煤矿瓦斯监测系统设计—毕业设计论文.doc
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1、毕业设计论文煤矿瓦斯监测系统设计1 绪论1.1 课题研究背景及意义从我国煤炭生产的现状及我国能源结构规划均可以看出,在本世纪中叶以前煤炭仍是支持我国国民经济发展的主要能源。煤炭生产,作为我国能源工业的支柱,其地位将是长期的、稳定的。但是煤炭工业的安全生产状况却不容乐观,中小型煤矿的情况尤为严重,已经直接威胁到整个煤炭工业的稳定生产,给国家财产和人民生命造成了很大的损失,作为“万恶之首”的甲烷爆炸事故更是居重大事故发生率之首。今年又接连发生了多起甲烷爆炸事故,事故的结果触目惊心,因此通过强化甲烷管理,提高甲烷检测监控水平,已成为中小型煤矿最迫切的任务之一。随着采矿技术的不断发展,井下作业的安全越
2、来越有保障,但是仍然有许多采矿企业的机械化程度低,现场采矿的工作人员的生命安全存在潜在的威胁,特别是在瓦斯的检测和报警仍旧存在隐患的情况下,每年由于瓦斯泄露造成的特大事故依然很多。据统计,全国共有大小煤矿60000多个,从业矿工800多万。根据煤矿三班作业的实际情况,目前至少需要300万个瓦斯报警器,可见其市场非常广阔。1.2 国内外研究现状及发展方向最早监测瓦斯浓度的装置是安全灯,安全灯的构造简单,性能稳定,使用寿命长,一百多年来一直被沿用下来,至今仍在许多国家使用。从1675年英国北威尔士欣煤矿发生的第一次瓦斯爆炸矿难起,世界各国开始更进一步关注对瓦斯检测报警的相关安全研究。一直以来,光干
3、涉瓦斯监测器在我国以及日本使用比较广泛,自20世纪30年代以来,已经连续使用了数十年,至今仍在多数些矿井的瓦斯检测中使用。目前,在瓦斯检测仪中占主导地位的是催化瓦斯检测仪,据最早文献记载,1943年以前美国已制成VCC瓦斯测量仪,日本在铂丝元件上加上涂有催化剂的载体小珠,制成最早的载体催化元件,并利用这种原件制成了北辰型瓦斯指示器。1958年法国Cherchar研究所已研制成功利用AI2O3为载体,钯Pd、钍Th为催化剂的载体催化元件,获得了较好的催化性能。1961年英国矿山安全研究所采用新的工艺,改进了载体催化元件的性能。从此,催化瓦斯传感器进入了其发展过程中的全盛时期。1961年以后,英、
4、美、法、日、德、前苏联等国家又对其进行改进研究,并把它作为瓦斯检测的主要工作方向。我国对于催化型瓦斯传感器的研究工作起步稍晚。 催化瓦斯传感器系统由两台DRS4型计算机控制,共有128个测头。当前国际催化瓦斯传感器的主要是向小型化、高稳定、长寿命方向发展。在这些要求中,努力提高元件的稳定性、延长元件使用寿命是中心课题。由于通过采用筛选催化剂配方和改进工艺的方法来提髙元件稳定性和延长元件使用寿命已经收获不大,所以必须在研究工作中进一步探索元件催化剂及载体的变化规律,找出提高元件的稳定性和延长元件的使用寿命的方法。为此需要深入研究催化剂的价态、颗粒大小、表面状态以及载体的晶型变化的规律,而这种深入
5、的研究采用以前的检验手段已经不行了,必须采用更先进的技术,进入催化剂的微观世界,探索其变化规律。目前与此有关的现代分析技术主要有光电子能谱、扫描电子显微镜、X射线衍射、电子顺磁共振等。虽然世界各国在此方面的研究都有了些许初步的成果,但是关于催化剂和载体变化规律的研究报告或文章很少见发表。由于传感器是获取信息的工具,是信息技术(包括传感与控制技术、通讯技术和计算机技术)三大支柱之一,位于信息系统的最前端,其特性的好坏、输出信息的可靠性对整个系统质虽至关重要。因此目前世界各国一直把发展智能化传感器作为研究课题,投入大量人力物力进行开发研究。智能传感系统与传统传感器相比,具有高精度、高可靠性、高性能
6、价格比、多功能化等优点,它代表了传感器的发展方向,是传感器克服自身落后向前发展的必然趋势。 国外的监控系统技术水平理论上讲高于国内发展水平,但应用于国内煤矿尚有一定的局限性,如煤矿管理模式生产方式的不同,价格过高不适于国内煤矿现有条件,除在传感器技术方面可供借鉴外,其它仅具一定参考价值。80年代初,世界各产煤国检测装置的缺点是:1)测量范围小2)易受高浓度瓦斯和硫化物的影响,存在零点漂移和灵敏度漂移问题,存在检测不准确及井下校准困难等弊端。 瓦斯报警对现在采矿业的安全起着非常重要的作用。现有的监测设备,都是采用数字显示或灯光显示的方式来提供测试数据的,这在环境狭窄、能见度差的井下工作面很不方便
7、。采用直接的语音播报方式,可以主动向现场人员提供各种信息,遇到危险情况还能作为紧急广播使用。这对于提高安全意识、避免重大伤亡事故具有重要意义。由于我的水平有限,所以本设计仍然选择声光报警方式。本设计能够监控矿井的瓦斯气体的浓度,显示测量结果,并对当前的环境状态做出判断,发出报警信息。1.3 课题的主要研究内容与要求这次毕业设计的主要内容与要求是:设计一个煤矿瓦斯监测系统装置,在气体浓度一定的范围内进行安全检测,并能在矿内瓦斯浓度达到报警上限时进行声光报警,通知矿内工作人员及时撤离减少人员伤亡和财产损失。这个基于单片机的煤矿瓦斯监测系统要实现以下的功能:瓦斯浓度测试,超过设定的门限值后自动报警。
