烧结法制备结晶釉装饰墙砖毕业论文.doc
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1、材料科学与工程专业本科毕业论文烧结法制备结晶釉装饰墙砖摘 要结晶釉,是由基础釉经控制晶化而制得的,在玻璃相中分布着或大或小、或多或少的晶体 1。具有很好的装饰效果,一般用于艺术瓷的装饰。传统的结晶釉采用一次烧成工艺,烧成难度大,成瓷率低,限制了其大批量生产。本文研制的结晶釉装饰墙砖,采用陶瓷坯料作为基底材料,先将釉料熔制、水淬成玻璃块、粉碎,然后在陶瓷坯料上布料,这样既可以得到装饰效果很好的结晶釉,又使结晶釉的烧制易于工业化生产。因此,具有明显的经济效益和推广应用价值。本文以ZnO-Al2O3-SiO2系统玻璃为基础,用玻璃粉,氧化锌为主要原料配制在1250左右温度下成熟、析出大晶花的结晶釉,
2、并探讨了釉化学组成、颗料的粒度、晶化温度、升温速度和保温时间、釉层厚度等工艺条件对晶花的形态的影响。关键词:结晶釉; ZnO-Al2O3-SiO2系统;烧结法。目 录摘 要IAbstractII第一章 引 言11.1 研究背景及意义11.2 微晶玻璃陶瓷复合板的发展历程21.2.1 国内外微晶玻璃的发展21.2.2微晶玻璃陶瓷复合板的发展历程51.3 微晶玻璃陶瓷复合板的特点及应用71.3.1 微晶玻璃陶瓷复合板的特性81.3.2 微晶玻璃陶瓷复合板的应用81.4 微晶玻璃陶瓷复合板简介91.4.1 结晶釉101.4.2 陶瓷基体111.4.3 微晶玻璃陶瓷复合装饰板的研究现状121.4.4
3、微晶玻璃陶瓷复合材料的研发方向131.5 微晶玻璃陶瓷复合板的制备原理 141.5.1 制备工艺151.5.2 结晶釉的析晶原理16第二章 实 验212.1 微晶玻璃陶瓷板样品的制备212.1.1 实验所用仪器212.1.2结晶釉配方的选择222.1.3 结晶釉配方的设计292.1.4 陶瓷坯体配方的设计292.2微晶玻璃陶瓷复合板制备工艺302.2.1釉料的熔制302.2.2晶化热处理制度的确定312.2.3实验方案332.3 测试方法352.3.1 热稳定性的测定352.3.2 硬度与耐磨性的测定36第3章 结果与讨论373.1 实验三种方案结果与讨论373.1.1方案(1)结果与讨论37
4、3.1.2方案(2)结果与讨论383.1.3方案(3)结果与讨论383.2 试样性能测试443.3 晶化保温时间的比较44第4章 结论45致 谢46参考文献47第一章 引 言1.1 研究背景及意义结晶釉成因是产品烧成过程中釉内的结晶物质熔融后处于饱和状态,在缓冷过程中析出美丽的晶花。釉中的晶粒为0.40.75m的结晶釉称微晶釉,釉中的晶粒为310m的称为无光,一般所称的结晶釉6系指釉中晶粒大到肉眼可见的釉。釉中晶体有呈星形、冰花、晶簇、晶球、扇形、松针形、雪花形以及花条,花网或纤维状等。它们可以是TiO2,TiO2SiO2晶体,2ZnOTiO2晶体,ZnO- TiO2SiO2以及Pb- ZnO
5、SiO2晶体等。但最多使用的还是硅锌矿与硅钛矿。结晶釉的晶体还可以用着色剂染成有色结晶,具有非常好的装饰效果。最常见结晶釉是锌结晶釉,它的结晶呈大型扇状。其结晶体是硅锌矿(2ZnOTiO2结)。釉料中ZnO用量为8-60%。ZnO与碱的比例在下列范围内对结晶最有利:0.30.6ZnO,0.7 0.4KNaO碱金属氧化物中Na2O比K2O更有利。Al2O3通常含量很低。硅酸钛(TiO2SiO2)与锌钛矿(ZnO- TiO2SiO2)容易形成小针状晶体。但数量极大釉好像无光。这两种晶体虽不如硅锌矿那样美丽,但容易析出,而且在控制烧成制度时也不像硅锌矿那样严格。这两种晶体还可以与硅锌矿在同一釉中发育
