ZnO材料的理论模拟计算毕业论文.doc
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1、摘 要本文采用基于密度泛函理论的第一性原理模拟计算方法,并结合平面波赝势方法,运用VASP软件包首先分为四个步骤优化了ZnO材料结构:(1)截断能的优化;(2)SIGMA的优化;(3)K格点的优化;(4)晶格常数的优化。为了优化原子位置,我们运用扫描法,得到一个关于晶格常数比c/a和晶格常数a的势能面,而扫描势能面的最低点即与最稳定结构对应。对比五种赝势计算结果,选取和实验值最为接近优化值c/a是1.6256的USPP泛函和PW91赝势进行ZnO纤锌矿结构的后续计算。并在此基础上,对ZnO纤锌矿结构的弹性常数、能带结构、态密度等性质做了计算,并与前人的结果对比分析讨论。本论文的重点是ZnO材料
2、三相之间相变关系的研究。鉴于WZ相到RS相的相变势垒、相变压强以及相变路径都有比较详细而具体的结果,而关于ZnO材料的WZ相到ZB相以及ZB相到RS相的相变情况的研究尚未见报道,又因为其他材料(CdSe,ZnS,SiC,InP)从ZB相到RS相的相变情况也已经有人研究过,相变势垒、相变路径以及原子的移动都给出了明确结果,并发现ZB相相变至RS相过程中存在一个中间TS相,唯独WZ相和ZB相之间的相变关系尚无报道,因此本文主要针对WZ相和ZB相之间的相变关系作了深入探讨,并给出了比较可能的相变路径(原子移动方向)和相变势垒(0.19eV/pair),把相变势垒与从WZ结构到RS结构的相变势垒(0.
3、15eV/pair)相比,相差仅为0.04eV/pair;而与GaN材料的相变势垒(0.26 eV/pair)相比,更是低了很多。所以WZ相和ZB相之间的相变,从相变势垒角度来分析是有可能发生的,而对于为什么在实验上没有观察到这两相之间的相变,本文对此解释体系缺乏相变驱动力,并且进一步分别讨论了采取升高温度或者外加压力以提供相变驱动力,也都不能促使相变现象的发生,这在一定程度上解释了WZ相和ZB相之间不能发生相变的原因。关键词:ZnO材料,ASP软件,纤锌矿结构性质,相变关系 AbstractFirst principles calculations and the plane-wave me
4、thod are carried to study the structural stability of wurtzite ZnO by optimizing the , the SIGMA, the K grid, and the lattice constant step by step. To optimize the atomic position, we use scanning methods to get a potential energy surface about the lattice constants c/a and a. The lowest point of t
5、he potential energy surface corresponds to the most stable structure, where the lattice constants ratio c/a is 1.6256. Comparing the five pseudopotential, the USPP functional and the PW91 pseudopotential were selected to the following calculations of the WZ ZnO. Based on the above calculations, we s
6、tudy the elastic constants, the band structure and the density of states etc material properties, and analysis and discuss them by comparing with the results of previous.The study of three-phase relationship between the phase transition were our main works. We focus on the transformation from WZ to
7、ZB, because there have been already existed the phase transition barrier, the transition pressure and the transformation path from WZ to RS of ZnO, at the same time the phase transition barrier and the transformation path from ZB to RS of CdSe,ZnS,SiC,InP etc were studied and reported, further more
