第六章-工艺集成选编课件.ppt

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1、工艺集成 Process Integration,大规模集成电路制造工艺,工艺集成,2,集成电路的工艺集成：运用各类单项工艺技术（外延、氧化、气相沉积、光刻、扩散、离子注入、刻蚀以及金属化等工艺）形成电路结构的制造过程。,薄膜形成,光刻,掺杂、刻蚀,工艺集成,3,形成薄膜：化学反应，PVD，CVD，旋涂，电镀；光刻：实现图形的过渡转移；改变薄膜：注入，扩散，退火；,刻蚀：最后图形的转移；,器件的制备：各种工艺的集成 MOS，CMOS，BJT，MESFET，BiCMOS，,工艺目的：,工艺的选择,4,工艺条件：温度,压强,时间,功率,剂量,气体流量,工艺参数：厚度,介电常数,应力,浓度,速度,器

2、件参数：阈值电压,击穿电压,漏电流,增益,工艺的限制,5,MOS：阈值电压束缚了氧化层厚度；BJT：电流增益束缚了基区宽度；内连线：RC延迟束缚了电阻率；,Al的存在限制了工艺温度；刻蚀的选择比限制了材料的选择；,器件特性要求对工艺的限制：,工艺兼容性的限制：,集成电路中器件的隔离,6,由于MOSFET的源、漏与衬底的导电类型不同，所以本身就是被PN结所隔离，即自隔离(self-isolated)；,MOSFET晶体管是自隔离，可有较高的密度，但邻近的器件会有寄生效应；,LOCOS 隔离,7,希望场区的VT大,保证寄生MOSFET的电流小于1pA；,增加场区VT 的方法:场氧化层增厚:栅氧化层

3、的7-10倍；增加场氧化区下面掺杂浓度(Channel-Stop Implant，沟道阻断注入)；,LOCOS隔离工艺,8,LOCOS隔离工艺,9,改进的LOCOS工艺 PBL:polybuffered LOCOS,10,在LPCVD Si3N4前,先淀积一层多晶硅,让多晶硅消耗场氧化时横向扩散的O2。鸟嘴可减小至0.1-0.2um。,浅阱隔离(Shallow Trench Isolation),11,与LOCOS相比，STI尺寸按比例缩小更容易！,MESFET器件制备工艺流程,12,GaAs优点：电子迁移率高；更高的饱和漂移速度；衬底可以实现半绝缘；,GaAs缺点：体缺陷多；少子寿命短；氧化

4、物质量差；,光刻胶,外延生长n型有源层；外延生长n+接触层；,Mask#1 刻蚀形成隔离,MESFET器件制备工艺流程,13,Mask#2 形成源漏欧姆接触,金属蒸发沉积,Lift-off工艺形 成金属图形；蒸发沉积金属；,Mask#3 刻蚀n+层GaAs，源漏间形成断路；,光刻胶,光刻胶,光刻胶,MESFET器件制备工艺流程,14,Mask#4 将沟道区刻薄；定义栅极图形；,金属蒸发沉积,光刻胶,光刻胶,Lift-off工艺形成栅电极,npn型BJT器件制备工艺流程,15,npn BJT：基区为p型半导体，少数载流子为电子，具有更高的迁移率，器件工作速度更快；,横向隔离用SiO2，相对于pn

5、结隔离，寄生电容更小；纵向利用n+p结隔离；n+埋层，也可以减少集电极的串联电阻；,npn型BJT器件制备工艺流程,16,Mask#1 定义埋层注入区,杂质注入+扩散；n型外延层生长，避免埋层杂质扩散；,npn型BJT器件制备工艺流程,17,Mask#2 形成隔离,减压SiO2生长；Si3N4沉积；硅阱刻蚀；沟道阻挡离子注入；,隔离SiO2形成；Si3N4去除；,npn型BJT器件制备工艺流程,18,Mask#3 基区注入掺杂,Mask#4 薄氧化层刻蚀,Mask#5 基区接触p+注入掺杂,npn型BJT器件制备工艺流程,19,n+发射极/集电极接触区,P/As离子注入,Mask#6 发射极注