6、。结晶釉装饰瓷作为一种高档的装饰品已广为国内外用户的青睐。但由于其生产时需要急冷,对窑炉损坏严重、产品也容易炸裂、成品合格率低等缺点,导致价格一直高居不下, 成为其进入普通百姓家庭的最大障碍。本实验借鉴近几年兴起的烧结法制备微晶玻璃陶瓷复合板的技术通过改进工艺,采用烧结法制备结晶釉,将结晶釉装饰在陶瓷砖上,使陶瓷砖不仅高的光泽度、耐污性, 高强度 、高耐磨性等优点 ,又具有很好的装饰性,且易于工业化生产。1.2结晶釉的发展历史及简介1.2.1国内外结晶釉的发展1.4 结晶釉装饰陶瓷板的特点及应用1.5结晶釉装饰陶瓷板制备原理生产结晶釉有许多因素要考虑,但釉料的成份与烧成制度是关键。釉的成份及结
7、晶釉的结晶种类与其成核速度和晶体增长速度,釉的高温粘度,结晶形状与大小;烧成制度则涉及能否析晶,析晶形状与大小。斯达尔(Stull)指出:釉成分的R2O与RO中的低原子量氧化物,如Na,K,Mg,Ca,Mn,Fe,Zn的氧化物,使釉具有最强力的结晶倾向。而原子量较高的Ba与Pb等氧化物对结晶不利;构成釉的酸性成份且原子量较高的氧化物,如硅,钛,磷等氧化物是最好的晶化剂,而原子量低的硼氧化物则阻碍结晶。引入R2O3,在某些情况下对结晶有利,例如Bi2O3在碱釉中具有良好效果。但同时又对结晶不利,例如Al2O3。当RO例如与R2O 如碱性氧化物只有少数几种成份对结晶有利。从理论上说,RO+ R2O
8、组分愈复杂时结晶愈不利,因为这时趋向于形成玻璃体。按热力学观点,釉玻璃内能高于同成分有部分结晶的结晶釉内能。因此,釉熔体冷却都必然导致析晶,熔体能量和晶体的能量差越大,则析晶倾向越大,但从动力学观点看,由于冷却时熔体粘度增加很快,析晶所受阻力甚大,故釉熔体也可能不析晶而形成过冷液体。当然,在常温时固态玻璃的粘度极大,也不能析晶。一般析晶约在相应于粘度为左右温度范围内进行。析晶在冷却过程中。它包括晶核形成与晶核长大两阶段。这两个阶段的速度都是温度与粘度的函数。通常结晶釉的烧成制度是在1000以上快速降温,而在1000以下的析晶温度范围内最高晶体长大速度所对应的温度下保温时间,最后又快速冷却。结晶
9、釉的烧成工艺是保证结晶良好的关键。要根据结晶釉的配方,晶体大小要求以及窑炉结构的不同,经过试验制定适当的烧成制度。1.5.1 制备工艺结晶釉可以施在釉烧后的釉面上,然后再烧一次。也可施在素坯上,然后与坯一起烧成,为了防止坯中SiO2 与Al2O3过量溶于结晶釉中,宜设计釉的成熟温态低于坯23个锥号。结晶釉的厚度一般较厚(152 mm)。薄釉层对结晶的成长不利。施釉方法可用喷釉,涂釉,浇釉或侵釉等方法。喷釉时宜喷23次,以防坯体侵湿或釉剥落。此外,施釉时,制品上部的釉层应较下部厚些,制品器形也不要过分垂直,以免高温粘度小的结晶釉熔体流动过大,造成产品粘足等缺陷。烧结法12是使玻璃粉末产生颗粒粘结
10、,然后经过物质迁移使粉末产生强度并导致致密化和再结晶的过程,烧结的推动力是粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能。在这一过程中通常伴随着化学反应和相变的发生。烧结的目的是把粉状材料转变为块状材料,并赋予材料特有的性能。烧结得到的块体材料是一种多晶材料,其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。烧结直接影响显微结构中晶粒尺寸和分布、气孔大小形状和分布及晶界的体积分数等。在烧结过程中,粉末体经历了一系列的物理变化,主要可分为四个阶段,即粉粒间的初步粘结、烧结颈长大、孔隙通道闭合和孔隙球化。固相烧结分为烧结初期,烧结中期,烧结后期三个阶段,烧结初期,坯体间颗粒重排,接触处产生键合,大气孔消失,但固-气总表
