氢键效应和溶剂效应氢键与化学位移课件.ppt
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1、1,上节课回顾,1.核磁共振的基本原理 2.核磁共振仪与实验方法,2,具有磁矩的原子核在静磁场强度为B0的外加磁场中产生能级分裂,相邻能级之间的能量差为:E=h B0/2 当外加交变磁场的能量(频率)与以上能量匹配时,原子核发生跃迁,称为核磁共振。E=h v射=h B0/2 或 v射=B0/2驰豫过程:由激发态恢复到平衡态的过程。,3,4,3.氢的化学位移,相同的原子核由于所处的化学环境不同(屏蔽效应不同),而在不同的共振频率(射频交变磁场)下显示吸收峰的现象。,5,3.1 屏蔽效应 化学位移的根源,磁场中自旋核的核外电子产生感应磁场,方向与外加磁场相反或相同,使原子核的实际受到磁场降低或升高
2、,即屏蔽效应,屏蔽效应的大小以屏蔽常数表示。核实际感受到的磁场强度:,B核=B0(1-),其中B核表示氢核实际所受的磁场,为屏蔽常数,一般远小于1。分类:顺磁屏蔽(去屏蔽),抗磁屏蔽与原子核的种类以及所处的化学环境有关。,6,共振条件 v射=B0/2 修正为:v射=B0(1-)/2 或 B0=v射 2/(1-)核外电子云的密度高,值大,核的共振吸收高场(或低频)位移,化学位移减小(向谱图右方移动)。核外电子云的密度低,值小,核的共振吸收低场(或高频)位移,化学位移增大(向谱图左方移动)。电子云密度:C-H C=C-H Ar-H O=C-H,7,8,化学位移的表示:单位 ppm,标准:四甲基硅(
3、TMS),=0;DSS等最常用的标准物质是Si(CH3)4(tetramethylsilane)简称为TMS。TMS的NMR谱很简单,它的屏蔽常数比绝大多数分子的大,用它作标准物定义的化学位移大部分是正值。“左正右负”,固定交变磁场频率,改变外加磁场频率,固定外加磁场频率,改变交变磁场频率,9,B0,左正右负,v射高频 交变磁场强度 低频,10,3.2 影响化学位移的因素,一、诱导效应 二、共轭效应 三、各向异性效应 四、Van der Waals效应 五、氢键效应和溶剂效应,11,化学位移的大小取决于屏蔽常数的大小,凡是改变氢核外电子云密度的因素都能影响化学位移。因此,可以预言,若结构上的变
4、化或环境的影响使氢原子核外电子云密度降低,将使谱峰的位置移向低场(谱图左方),化学位移增大,这称为去屏蔽(deshielding)作用,反之,若某种影响使氢核外电子云密度升高,将使峰的位置移向高场(谱图右方),化学位移减小,称为屏蔽作用(shielding),12,一、诱导效应,氢原子核外成键电子的电子云密度产生的屏蔽效应。,13,拉电子取代基团:去屏蔽效应,氢核外电子云密度降低,化学位移左移,即增大,向低场位移。推电子取代基团:屏蔽效应,氢核外电子云密度增大,化学位移右移,即减小,向高场位移。,14,/ppm,/ppm,试比较下面化合物分子中 Ha Hb Hc 值的大小。,b a c,电负性
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