8、本设计是以单片机为主机,通过显示器显示矿内瓦斯浓度值并能通过上位机实现与PC机之间的信息通信,及时准确地显示井下瓦斯浓度的实际情况,并在浓度超过报警上限时进行声光报警。2 系统总体方案设计2.1 系统设计方案及系统模块基于单片机的总体设计方案。晶振通信电路显示电路报警电路复位电路AT89S51敏感元件信号采集电路A/D转换图2-1方案总体框图Fig.2-1 The overall block diagram program方案总体框图如图2-1所示。本系统是以单片机为核心,系统具有信号的监控处理和报警显示。本设计的硬件电路模块包括浓度检测、A/D转换、单片机最小系统、数据显示电路、串口通信。2
9、.2 系统功能描述 一个易燃易爆气体监控系统能够及时的发现易燃易爆气体并报警,肯定能提高人民的生活水平和加快我们的现代化建设,减少不必要的人员跟财产损失,有利于整个社会稳定。基于这个思路,我们研究设计了煤矿瓦斯监测系统。能较为准确科学的检测并显示矿内瓦斯浓度和温度,并且当温度和气体的浓度超出某一设定范围后会产生报警,从而达到实时安全监控作用。达到效果:井下瓦斯浓度、温度在设定值范围内,声光报警器不报警,正常显示,当瓦斯浓度、温度、超出范围外时,声光报警器报警,工作人员及时发现撤离,防止事故发生。2.3 单片机最小系统电路 图2-2单片机最小系统电路 Fig.2-2 SCM minimum sy
10、stem circuit 单片机最小系统复位电路的极性电容CR的大小直接影响单片机的复位时间,一般采用10uF-30uF,单片机最小系统容值越大需要的复位时间越短。单片机常用最小系统晶振12MHz或者11.0592MHz,在正常工作的情况下可以采用更高频率的晶振,单片机最小系统晶振的振荡频率直接影响单片机的处理速度,频率越大处理速度越快。本设计采用11.0592MHz。单片机最小系统起振电容C1、C2一般采用15pF-33pF,此设计采用30pF,并且电容离晶振越近越好,晶振离单片机越近越好。2.3.1 单片机的选择 本课题设计采用CPU为AT89S51。AT89S51是美国ATMEL公司生产
11、的低电压、高性能8位单片机,片内含4KB的可反复擦写的Flash只读程序存储器和128B的随机存取数据存储器(RAM),器件采用ATMEL公司高密度、非易失性存储技术生产。 AT89S51单片机的硬件组成:片内硬件组成结构如图2-3所示。把作为控制应用所必需的基本功能部件都集成在一个尺寸有限的集成电路芯片上。 图2-3 AT89S51单片机片内结构 Tig.2-3 The structure of the chip microprocessor AT89S51有如下功能部件和特性:(1)8位微处理器(CPU);(2)数据存储器(128B RAM);(3)程序存储器(4KB Flash ROM)
12、;(4)4个8位可编程并行I/O口(P0口、P1口、P2口和P3口);(5)1个全双工的异步串行口;(6)2个可编程的16位定时器/计数器;(7)1个看门狗定时器;(8)中断系统具有5个中断源、5个中断向量;(9)特殊功能寄存器(SFR)26个;(10)低功耗模式有空闲模式和掉电模式,且具有掉电模式下的中断恢复模式;(11)3个程序加密锁定位。与AT89C51相比,AT89S51有更突出的优点:(1)增加在线可编程功能ISP(In System Program),字节和页编程,现场程序调试和修改更加方便灵活;(2)数据指针增加到两个,方便了对片外RAM的访问过程;(3)增加了看门狗定时器,提高
13、了系统的抗干扰能力;(4)增加断电标志;(5)增加掉电状态下的中断恢复模式。片内各功能部件通过片内单一总线连接而成(见图2-3),基本结构依旧是CPU 加上外围芯片的传统微机结构。CPU对各种功能部件的控制是采用特殊功能寄存器(SFR,Special Function Register)的集中控制方式下面介绍图2-3中片内各功能部件。(1)CPU(微处理器) 8位的CPU,与通用CPU基本相同,同样包括了运算器和控制器两大部分,还有面向控制的位处理功能。(2)数据存储器(RAM)片内为128B(52子系列为256B),片外最多可扩64KB。片内128B的RAM以高速RAM的形式集成,可加快单片
14、机运行的速度和降低功耗。(3)程序存储器(Flash ROM)片内集成有4KB的Flash存储器(AT89S52 则为8KB;AT89C55片内20KB),如片内容量不够,片外可外扩至64KB。(4)中断系统具有6个中断源,2级中断优先权。(5)定时器/计数器2个16位定时器/计数器(52子系列有3个),4种工作方式。 (6)1个看门狗定时器WDT当CPU由于干扰使程序陷入死循环或跑飞时,WDT可使程序恢复正常运行。(7)串行口1个全双工的异步串行口,4种工作方式。可进行串行通信,扩展并行I/O口,还可与多个单片机构成多机系统。(8)P0口、P1口、P2口和P3口4个8位并行I/O口。 P0口
15、、P1口、P2口和P3口的功能特性:P0口:P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路,对端口P0写“1”时,可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash编程时,P0口接受指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验期间,要求外接上拉电阻。P1口:P1口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作为输