11、面积变化不大;烧结中期传质开始,粒界增大,空隙进一步变形缩小,但仍然联通,形成隧道;烧结后期,传质继续进行,粒子长大,气孔变成孤立闭气孔,制品强度提高,密度达到理论值的95%以上。从材料动力学角度看,烧结过程的进行,依赖于基本动力学方程扩散,烧结中粉状物料间的种种变化,还会涉及到相变,固相反应等动力学过程,尽管烧结的进行在某些情况下并不依赖于相变和固相反应的进行。烧结是材料高温动力学中最复杂的动力学过程。传统的熔融法制备结晶釉存在一定的局限性,如玻璃熔制温度有限、热处理时间较长,而烧结法则有利于克服以上缺点。烧结法制备结晶釉的工艺流程如图1-1。 图1-1烧结法的优点首先在于不需要通过玻璃形成
12、阶段,对难形成玻璃系统和需高温熔炼的玻璃制品较为合适,而且它是通过表面或界面晶化而形成微晶玻璃,可不使用晶核剂。与相应的陶瓷材料相比,这类微晶玻璃具有气孔率低、强度高等优点。用该法制备的微晶玻璃中可存在含量较高的莫来石、氧化锆、尖晶石等耐高温晶相。将ZnO-A12O3-SiO2系统玻璃粉碎后混合烧结,形成微晶玻璃,耐高温达1250。此外,烧结法还有一个显著的特点,即玻璃经过水淬后,颗粒细小,表面积增加,比熔融法制得的玻璃更容易晶化,因而有时可以不使用晶核剂。所以,对于结晶困难的成份,可利用粉体的表面晶化倾向,通过烧结法提高烧结制品的晶化程度。此外,烧结工艺也常用来制备复相微晶玻璃。但相对熔融法
13、来说,烧结法制得的结晶釉易产生气孔,组织致密性较差。1.5.2 釉的析晶原理结晶釉中晶体是玻璃通过受控晶化而成的。玻璃的结晶过程一般包括两个步骤:晶核的形成和晶体的长大。因此,玻璃的结晶能力取决于晶核形成速率(单位体积内玻璃熔体在单位时间内形成的晶核数目)和晶核生长速率(单位时间内成长的晶体长度)13。1.5.2.1 晶核的形成 成核过程分为均匀成核和非均匀成核。所谓均匀成核是指晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处相同,而非均匀成核是借助于表面、截面、微裂纹等而形成晶核。在结晶釉的生产中,晶核形成过程一般属于非均匀成核14。当温度降低,分子运动减弱,能量低的质点逐渐增加,热运动最弱的那些质点碰
14、到一起就可能首先形成新晶相,导致体积自由焙Gv减少。但在新晶相产生的同时,新相与液相之间形成新的界面,引起了表面自由能Gs增加。系统总的自由焓G变化是两者之和: G = Gv + Gs如图1-3所示。设形成的晶核呈球形,其半径为r,则体系自由焓变化为: G =4/3r3gv + 4r3LS (1-1)式中 ,gv单位体积的自由焓变化LS新相与熔体之间的表面张力由式 (2-1),可以求得临界半径为r, r = - 2LS / gv (1-2)将 (2-2)代入(2-1),得临界半径晶核形成时体系的自由焓变化为: G =16LS3 /3(gv)2 (1-3)临界核半径r和熔体过冷度T有关。随着过冷
