复习上，考生应该深刻理解本章设计的概念知识点，其次，本章所讲的常用定理，考生应该熟悉使用。考生应仔细分析课本中出现的例题，抓住所应用的本质知识点，多加练习。二、本章知识框架图第二章 PN结和二极管一、本章复习提示本章先简单介绍半导体物理的一些基本知识，接着讲PN结的导电机理和电特性，最后阐述二极管的应用。在历年的考题中，本章考题主要以简答题出现，基本是考概念和一些机理，考生需重视本章的知识

38、点，全面把握本章的所有考点。在复习上，考生应该重视两方面的复习，第一是对概念的掌握和区分，第二是对一些机理的分析要熟悉掌握。PN结的结构，工作原理，伏安特性，击穿等都是重点内容。二、本章知识框架图第三章 双极结型晶体管一、本章复习提示本章主要介绍双极结型晶体管，包括结构、工作状态、信号模型以及等效电路等。在历年的考题中，本章的考点主要是以简答题出现，本章的知识点重要，考到的概率大，考生需掌握考点内容，充分理解本章涉及的知识点。在复习上，考生复习下来要能自己讲述双极结型晶体管的结构工作原理和应用方面，对各种等效电路要有所明白，h参数等效电路尤为重要，考题中出现过，考生应予以重视，对其它知识点，复

39、习完后要学会自己归纳。二、本章知识框架图第四章 场效应晶体管一、本章复习提示本章主要介绍场效应晶体管，包括结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，还有功率MOS管。在历年的考题中，本章的考点主要以简答题出现，本章的考点考试中频繁出现，考生应予以重视，掌握好每个考点，熟悉本章的所有知识。在复习上，考生需针对本章的考点，如结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管的工作原理，进行针对的复习，要全面掌握，达到自己可以复述的程度，并且自己要学会归纳，经常温习本章的概念。二、本章知识框架图第五章 放大器的工作原理和分析方法一、本章复习提示本章先讲述放大器的基本概念和主要参数，继而介绍放大器的工作原理，最后讲述放

40、大器的通用分析方法，图解法和微变等效电路法。在历年的考题中，本章单独出现考题的概率不大，但是本章考点主要出现在大题中，如直流负载线、交流负载线的画法会出现在大题的考查中，另外，微变等效电路法也会应用在考题中，考生应对本章的考点做充分的把握。在复习上，本章主要的知识点都是原理和方法，考生应该不能仅停留在文字上，要会运用图解法和微变等效电路法解答电路中的问题，其次，要会根据电路图画该电路的直流负载线和交流负载线，灵活变换和巧妙应用。二、本章知识框架图第六章 放大器的单元电路一、本章复习提示本章具体介绍放大器的主要单元电路，如直流偏置电路，共射、共基、共集放大级以及常见的改进电路，另外介绍了四种功率

41、输出级和场效应管放大器。在历年的考题中，本章考点主要以大题出现，也有简答题，是重要的考点集合的地方。核心考点是三种放大电路，如计算他们的静态工作点、电流电压增益、输出输入电阻等；其次是四种功率输出级各自的参数值，各自的优缺点。本章考点众多，考生应全面掌握。在复习上，建议考生3点，首先认真分析课本上的例题和列出的公式，能够区分不同电路的计算方法和优缺点；其次考生应结合课本做相应的习题，对各种电路的参数计算和等效电路图做到得心应手；最后考生应该对本章出现的概念进行牢固的记忆。二、本章知识框架图第七章 放大器的频率特性一、本章复习提示本章主要介绍放大器的频率特性，包括阻容耦合放大器的频率响应，多级放

42、大器的频率响应，还简单介绍了传输函数的S域分析，以及失真、频谱等一些概念。在历年的考题中，本章的考点主要以简答题出现，考点主要是针对信号的失真，频率的各种分类，带宽来进行考核。考生需认真把握本章的考点，对考点的概念要全面掌握。在复习上，考生重点把握本章的概念，如下界频率、上界频率、带宽、失真、带宽增益积等，其他内容熟悉一遍即可。二、本章知识框架图第八章 模拟集成电路中的单元电路一、本章复习提示本章模拟集成电路中的单元电路主要介绍电流镜和电流源的工作原理，差动放大级，分为双极型和CMOS型，还有介绍了MOS有源负载放大级和输出级，最后简单介绍了集成运放。在历年的考题中，本章主要考点为电流源和电流

43、镜，差动放大级的参数计算。多数以大题出现，考生需要重点把握。在复习上，考生重点把握本章的考点，熟练掌握电流源和电流镜的工作原理，如双极型电流源的两管电流源和三管电流源的工作原理；差动放大级的计算考生需重点了解差模和共模两个概念，对电路的计算要掌握清楚。二、本章知识框架图第九章 负反馈一、本章复习提示本章先介绍反馈的基本概念和负反馈对放大器性能的影响，再简单讲述框图分析法，最后将深度负反馈下放大器增益的近似计算。在历年的考题中，本章考点主要以简答题出现，如果以大题出现，会结合放大器等章节一起考核。本章知识点是后面章节的基础，因此本章知识点很重要，考生应对考点有全面而深刻的了解。在复习上，考生必须

44、对四种放大形式的判断和分析掌握透彻，并且深刻理解负反馈的含义以及对放大器性能的影响，考生需对负反馈里面的计算掌握好，能够自主的分析和计算。对负反馈的一些基本概念要熟悉掌握，如开环增益、闭环增益、带宽增益积、理想反馈等。二、本章知识框架图第十章 集成运放放大器的应用一、本章复习提示本章先讲运放的应用原理，然后介绍运放的主要应用。集成运算放大器是本章主要介绍的重点内容，包括各种运放电路结构及其工作原理，运用对象。在历年的考题中，本章是重点内容，考点主要以大题和分析题出现，十分重要。尤其是各种类型放大器的混合应用和参数的计算是常考的知识点。考生应该重视，并且全面的掌握。在复习上，建议考生花多点时间仔

45、细的学会本章的内容，本章内容重要，应用广泛，实际用途多。其次，本章考点多，考题偏难，考生应全面掌握。在复习中，考生要重点学习各种放大器的参数计算，以及一些混合电路的功能分析，结合一些例题做全面的掌握。二、本章知识框架图第十一章 整流与稳压一、本章复习提示本章主要介绍了整流、滤波和串联稳压电路，然后简单介绍了集成稳压器的两种类型，即各自的工作原理。在历年考题中，本章考点主要以简答题出现，并且主要分布在整流、滤波这两个概念上。考生应准确把握，认真复习。在复习上，考生应针对性的对整流、滤波的概念和分类进行全面的复习，并且可以画出整流电路的图形，这是考试的重点考查内容，考生应予以重视。二、本章知识框架图第十二章 通用电路模拟程序PSPICE简介一、本章复习提示本章主要介绍了PSPICE的相关内容。本章不包含考点，考生可当作课外知识扩充自己。二、本章知识框架图数字逻辑电路第一章 逻辑代数基础一、本章复习提示本章首先介绍数字系统中常用的几种数制和码制，然后介绍逻辑代数中的基本公式、常用公式和基本定理及逻辑函数的表示方法，最后重点介绍逻辑函数的化简方法。在历年真题中，本章考题多是填空题选择题等，考点较多，且都是整本书的基础知识，考的都是基本概念。有进制间的转换，原码、反码、补码间的转换，逻辑代数的运算化简和卡诺图是重点内容，考生需认真掌握。复习上，因为本章知识皆是数字