16、入口。作为输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流I。P2口:P2口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作为输入口。因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流I。P3口:P3口是具有内部上拉电阻的8位双向I/O口,P3口的输出缓冲可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P3口写“1”时,它们被内部的上拉电阻拉高并可作为输入端。此时,被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流I。P3口除了作为一般的I/O口线外,更
17、重要的是它的第二功能,如表2-4所示: 表2-4 P3口的第二功能定义 Tab.2-4 Second definitions of P3 port P3口管脚功能此外,P3口还可以接受一些用于Flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。(9)特殊功能寄存器(SFR)RST:复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。ALE/:当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节,在一般的情况下,ALE仍以时钟震荡频率的1/6输出固定的脉冲喜好,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要特别注意的是,每当访问外部数据存储器时要
18、跳过一个ALE脉冲。对Flash存储器编程期间,该引脚还可用于输入编程脉冲()。如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位,可以禁止ALE操作。读位置位后,只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活。此外,该引脚会被微弱拉高,当单片机执行外部程序时,应设置ALE禁止为无效。 :程序存储允许()输出是外部程序存储器的读选通信号,当AT89S51由外部程序存储器指令(或数据)时,每个机器周期两次均有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次信号。 /VPP:外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器(地址为0000H-FFFFH),端必须保持低
19、电平。如果EA端为高电平, CPU将执行内部程序存储器中的指令。XTAL1:振荡器反相放大器的内部时钟发生器的输入端。XTAL2:振荡器反相放大器的输出端。2.3.2 复位电路 图2-5 片内复位电路 图2-6 上电复位电路 Fig.2-5 Internal reset circuit Fig.2-6 Power on reset circuit 复位电路有上电自动复位和按钮复位两种方式。最简单的上电自动复位电路如图2-6所示。对于CMOS型单片机,由于在RST引脚内部有一个下拉电阻,可将电阻R去掉,而将电容C选为10uF。上电自动复位是给电容C 充电加给RST引脚一个短的高电平信号,此信号随
20、着VCC对电容C 的充电过程而逐渐回落,即RST引脚上的高电平持续时间取决于电容C 充电时间。为保证系统可靠复位,RST引脚上的高电平必须维持足够长的时间。 除了上电复位外,有时还需要按键手动复位。按键手动复位有电平和脉冲两种方式。按键手动复位电路见图2-7、2-8。脉冲复位是利用RC 微分电路产生的正脉冲来实现的,脉冲复位电路见图2-8。 图2-7 按键电平复位电路 图2-8 按键脉冲复位电路 Fig.2-7 The key to reset the circuit Fig.2-8 Button reset pulse circuit2.3.3 晶振电路 图 2-9 内部时钟方式的电路 Fi
21、g.2-9 Circuit internal clock mode C1和C2的典型值通常选择为30pF。电容大小会影响振荡器频率高低、振荡器的稳定性和起振的快速性。晶振频率范围通常是1.212MHz。晶体频率越高,单片机速度就越快。速度快对存储器的速度要求就高,印制电路板的工艺要求也高,即线间的寄生电容要小。晶体和电容应尽可能与单片机靠近,以减少寄生电容,保证振荡器稳定、可靠地工作。为提高温度稳定性,采用温度稳定性能好的电容。2.3.4 电源电路 图2-10 单片机电源电路 Tab. 2-10 Single chip power supply circuit 交流220v的电网电压,需要通过
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