15、度T增大,r将变小。根据公式 gv=H(T熔 -T)/ T熔 =H.T/T熔 (1-4)从以上式中可以看出在T熔温度下是不能形成稳定晶核的,当T值加大时,gv绝对值加大,形成的临界半径r减小。另外,只有当rr时,晶核的长大使G降低,新相才有可能稳定成长;rr时,晶核可能长大也可能溶解;当rr时,晶粒长大的几率极小。所以,晶核形成稳定的条件为:rr;T晶核T熔 ;热起伏能量达到G值。 图1-2 晶体生长与含之间的关系 非均匀成核的理论是在微晶玻璃的研制过程中发展起来的,它反过来对微晶玻璃的发展起着指导作用。晶核在熔体和杂质(或二液相)界面上形成所增加的表面能比在熔体中形成时所增加的小。因此,非均
16、匀成核所需要克服的势垒比均匀成核要小。在微晶玻璃的生产中,为了使玻璃中产生数量巨大的晶核,常常需要加入晶核剂。而本次研究以烧结法为结晶釉的制备技术,可以不用添加晶核剂。1.5.2.2 晶核的生长 当稳定的晶核形成后,在一定过冷度的条件下,晶体要生长,其速率取决于原子从熔体中向晶核界面扩散和反方向扩散之差。由于晶体长大过程中要克服势垒,非均匀成核比均匀成核小得多,因此在较小的过冷度的情况下,就已经具备了晶体长大的必要条件。玻璃析晶机理15一般有两类:晶核剂诱导析晶,即在微晶玻璃中晶核剂自身成核作为结晶中心而诱导析晶;中间相诱导析晶,即晶核剂在玻璃核化与晶化部分过程中已经与其中的组分形成了中间相,
17、以此作为结晶中心而诱导析晶。晶体生长是界面移动的结果,生长速率与界面结构及原子的迁移密切相关。晶体中的界面有共格、半共格和非共格等形式,其原子排列界面能大小各不相同。当析出的晶体与母相组成相同时,界面附近的质点只需通过界面跃迁就可以附着在晶体表面,因此,晶体生长由界面控制。当析出的晶体与母相的组成不同时,构成晶体的组分必须在母相中长距离迁移到达新相-母相界面,再通过界面跃迁才能附着于新相表面,因此晶体生长由扩散控制。在实际结晶釉生产过程中,析出的晶体于母相组成都大不相同。结晶形成热量容易被导走,因而,随温度降低,结晶速率增加。但是随着温度的进一步降低,黏度却迅速增大,当温度降低到一定程度,结晶
18、速率又减慢。所以在某一温度下,结晶速率达到一个极大值。晶体生长的极大值所处的温度通常高于成核极大值所处的温度。所以,晶核只能在成核速率较低的温度下生长成核。当玻璃中有大量的晶核均匀的生成后,再升高温度至晶体生长速率极大值点附近温度进行保温处理,这样就可以在玻璃中生长出大量均匀的微小晶体。图1- 3结晶釉陶瓷板的理想热处理制度第二章 实 验2.1 结晶釉样品的制备 2.1.1 实验所用仪器本实验制备基础玻璃所用仪器和设备如下:(1) 熔化设备:全纤维快速升温电阻炉电炉主要技术参数:型号:SX-12-16 电压:380V 功率:12KW 炉膛尺寸:250450100mm 最高使用温度:1600温控
19、主要技术参数: 额定电压:380V 电源频率:50HZ控温范围:01600 (2) HV5小负荷维氏硬度计 (3)MP200A型电子天平主要技术参数: 最大称量:200g 精度:0.001g 电源电压:220V 电源频率:50HZ (4)其它 素坯体若干个 200目标准筛一个 研钵1个 烧杯200ml若干个 氧化铝球磨罐1个 2.1.2结晶釉配方的选择本实验采用的是硅酸锌以结晶釉,以氧化锌为结晶剂。硅酸锌结晶釉的特点硅酸锌结晶釉是一种以氧化锌为结晶剂,在一定的烧成制度下形成结晶的艺术釉 ,其结晶矿物是硅锌矿,具有结晶性能好、 有良好晶态、晶花呈大型扇形纹样等特点。硅酸锌结晶釉在高温下粘度较小,
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