8、a mesophase was discovered between ZB and RS. This article showed the transformation path from ZB to WZ, and the phase transition barrier. The energy barrier was calculated for homogeneous transformation for different ZnO transformation pathways. From all the transformation pathways, a most probable
9、 pathway is proposed whose energy barrier (0.19eV/pair) is lower than any other pathway. Compared with the energy barrier between wurtzite and rock salt ( 0.15eV/pair ), the energy barrier in this work is not obvious difference from it. Furthermore, compared with the energy barrier of GaN(0.26 eV/pa
10、ir), the energy barrier in this work is obvious lower than it. Therefore, it is possible to transfer from zinc-blende to wurtzite with respect to the energy barrier. This work accounts forwhy it is impossible to transfomate directly between wurtzite and zinc blende in thermodynamic aspect and dynami
11、cal aspect, just because of lacking of phase transformation driving force. Key words: ZnO material; VASP software; wurtzite structure properties; three-phase relationship 毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得 及其它
12、教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体,均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作 者 签 名: 日 期: 指导教师签名: 日期: 使用授权说明本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定,即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本;学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名: 日 期: 学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。
13、除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名: 日期: 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名:日期: 年 月 日导师签名: 日期: 年 月 日目录中
14、文摘要v英文摘要vv第一章:绪论1.1 ZnO的基本结构及基本特性11.2 国内外研究的现况及存在的问题31.3 材料计算与材料设计41.3.1 材料设计发展状况41.3.2 材料设计中的模拟计算51.4 本课题的研究意义、思路方法、内容7第二章:VASP软件模拟理论2.1 VASP软件介绍 82.2 密度泛函基础理论与计算方法92.2.1 多电子体系的薛定谔方程10 2.2.1.1 非相对论近似112.2.1.2 近似112.2.1.3 轨道近似122.2.2 密度泛涵理论122.2.3 赝势平面波172.2.4 交换关联能函数近似202.2.4.1 局域密度近似(LDA)212.2.4.2
15、 广义梯度近似(GGA)21第三章:理想ZnO电子结构及性质的计算3.1 结构优化23 3.1.1 截断能的优化23 3.1.2 SIGMA的优化24 3.1.3 K格点的优化253.1.4 晶格常数的优化263.2 弹性常数的计算28 3.2.1 计算原理28 3.2.2 具体计算过程29 3.2.3 计算结果303.2 能带结构的计算313.3 态密度的计算32第四章:ZnO三相之间的相变关系4.1 三相基本结构364.2 WZ相-RS相之间的相变研究364.3 ZB相-RS相之间的相变研究374.4 WZ相-ZB相之间的相变研究38第五章:工作总结与展望42致谢44硕士期间发表的论文45