6、入；集电极金属接触区注入；低能量，高剂量注入；,绝缘层,npn型BJT器件制备工艺流程,20,PECVD SiNx 钝化层,内连金属,纵向npnBJT,Mask#7 开接触孔；,Mask#8 形成金属电极；,8次光刻5次注入7次成膜5次刻蚀,p+,n+,n+,n+,NMOS制备工艺流程,21,Mask#1 定义有源区,(沟道阻止注入),NMOS制备工艺流程,22,LOCOS隔离,去除Si3N4；去除压力释放氧化层；,NMOS制备工艺流程,23,多晶硅,栅氧化层,自对准源/漏/栅注入,源漏,沟道,栅,开栅接触孔 多晶硅区,栅氧化层生长；多晶硅层沉积；,Mask#2 形成栅极,NMOS制备工艺流程

7、,24,内连金属(Al-Si-Cu),内连绝缘层,接触孔,Mask#3 开接触孔；,Mask#4 形成金属电极,金属半导体,NMOS制备工艺流程,25,源漏接触,外联接触,钝化层PECVD SiNx,Mask#5 开外联接触窗口,基于LOCOS的CMOS工艺,26,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,CMOS集成电路制造工艺I,27,技术特点：LOCOS隔离工艺；平坦化层：PSG，re-flow at 1100oCAl-Si金属作为内联金属；最小图形尺寸：30.8um,P型基片,基于LOCOS的CMOS工艺,28,29,释放压力氧化层,P型基片,生长释放压力氧化

8、層,P型基片,氮化硅,LPCVD沉积氮化硅,30,P型基片,光刻胶,氮化硅,光刻胶旋涂,31,Mask#1,LOCOS隔离,32,P型基片,光刻胶,氮化硅,Mask#1,LOCOS隔离,33,P型基片,光刻胶,氮化硅,对准和曝光,34,氮化硅,P型基片,光刻胶,显影,35,氮化硅,P型基片,光刻胶,刻蚀氮化硅,36,氮化硅,P型基片,去除光刻胶,37,氮化硅,P型基片,p+,p+,沟道阻止注入,38,P型基片,氮化硅,p+,p+,SiO2,氧化形成LOCOS,39,P型基片,p+,p+,SiO2,去除氮化硅/压力释放氧化硅，清洗,40,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,生长遮蔽氧化层,41

9、,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,光刻胶旋涂,42,Mask#2,N型阱区,43,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,Mask#2,N型阱区,44,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,曝光,45,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,显影,46,磷离子注入,光刻胶,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,N型阱区,N型阱区注入（预沉积）,47,P型基片,p+,p+,p+,SiO2,N型阱区,去除光刻胶,48,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,N型阱区驱入（Drive-in）,49,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,去除遮蔽氧化层,50,P

10、型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,生长栅极氧化层,51,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,栅极氧化层,沉积多晶硅,52,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,光刻胶旋涂,53,Mask#3，栅极图形,54,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,多晶硅,Mask#3，栅极图形,55,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,曝光,56,多晶硅,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,显影,57,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,光刻胶,多晶硅栅极,刻蚀多晶硅,光刻胶,58,多晶硅栅极,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,去除光刻胶,5

11、9,多晶硅栅极,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,光刻胶旋涂,60,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,Mask#4 NMOS源漏注入,61,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,曝光,62,光刻胶,P型基片,p+,p+,N型阱,SiO2,显影,63,P型基片,p+,p+,SiO2,磷/砷离子注入,NMOS源漏栅自对准注入,64,65,P型基片,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,P型基片,p+,p+,SiO2,光刻胶旋涂,66,P型基片,p+,p+,SiO2,Mask#5 PMOS源漏注入,67,P型基片,p+,p+,N型阱区,SiO2,显影,68,硼离子注

12、入,P型基片,p+,p+,SiO2,P型源漏栅自对准注入,69,P型基片,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,70,p+,p+,P型基片,SiO2,n+,n+,p+,p+,退火,71,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,LPCVD氮化硅阻挡层沉积,72,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,CVD沉积PSG/BPSG,73,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,PSG Re-Flow,74,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,光刻胶旋涂,75,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,Mask#6 形成接触孔,76,BPSG

13、,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,显影,77,PSG,p+,p+,SiO2,n+,n+,p+,p+,接触孔刻蚀,78,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,79,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,金属沉积,80,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,光刻胶旋涂,81,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,Mask#7 形成金属连线,82,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,显影,83,AlCuSi,BPSG,p+,p+,n+,n

14、+,p+,p+,SiO2,金属刻蚀,84,AlCuSi,PSG,p+,p+,n+,n+,p+,p+,SiO2,去除光刻胶,85,CMOS集成电路制造II,86,技术特点：消除单晶硅衬底内氧杂质的影响，外延生长器件层；STI绝缘替代LOCOS绝缘；引入LDD结构减小热载流子效应利用金属硅化物减小寄生电阻；利用BPSG作为金属前电介质;RTA活化注入杂质；最小图形尺寸：0.80.13um,P型硅衬底准备,P型硅衬底,轻掺杂外延生长,p-硅外延层,P型硅衬底,89,Mask#1:N型阱区,N型阱区注入,p-外延层,P型衬底,光刻胶,N型阱区,磷离子,Mask#2:P型阱区,92,P型阱区注入,硼离子

15、,P型阱区,N型阱区,光刻胶,93,杂质扩散,N型阱区,P型阱区,94,生长氧化层,LPCVD 沉积氮化硅,N型阱区,P型阱区,氮化硅,95,Mask#3:浅沟槽绝缘(STI),刻蚀沟槽,N型阱,P型阱,氮化硅,氮化硅,97,HDP-CVD 沉积USG 填充沟道,N型阱,P型阱,氮化硅,氮化硅,USG,USG,98,CMP USG,停止于氮化硅层,N型阱,P型阱,Nitride,Nitride,USG,99,去除氧化硅/氮化硅,N型阱,P型阱,USG,STI,100,Mask#4:NMOS沟道 VT 调整掺杂,101,光刻胶,磷离子,N型阱,P型阱,USG,STI,NMOS沟道 VT 调整掺杂

16、,102,Mask#5:PMOS沟道 VT 调整掺杂,103,光刻胶,硼离子,N型阱,P型阱,STI,USG,PMOS沟道 VT 调整掺杂,104,热氧化层生长/多晶硅沉积,多晶硅,N型阱,P型阱,STI,USG,105,Mask#6:栅极(俯视图),106,刻蚀多晶硅,多晶硅栅极,N型阱,P型阱,STI,USG,光刻胶,栅极氧化层,107,Mask#7:NMOS LDD掺杂,108,NMOS LDD掺杂,光刻胶,砷离子,N型阱,P型阱,USG,STI,109,Mask#8:PMOS LDD掺杂,110,PMOS LDD掺杂,BF2+,光刻胶,BF2+离子,N型阱,P型阱,STI,USG,11

17、1,侧壁层(Spacer),栅极氧化层,n,-,LDD,n,-,LDD,侧壁层,侧壁层,多晶硅栅极,多晶硅栅极,栅极氧化层,n,-,LDD,n,-,LDD,112,Mask#9:NMOS源漏注入,113,NMOS源漏注入,光刻胶,磷离子,N型阱,P型阱,n+,n+,STI,p-,p-,USG,114,Mask#9:PMOS 源漏注入,115,PMOS 源漏注入,光刻胶,硼离子,N型阱,P型阱,n+,n+,STI,p+,p+,USG,116,金属硅化物制备,多晶硅栅极,侧壁层,侧壁层,栅极氧化层,n,-,n,-,n,+,n,+,Ar,+,Ar,+,Ti,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+

18、,TiSi,2,TiSi,2,Ti,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+,TiSi,2,TiSi,2,多晶硅栅极,n,-,n,-,n,+,n,+,117,BPSG沉积/回流(Re-Flow),n+,n+,p+,p+,STI,USG,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,BPSG,118,Mask#10:接触孔,119,接触孔刻蚀,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,120,CVD钨沉积,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,钨,钛/氮化钛,121,金属沉积,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,US