16、参考文献45第一章 绪论1.1 ZnO材料的基本结构及基本特性氧化锌(ZnO)材料是光电和压电相结合的II-VI族宽带隙的直接禁带半导体材料,与GaN等其它光电子材料相比,具有低介电常量、大光电耦合率、高的化学稳定性以及优良的压电、光电特性,在光学、热能、电子工业、催化剂、光电子1,2、量子设备3,4以及太阳能电池5等方面都具有广泛的应用前景。在自然条件下的结晶态,ZnO材料有三种晶体结构6,7:六角纤锌矿结构wurtzite(简称WZ,B4,P63mc),闪锌矿结构zincblende(简称ZB,B3,F43m),岩盐结构 rocksalt(简称RS,B1,Fm3m)。稳定的闪锌矿结构只能在
17、特殊的条件下,在立方型衬底材料上生长而成6;岩盐结构岩盐结构可以在8-10Gpa的压力下从纤锌矿相变而来8,9,近邻原子数由4增加到6,体积也相应的缩小了17%10;在室温下ZnO最稳定的结构是六方纤锌矿结构,三种晶体结构如图1-111所示。图1-1. ZnO的三种晶体结构图:(a)纤锌矿结构;(b)闪锌矿结构;(c)岩盐结构,其中黑色是氧原子,灰色的是锌原子纤锌矿中Zn原子与O原子均是六角密堆积套构而成,如图1-2(a)所示,其中纤锌矿结构原子坐标是(0,0,u), (u),其中 u(O)=0, u(Zn)= 。纤锌矿结构的晶格常数为,a=b=0.520661nm,其中c/a为1.602,比
18、理想的六角密堆积结构的1.633稍小。常温下其禁带宽度是3.73eV,激子束缚能高达60meV,是典型的宽带隙的直接禁带半导体材料。纤锌矿结构是由O-Zn对原子层堆积两层所得到,即所谓ABABAB堆垛结构;而把属于立方晶系的闪锌矿结构按照六方晶系画出,闪锌矿结构单胞画成六角晶系后形式如图1-2(b)所示,六角晶系的闪锌矿结构原子坐标是(u), (,),(,),其中 u(O)=0, u(Zn)= , , , , 。六角晶系下的闪锌矿结构是由O-Zn对原子层堆积三层所得到,即所谓ABCABCABC堆垛结构。这也正是在我们在相变研究过程中研究体系选取时,要选取113的纤锌矿超晶胞和112的闪锌矿超晶
19、胞的原因,这个在第四章将会详细介绍。图1-2.(a)为纤锌矿结构,(b)为六角晶系下闪锌矿结构的三维单胞图表1-1列出了ZnO材料纤锌矿最基本的物理参数12-13,尽管某些值仍然存在一定的不确定,但所列出的数据已经表明ZnO材料是一种具有巨大应用前景的光电子材料。表1-1 纤锌矿ZnO基本参数属性典型值c00.52069nma00.32495nma0/c01.602(理想的六角密堆积结构为1.633)u0.345熔点1975热导率0.6,1-1.2密度5.606/cm3线性膨胀系数(/)a0:6.5106c0:3.0106反射系数2.008,2.029表1-1 纤锌矿ZnO基本参数(续)带隙(
20、Eg)3.37Ev(直接禁带)本证载流子浓度最大P型掺杂1017cm31020cm3静态介电常数8.656电子有效质量0.24霍尔有效质量(低阻n型)0.59电子霍尔迁移率(300K)200cm2/Vs极子束缚能60meV空穴霍尔迁移率(300K)5-50cm2/Vs1.2研究背景以及存在的问题1994年,在GaN及相关族氮化物的研究中,日本科学家成功开发出GaN蓝光二极管和激光二极管14,其工作性能非常好。然而GaN材料存在自身的不足:成本高、需要蓝宝石衬底、高温制备、腐蚀工艺复杂困难,这些不足大大制约了GaN器件的广泛应用。与GaN材料相比,ZnO材料有着相似的工作性能,然而价格低廉、衬底
21、要求不高、制备方法简单等优势,因此引起了人们的注意。尤其是在1996年的时候,由等人在实验上成功地获得的氧化锌半导体材料微晶薄膜的紫外激光,这个激光的泵浦源是选取的He-Cd激光器15,其输出的激光波长大小是325nm,此激光器的输出功率大小是40mW,这一突破性的应用技术迅速在全世界范围内掀起了对半导体激光器件各种全面研究的新热潮。目前对ZnO材料的研究主要分为理论研究和实验研究,而ZnO材料的理论研究又可以分为材料性质16-26、缺陷掺杂27-45、相变46-58 、纳米管59-69和磁性材料等这几个方面的研究。在材料性质这方面的研究,上世纪八九十年代做的工作较多,目前对ZnO材料的性质,
22、包括材料晶格常数、态密度、能带结构和弹性常数等,基本上已经完善,其中结合能的计算较少。关于缺陷掺杂方面的研究,因为一般情况下的ZnO材料由于氧填隙(V0)和锌填隙(Zni)等本征缺陷的存在使得ZnO在自然条件下呈现n型半导体,所以n型掺杂较容易实现,目前人们通过掺杂族元素己经获得了具有较好电学性能的n 型ZnO;而P型掺杂会使马德隆能增加,同时,宽禁带半导体材料自身具有严重的自补偿效应,所以p型掺杂较难实现。因此目前许多研究小组从理论和实验两方面对p型掺杂进行深入研究。因为近年来ZnO材料在光电领域的应用引起了人们很大的关注,而ZnO材料在光电领域的应用依赖于高质量的n型和p型材料的制备。因此
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