19、G,铝铜合金,钛,TiN ARC,W,122,Mask#11:金属1连线,123,金属刻蚀,P-型外延层,P型晶圆衬底,N型阱,P型阱,BPSG,n+,n+,p+,p+,STI,USG,钛,TiN ARC,W,铝铜合金,124,P-型硅外延层,P型晶圆,金属3,铝铜 合金,IMD 3,USG,金属 4,铝铜,USG,氮化硅,铝铜 合金,N型阱,P型阱,BPSG,n,+,n,+,p,+,p,+,STI,USG,W,铝铜 合金,USG,M1,M2,铝铜,USG,W,IMD 1,IMD 2,TiSi2,多晶硅,Ti,TiN ARC,W,Ti/TiN,Ti/TiN,侧壁层,USG,PMD 阻挡层,氮化

20、硅,IMD 3,钝化层 1,钝化层2,PMD,CMOS截面,CMOS集成电路制造III,125,技术特点：使用SOI和STI技术；利用铜连接和低介电常数介电质，减少RC延迟；使用金属CMP代替金属刻蚀；图形最小尺寸：0.13um,126,裸晶圆,P型晶圆,127,大电流氧离子注入,P型晶圆,氧离子,O+,128,氧化退火,P型晶圆,深埋 SiO2 层,129,晶圓清洗去除表面自然氧化层,P型晶圆,深埋 SiO2 层,130,外延层沉积,P型外延层,131,晶圓清洗,P型外延层,132,压力释放氧化层生长,P型晶圆,深埋 SiO2 层,P型外延层,133,LPCVD 氮化硅沉积,P型晶圆,深埋

21、SiO2 层,P型外延层,氮化硅,134,旋涂光刻胶,P型外延层,光刻胶,氮化硅,135,Mask#1:浅沟槽隔离(STI),136,对准和曝光,P型外延层,光刻胶,氮化硅,137,显影,P型外延层,光刻胶,氮化硅,138,氮化硅/氧化硅刻蚀,P型外延层,光刻胶,氮化硅,139,去除光刻胶,P型外延层,氮化硅,140,刻蚀硅,P型外延层,氮化硅,P型外延层,141,晶圓清洗,P型外延层,氮化硅,P型外延层,142,P型外延层,P型外延层,保护氧化层生长,氮化硅,143,P型外延层,P型外延层,未掺杂氧化层沉积（undoped silicate glass,USG),氮化硅,USG,USG,14

22、4,P型外延层,P型外延层,CMP刻蚀USG,氮化硅,USG,USG,145,P型外延层,P型外延层,去除氮化硅,USG,USG,146,P型多晶硅,P型多晶硅,去除释放压力氧化层,USG,USG,STI,147,P型外延层,P型外延层,牺牲氧化层生长,USG,USG,STI,148,P型外延层,P型外延层,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,光刻胶,149,Mask#2:N-型阱,150,P型外延层,P型外延层,曝光,USG,USG,STI,光阻,151,P型外延层,P型外延层,显影,USG,USG,STI,光刻胶,152,P型外延层,N-型阱注入,P型晶圓,USG,USG,STI,光刻胶,

23、N型阱区,磷离子,P+,不同能量，多次注入，形成均匀分布,153,P型外延层,PMOS VT 调整注入,USG,USG,STI,光刻胶,N型阱区,硼离子,B+,利用同一次光刻形成图形,154,P型外延层,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱区,155,P型外延层,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱区,光刻胶,156,Mask#3:P型阱,157,P型外延层,曝光,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,158,P型外延层,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,159,P型阱,P-型阱注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,硼离子,B+,多次不同能量注入形成均匀分布,

24、160,P型阱,NMOS VT 调整注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,磷离子,P+,161,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,162,P型阱,去除牺牲氧化层,USG,USG,STI,N型阱,163,P型阱,晶圓清洗,USG,USG,STI,N型阱,164,P型阱,生长栅极氧化层,USG,USG,STI,N型阱,165,P型阱,LPCVD 沉积非晶硅,USG,STI,N型阱,非晶硅,栅极氧化层,USG,非晶硅相对于多晶硅表面更加平整,166,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,167,Mask#4,栅极和局部互联,168,P型阱,曝光

25、,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,169,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,刻胶,170,P型阱,非晶硅刻蚀,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,光刻胶,栅极氧化层,171,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,非晶硅,172,P型阱,非晶硅退火,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,173,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,多晶硅,174,Mask#5,NMOS LDD 注入,175,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,176,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,17

26、7,P型阱,NMOS LDD 注入,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,锑离子,Sb+,178,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,179,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,180,Mask#6:PMOS LDD 注入,181,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,182,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,183,P型阱,PMOS LDD 注入,USG,USG,STI,N型阱,多晶硅,光刻胶,BF2+,184,P型阱,去除光刻胶,USG,USG,STI,N型阱,185,P型阱,氧化硅氮化硅

27、沉积,USG,USG,STI,N型阱,186,P型阱,氮化硅/氧化硅刻蚀,USG,USG,STI,N型阱,侧壁层(spacer),多晶硅栅极,187,P型阱,光刻胶旋涂,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,188,Mask#7,NMOS S/D 注入,189,P型阱,曝光,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,190,P型阱,显影,USG,USG,STI,N型阱,光刻胶,191,P型阱,NMOS S/D注入,USG,N型阱,光刻胶,STI,USG,砷离子,As+,192,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,193,P型阱,涂胶,USG,N型阱,STI,USG,

28、n+,n+,光刻胶,194,Mask#8,PMOS S/D注入,195,P型阱,曝光,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,196,P型阱,显影,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,197,P型阱,PMOS S/D注入,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,光刻胶,硼离子,B+,198,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,199,P型阱,RTA退火,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,200,P型阱,氩离子溅射刻蚀,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,去除表面自然氧化层,201,

29、P型阱,钴(Co)和TiN沉积,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴,氮化钛,TiN 保护Co不被氧化,202,P型阱,RTA退火,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴硅化物(CoSi2),钴,氮化钛,203,P型阱,去除TiN，Co,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,钴硅化物(CoSi2),204,P型阱,PECVD 沉积氮化硅,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,小尺寸器件下，热预算的要求不能使用LPCVD氮化硅,205,P型阱,沉积PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,

30、PECVD 氮化硅用来阻止P的扩散,206,P型阱,CMP刻蚀PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,207,P型阱,光刻胶旋涂,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,208,Mask#9,接触孔,209,P型阱,曝光,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,210,P型阱,显影,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,211,P型阱,刻蚀PSG,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,光刻胶,212,P型阱,去除光刻胶,USG,N型阱,ST

31、I,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,213,P型井區,氩离子溅射刻蚀,P型晶圓,深埋 SiO2 層,USG,N型井區,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,清洁表面,214,P型阱,Ti/TiN溅射沉积,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,Ti/氮化钛附着层/阻挡层,215,钨,P型阱,CVD沉积钨（W),USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,Tungsten,W,CVD沉积具有良好的太阶覆盖性和填空性能,216,P型阱,CMP金属刻蚀,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,217,PEC

32、VD 沉积SiC密封层,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SiC致密性高，可以阻止Cu扩散；SiC的介电常数:4-5，SiNx的介电常数:7-8;,218,SOD旋涂,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD：spin-on-dielectric,219,SOD 烘烤硬化,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,220,PECVD 沉积SiC刻蚀停止层,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,221,

33、SOD 旋涂及硬化,SOD,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,222,沉积 PE-TEOS 覆盖层,SOD,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD具有吸水性,223,光刻胶旋涂,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,224,Mask#10,金属接触孔1,225,曝光,SOD,SOD,光刻胶,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,226,显影,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,

34、n+,p+,p+,PSG,钨,钨,227,刻蚀PE-TEOS和SOD,并在SiC层停止,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,228,去除光刻胶,SOD,SOD,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,229,光刻胶旋涂,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,230,Mask#11,金属沟槽 1,231,對準和曝光,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,232,显影,SOD,SOD,光刻胶,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,

35、PSG,233,沟槽刻蚀,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,SOD,光刻胶,234,去除光刻胶,SOD,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,235,氩离子刻蚀清洁,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,236,PVD沉积钽和氮化钽阻挡层,SOD,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,钽和氮化钽：阻挡铜的扩散,237,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,PVD 沉积Cu 籽晶层,SOD,SOD,238,铜电镀沉积

36、,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,SOD,239,銅退火,P型阱,USG,N型阱,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,钨,钨,SOD,SOD,250oC,减小电阻,240,CMP金属刻蚀,USG,STI,USG,n+,n+,p+,p+,PSG,SOD,SOD,241,切割，测试，封装,242,Good Luck！,人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操，给我们巨大的精神力量，鼓舞我们前进。,